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正式揭露了即将与ISSI整并的消息；除了合并ISSI，兆易创新台面下也正积极筹画建厂，兆易创新传出将与中芯前执行长王宁国所主导的合肥长鑫团队共同在合肥建立存储厂。2016年12月1日北京君正晚间发布重组预案，公司拟以发行股份及支付现金的方式购买北京豪威100%股权、视信源100%股权、思比科。交易对价总计133亿元。2016年8月，跨界的A股上市公司方大化工发布重大资产重组方案，公司拟以发行股份及支付现金的方式购买长沙韶光、威科电子、成都创新达三家公司的100%股权。虽然没有获得通过，但是方大化工会继续推动并购重组。11月30日，珠海艾派克科技股份有限公司（“艾派克”）发布《关于重大资产购买完...

因应于不成熟分类和参考分类之间的差异，比较器800的另一输入端耦合到经学习电压(w(i)*vt)。在进入推理/分类阶段314之后，比较器800将电压v1(i)提供给src电路104，从而调整信号dout的回转率。图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80在图5的训练阶段312的一示例性操作。参考图12，假设一学习速率η是；一预设电压vt为；一实际电压vout为，小于预设电压vt。在理想状况下，比较器800应该提供逻辑低(“0”)。然而，比较器800却提供逻辑高(“1”)，其反映出不成熟分类，这可能是由于半导体工艺技术或低噪声边界的不良结果所引起的。使用者人工识别这种错误分类...

达到固定散热机构3的目的，之后打开管盖6，并通过导管5向空心导热块31内加注部分纯净水，接着盖上管盖6，在芯片本体1工作散发热量的时候，热量被空心导热块31吸收，同时空心导热块31内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管32和第二连接管34进入到空心散热块33和第二散热块35中，利用空心散热块33和第二空心散热块35较大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块31中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。以上所述，为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉...

与集成电路204热耦联的第二热接口材料层206；以及与第二热接口材料层206热耦联的能够移除的散热器208，所述散热器208具有越过印刷电路板202的与连接侧304相对的侧延伸的顶表面302。在906处，将两个印刷电路装配件相对地放置在一起，使得所述印刷电路装配件400中的每个印刷电路装配件上的散热器208的顶表面302与另一个印刷电路装配件400上的热接口材料层408接触，并且与该热接口材料层408热耦联。在908处，流程900包括将每个冷却管406的端部耦联至分流管606a，以及将每个冷却管406的第二端部耦联至第二分流管606b。在910处，流程900包括将泵110、热交换器112和储液...

可以通过执行标准单元sc1至sc12的上述布局和布线来确定集成电路300的布图。可以通过电力轨311至316向标准单元sc1至sc12提供电力。电力轨311至316可以包括用于提供电源电压vdd的高电力轨311、313和315，以及用于提供比电源电压vdd低的第二电源电压vss的低电力轨312、314和316。例如，电源电压vdd可以具有正电压电平，第二电源电压vss可以具有地电平(例如，0v)或负电压电平。高电力轨311、313和315以及低电力轨312、314和316在方向x上延伸并且逐一交替地布置在第二方向y上，以形成与由布置在第二方向y上的电力轨311至316定义的区域对应的多个电路行...

contract)，“cb”表示接触件，“vo”表示通孔接触件，“m1”表示线路。栅极绝缘层118可以由氧化硅层、高k介电层或它们的组合形成。多条栅极线pc11、12、13、14、15和16可以跨越多个有源区ac在栅极绝缘层118上延伸，同时覆盖每个有源区ac的上表面和两个侧壁。掩模122可以形成在栅极线pc11、12、13、14、15和16中的每条栅极线上。栅极绝缘层118的侧壁、栅极线pc的侧壁和掩模122的侧壁可以被间隔件124覆盖。具体地讲，间隔件124可以沿着第三方向z沿着栅极绝缘层118、栅极线pc和掩模122延伸。在图12c中所示的截面中，栅极绝缘层118可以沿着第三方向z在栅极...

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件c...

所述方法包括：提供两个印刷电路装配件，每个所述印刷电路装配件包括：系统板，在所述系统板上的多个印刷电路板插座，多个液体冷却管，每个所述液体冷却管邻接于所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座地耦联至所述系统板，连接至所述印刷电路板插座的多个集成电路模块，和多个散热器，每个所述散热器与所述集成电路模块中的一个集成电路模块热耦联；以及将所述印刷电路装配件彼此相对地布置，使得所述两个印刷电路装配件的集成电路模块彼此交错，并且所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件的液体冷却管热耦联。附图说明参考下列附图，根据一个或多个不同实施例详细描述了本公开。附图出于说明的目...

6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。在集成电路的一些实施例中，n＝1，所述多个单元线路结构包括单元线路结构和第二单元线路结构，第二单元线路结构在方向上与单元线路结构相邻，第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。在集成电路的一些实施例中，所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在集成电路的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。在集成电路的一些实施例中，所述多条栅极线通过单图案化、sadp或saqp形成。在集成电路的一些实施例中，单元线路结...

所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，其中，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。附图说明通过以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的示例实施例。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。图2是根据示例实施例的集成电路的截面图。图3是根据示例实施例的集成电路的图。图4a至图4i是用于描述根据示例实施例的用于制造集成电路的图案化工艺的示图。图5至图10是根据示例实施例的应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。图...

虽然关于具有调节mtj器件的调节访问装置描述了图2至图8b中示出的操作和/或装置，但是应该理解，公开的存储单元不限于这样的实施例。而且，在可选实施例中，图2至图8b的操作和/或装置可以实施和/或包括具有调节薄膜电阻器(例如，包括钽、氮化钽、钛、钨等)的调节访问装置。图9至图12示出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的截面图900至1200，该存储器电路包括存储单元(例如，mram单元)，各存储单元具有被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。虽然关于方法描述了图9至图12，但是应该理解，图9至图12中公开的结构不限于这种方法，而且可以作为于该方法的结构而单独存在。如...

本实用新型涉及集成电路技术领域，具体为显示驱动集成电路结构。背景技术：现有的显示驱动集成电路结构在日常使用的过程中，基于内部大量的电子元件，会产生很高的温度，若不及时进行散热，热量会影响到设备的正常工作，甚至引起设备烧毁，另外，现有的此类设备在排线结构上存在着缺陷，线路布局比较混乱，并且现有的显示驱动集成电路采用直接将信号端焊接在集成电路板上的方式，不利于对线路进行检修和更换，当信号线受外力拉扯时，存在着焊接点被拉断的风险，因此，为解决以上问题，提出一种具有布线装置且散热优良的显示驱动集成电路结构。技术实现要素：本实用新型的目的在于提供显示驱动集成电路结构，以解决上述背景技术提出的目前的显示驱...

固定层110具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层114的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔408和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、第二附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、第二附加自由层等)以改进mtj的性能。图4b示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片414的一些可选实施例的截面图。集成芯片414包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1。...

将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如，对应各环形槽的磁环4，第二磁环5，第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如，激光过孔技术实现精确打孔)。所述若...

固定层110具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层114的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔408和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、第二附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、第二附加自由层等)以改进mtj的性能。图4b示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片414的一些可选实施例的截面图。集成芯片414包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1。...

4.数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。根据数字集成电路中包含的门电路或元、器件数量，可将数字集成电路分为小规模集成（ＳＳＩ）电路、中规模集成ＭＳＩ电路、大规模集成（ＬＳＩ）电路、超大规模集成ＶＬＳＩ电路和特大规模集成（ＵＬＳＩ）电路。小规模集成电路包含的门电路在１０个以内，或元器件数不超过１００个；中规模集成电路包含的门电路在１０～１００个之间，或元器件数在１００～１０００个之间；大规模集成电路包含的门电路在１００个以上，或元器件数在１０～１０个之间；超大规模集成电路包含的门电路在１万个以上，或元器件数在１０～１０之间；特大规模集成电路的元器件数在１...

每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如...

化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图10...

信号dout的回转率是可控制的。初，src电路104向驱动器电路102提供一预设回转率，并且驱动器电路102驱动信号dout，其中信号dout具有该预设回转率。该预设回转率可以是特定值，或者可以是一范围中的数值。通常，一预设回转率被设计为满足一规范的要求。在信号dout的电气特性不理想的情况下，使用者在一使用者应用端12上测试ic元件10。使用者应用端12的一示波器120测量信号dout的一电压，并且示波器120，基于测量结果，在使用者应用端12的一使用者界面124上显示一电压波形122的图表。使用者基于例如使用者界面124的显示器上所示的电压来查看和计算信号dout的一实际回转率。接下来，使...

图中：1芯片本体、2连接机构、21螺纹块、22凹槽、23l形杆、24转动环、25螺母、3散热机构、31空心导热块、32连通管、33空心散热块、34第二连通管、35第二空心散热块、4锥形块、5导管、6管盖。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的...

从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的精神和范围。附图说明参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更了解本公开的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。图1的示意图说明调整信号的回转率的比较方法。图2的流程图说明参考图1所示的比较方法的迭代流程。图3是根据本公开的一些实施例的具有一机器学习电路的一电路的示意图。...

基于训练数据获取经加权值36。接下来，进入推理/分类阶段314。在推理/分类阶段314中，mlc42基于经加权值36对验证数据进行分类。在验证数据的分类之后，使用者将这种分类与参考分类进行比较，从而获得一校正率。如果这样的校正率满足在操作504中在规范中获得的所需校正率，则推理/分类阶段314结束，并且进入预测阶段316。如果校正率不满足所需的校正率，则重复上述过程。图8的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的预测阶段316。参照图8，不执行操作502的评估。mlc42控制src电路104而不需要人力。因此，使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图9是根据本公开的一些实...

6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。在集成电路的一些实施例中，n＝1，所述多个单元线路结构包括单元线路结构和第二单元线路结构，第二单元线路结构在方向上与单元线路结构相邻，第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。在集成电路的一些实施例中，所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在集成电路的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。在集成电路的一些实施例中，所述多条栅极线通过单图案化、sadp或saqp形成。在集成电路的一些实施例中，单元线路结...

本发明可以采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制)。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗(半固化片开窗，将磁芯所处于的覆铜芯板层之间的半固化片对应所述磁芯槽开窗，这样可以采用厚度更厚的磁环；压合，叠板时在磁芯槽和所述开窗中放入磁环，然后将覆铜芯板与半固化片压合)。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，能达到。本发明能够带来以下优点：实现了更大功率，更高效率的IC集成电源；以少的通道实现了双向信号的传输；基板集成封装工艺一次成型，成本更低。在此指明，以上叙述有助于本领域技术人员理解本发明创造...

以及基于该经学习电压，产生经配置以调整回转率的预测。在一些实施例中，该实际电压的微分决定一信号的实际回转率，并且该预设电压的微分决定该信号的预设回转率。在一些实施例中，该经学习电压包括一神经网络的一经加权值。在一些实施例中，该测量电路包括一取样保持电路以及一第二取样保持电路。该取样保持电路经配置以取样一信号的一电压。该第二取样保持电路经配置以取样该信号的一第二电压，其中该实际电压与该电压和该第二电压相关。在一些实施例中，该测量电路还包括一减法器电路。该减法器电路经配置以通过从该第二电压中减去该电压来提供该实际电压。在一些实施例中，该不成熟分类与该参考分类之间的一区别与一神经网络的一权重相关联，...

同样的附图标记始终表示同样的元件。可以省略重复的描述。在下文中，在三维空间中使用方向x、第二方向y和第三方向z描述根据示例实施例的集成电路的结构。方向x可以是行方向，第二方向y可以是列方向，第三方向z可以是竖直方向。方向x、第二方向y和第三方向z可以交叉，例如，可以彼此正交或垂直。图1是示出制造集成电路的方法的流程图。参照图1，在半导体基底上方的栅极层中形成多条栅极线，其中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸(s100)。在栅极层上方的导电层中形成多条金属线，其中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸，使得6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是...

固定层110具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层114的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔408和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、第二附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、第二附加自由层等)以改进mtj的性能。图4b示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片414的一些可选实施例的截面图。集成芯片414包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1。...

包括：在衬底上方形成互连层；在所述互连层正上方形成多个mtj器件，其中，所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成第二互连层，其中，所述互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择...

图中：1芯片本体、2连接机构、21螺纹块、22凹槽、23l形杆、24转动环、25螺母、3散热机构、31空心导热块、32连通管、33空心散热块、34第二连通管、35第二空心散热块、4锥形块、5导管、6管盖。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的...

大时代下，要努力告别情怀了！2016年，中国集成电路设计产业的逻辑思维图是，我有钱→买买买→买不到→自力更生！细细品味，这个思维图可能是2016年中国集成电路设计适合的总结陈词。我有钱2016年，中国集成电路设计业迎来了好的资本时代！据不完全统计，大基金，地方和各路资本方投入设计业超过500亿元。从**到地方，从企业到VC，涌现出汹涌澎湃的发展态势。买买买2016年，中国集成电路企业和资本的并购力度和热情超过了以往任何时代，OV，ISSI，NXP射频和标准器件部门，视信源，思比科等，这些国际化和本土的佼佼者企业，都被中国人收入了囊中。当然，还有很多没有成功的标的，如果不是美国人的阻拦，那将是一...