每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的可以来电咨询！贵州电子元件回收量大从优

导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。贵州电子元件回收量大从优上海海谷电子有限公司致力于提供回收，竭诚为您服务。

达到固定散热机构3的目的，之后打开管盖6，并通过导管5向空心导热块31内加注部分纯净水，接着盖上管盖6，在芯片本体1工作散发热量的时候，热量被空心导热块31吸收，同时空心导热块31内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管32和第二连接管34进入到空心散热块33和第二散热块35中，利用空心散热块33和第二空心散热块35较大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块31中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。以上所述，为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的?；し段Р⒉痪窒抻诖耍魏问煜け炯际趿煊虻募际跞嗽痹诒臼涤眯滦徒衣兜募际醴段?，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的?；し段е?。

可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如，四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中，第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21＝wdg+wglpg22＝wqg-wglpg23＝pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中，将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10，单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的可以来电咨询！

如参考图5详细描述的。在训练阶段之后，mlc42进入推理/分类阶段，如参考图5详细描述的，以控制src电路104以调整信号dout的回转率。接下来，mlc42进入预测阶段316，如参考图5详细描述的以执行预测。一旦进入预测阶段316并且在完成mlc42的训练之后，就不再需要人力。使用mlc42来调整回转率是相对方便的。图4是根据本公开的一些实施例的神经网络32的网络示意图，其中神经网络32通过图3的机器学习电路42执行任务。虽然作为示例详细描述了神经网络32，但是可以使用任何合适的机器学习方法和技术。神经网络32包括一输入34、一经加权值36和一结果值38。输入34经一权重加权后决定出经加权值36。基于经加权值36产生结果值38。虽然示出了一个输入，但这是说明性的，任何输入、权重和其之间的连接的合适组合都可以使用。图5是根据本公开的一些实施例的通过图3的机器学习电路42执行的一程序310的流程图。参考图3，程序310包括一训练阶段312、一推理/分类阶段314和一预测阶段316。在训练阶段312中，mlc42执行一训练，在该训练中，决定及/或调整图4的经加权值36。在训练图4的神经网络32之后，在推理/分类阶段314中，mlc42可以对验证数据执行推断及/或分类。在涉及调整回转率的本实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电哦！内蒙古晶振回收联系方式

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所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。贵州电子元件回收量大从优

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