因应于不成熟分类和参考分类之间的差异，比较器800的另一输入端耦合到经学习电压(w(i)*vt)。在进入推理/分类阶段314之后，比较器800将电压v1(i)提供给src电路104，从而调整信号dout的回转率。图12的示意图说明根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80在图5的训练阶段312的一示例性操作。参考图12，假设一学习速率η是；一预设电压vt为；一实际电压vout为，小于预设电压vt。在理想状况下，比较器800应该提供逻辑低(“0”)。然而，比较器800却提供逻辑高(“1”)，其反映出不成熟分类，这可能是由于半导体工艺技术或低噪声边界的不良结果所引起的。使用者人工识别这种错误分类。使用者向减法器电路802提供逻辑低(“0”)。据此，减法器电路802向分压器804提供逻辑高(“1”)。加法器电路806将差值*(v1(i)-vc(i)加至数值为1的预设权重，并提供反相经更新权重的。反相器810反相反相经更新权重，并提供经更新权重的。暂存器812将预设权重的1更新为更新权重的。乘法器814将预设电压的，并将经学习电压的。暂存器816将预设电压的，经学习电压的。经学习电压的。如果随后的实际电压vout接近先前的实际电压vout，则获得正确分类的机率随着经学习电压的，相较于预设电压的。结果。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需要可以联系我司哦！辽宁电子料库存回收市场

转动环24的外壁固定套接有螺母25，螺母25的内壁元螺纹块21的外壁螺纹连接，连接机构2能够方便散热机构3与芯片本体1进行连接。散热机构3包括与l形杆23侧壁固定连接的空心导热块31，空心导热块31的下表面与芯片本体1的下表面活动连接，空心导热块31的上表面固定连通有多个连通管32，多个同侧连通管32的顶端共同固定连通有空心散热块33，多个空心散热块33的顶端均固定连通有多个第二连通管34，多个同侧第二连通管34的顶端共同固定连通有第二空心散热块35，空心散热块33与第二空心散热块35相互呈垂直分布，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。第二空心散热块35的顶端固定连接有多个锥形块4，锥形块4能够便捷水珠凝结。空心导热块31的外壁固定连通有导管5，导管5远离空心导热块31的一端螺纹连接有管盖6，导管5便于向空心导热块32内加水。空心导热块31、空心散热块33和第二空心散热块35的材质均为不锈钢，且能够避免空心导热块31、空心散热块33和第二空心散热块35锈蚀损坏。本实用新型中，当芯片本体1与集尘电路板安装的时候，首先把l形杆23插入螺纹块21的凹槽22中，接着通过螺母25与螺纹块21连接。青海电子元器件回收价格上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的不要错过哦！

例如，使用信号dout的电压来训练神经网络32。接下来，在基于训练数据调整了权重之后，mlc42使用神经网络32对包括信号dout的电压的验证数据进行分类。接下来，在预测阶段316中，mlc42基于推理/分类阶段314中的分类结果来执行预测。图6的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于具有图3的机器学习电路42的电路30的迭代流程。参照图6，迭代流程类似于图2的迭代流程，除了例如图6的迭代流程包括在操作500中的一机器学习程序(在图6中标记为进行机器学习)和在操作504中的获取规范之外。在操作500中，mlc42进行学习并产生一不成熟分类。使用者向mlc42提供一参考分类。如果不成熟分类不正确，则mlc42调整一权重。在本公开中，正确的分类指的是不成熟分类与参考分类相同。重复执行前述过程，直到在操作502中判断出在操作504的规范中获取的一校正率能够被满足。校正率指的是正确分类的数量与总分类数量的比率。图7的流程图说明根据本公开的一些实施例的基于图6的迭代流程的图5的训练阶段312和推理/分类阶段314。参照图7，在训练阶段312中，不执行操作200中的回转率的调整。在操作500中，例如，收集100笔数据，其中80笔数据做为训练数据，并且20笔数据做为验证数据。

对更多的存储器的需求也增加，从而使得集成芯片设计者和制造商必须增加可用存储器的量，同时减小集成芯片的尺寸和功耗。为了达到这个目标，在过去的几十年间，存储单元组件的尺寸已经不断缩小。mtj器件超越其它存储器类型的一个优势是mtj器件的mtj可以制成非常小的尺寸。然而，在mram单元中，驱动晶体管(即，存取晶体管)用于在读取和/或写入操作期间选择性地向相关的mtj器件提供电压和/或电流。因为mram单元通常对写入操作使用相对高的电压和/或电流，所以驱动晶体管的尺寸可能相对较大。虽然可以使mram单元的mtj具有小的尺寸，但是相对大尺寸的驱动晶体管限制了存储器阵列内的小型ram单元可以缩小的程度。在一些实施例中，本发明涉及集成芯片，该集成芯片包括具有多个存储单元(例如，mram单元)的存储器阵列，存储单元不包括驱动晶体管(即，不使用驱动晶体管来对存储单元提供电压和/或电流)。而且，多个存储单元分别包括调节访问装置，该调节访问装置被配置为选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问。调节访问装置具有连接至工作mtj器件的一个或多个调节mtj器件。一个或多个调节mtj器件被配置为通过控制(即。上海海谷电子有限公司为您提供回收，期待您的光临！

调节mtj器件、第二调节mtj器件和工作mtj器件106分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层110可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂(pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(al2o3)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置108可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如，在一些实施例中，调节访问装置108可以包括与工作mtj器件106并联连接的薄膜电阻器和第二薄膜电阻器。在各个实施例中，调节访问装置108可以包括具有基本类似的尺寸或具有不同的尺寸的电阻器。存储器阵列102通过多条位线bl1至bl2和多条字线wl1至wl2连接至控制电路115。在一些实施例中，控制电路115包括连接至多条位线bl1至bl2的位线解码器116和连接至多条字线wl1至wl2的字线解码器118。调节访问装置108连接在字线wlx(x＝1或2)和工作mtj器件106之间，而工作mtj器件106连接在调节访问装置108和位线bly(y＝1或2)之间。为了访问工作mtj器件106。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选。天津呆滞料回收平台

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所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。辽宁电子料库存回收市场

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