图中：1芯片本体、2连接机构、21螺纹块、22凹槽、23l形杆、24转动环、25螺母、3散热机构、31空心导热块、32连通管、33空心散热块、34第二连通管、35第二空心散热块、4锥形块、5导管、6管盖。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。参照图1-2，一种组合式集成电路芯片，包括芯片本体1，芯片本体1的上表面固定连接有两个对称分布的连接机构2，两个连接机构2相对的一端共同固定连接有散热机构3，散热机构3的底端与芯片本体1的上表面活动连接。连接机构2包括与芯片本体上表面固定连接的螺纹块21，螺纹块21的上表面开设有凹槽22，凹槽22的槽壁活动连接有l形杆23，l形杆23的杆壁转动套接有转动环24。上海海谷电子有限公司为您提供回收，期待您的光临！甘肃集成电路回收中心

在一些实施例中，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常，在一些实施例中，作为另一示例，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，例如。浙江电子元器件回收市场上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的可以来电咨询！

存储介质1100(例如，存储装置)可以存储标准单元库sclb1110。标准单元库1110可以从存储介质1100被提供给设计模块1400。标准单元库1110可以包括多个标准单元，并且标准单元可以是用于设计块、器件和/或芯片的小的(例如，小的)单元。存储介质1100可以包括用于将命令和/或数据提供给计算机作为计算机可读存储介质的任何计算机可读存储介质。例如，计算机可读存储介质可以包括诸如随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)等的易失性存储器，以及诸如闪存、磁阻ram(mram)、相变ram(pram)、电阻式ram(rram)等的非易失性存储器。计算机可读存储介质可以入到计算机中，可以被集成在计算机中，或者可以通过诸如网络和/或无线链接的通信介质连接到计算机。设计模块1400可以包括布局模块plmd1200和布线模块rtmd1300。在此，术语“模块”可以指示但不限于执行特定任务的软件和/或硬件组件(诸如，现场可编程门阵列(fpga)或集成电路(asic))。模块可以驻留在有形的、可寻址的存储介质中，并且可以在一个或多个处理器上执行。例如。

可以使用光刻工艺形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。例如，使用旋涂工艺和软焙工艺在层250上形成抗蚀剂层。然后，使用针对图4c的心轴图案231、232和233而定义的掩模将抗蚀剂层暴露于辐射。心轴图案231、232和233将提供基于231、232和233创建图4e中所示的侧壁间隔件261至266的基础。终将蚀刻掉心轴图案231、232和233。使用曝光后烘焙、显影和硬烘焙来使曝光的抗蚀剂层显影，从而在层250上方形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3在方向x上具有节距p1和宽度w1。参照图4c，通过抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的开口蚀刻层250、240和230以形成心轴图案231、232和233。蚀刻工艺可以包括干法(或等离子体)蚀刻、湿法蚀刻或其他合适的蚀刻方法。之后使用合适的工艺(诸如，湿法剥离或等离子体灰化)去除抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3。还使用一个或更多个蚀刻工艺去除层250和层240，从而在中间层220上方产生图4c中所示的心轴图案231、232和233。考虑到通过上述图案化工艺的特征变化，心轴图案231、232和233在方向x上具有分别与节距p1和宽度w1基本匹配的节距p2和宽度w2。参照图4d，在介电层220上方、在心轴图案231、232和233上方以及在心轴图案231、232和233的侧壁上形成间隔层260。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有想法的不要错过哦！

模块可以包括软件组件、类组件、任务组件、过程、功能、属性、步骤、子例程、程序代码段、驱动程序、固件、微代码、电路、数据、数据库、数据结构、表、阵列、参数等。模块可以被划分为执行详细功能的多个模块。布局模块1200可以使用处理器1500基于定义集成电路和标准单元库1110的输入数据di来布置标准单元。布线模块1300可以针对从布局模块1200提供的单元布局执行信号布线。如果布线不成功，则布局模块1200可以修改先前的单元布局，并且布线模块1300可以利用修改的单元布局执行信号布线。当布线成功完成时，布线模块1300可以提供定义集成电路的输出数据do。布局模块1200和布线模块1300可以由单个集成设计模块1400实现，或者可以由单独的和不同的模块实现。包括布局模块1200和布线模块1300的设计模块1400可以执行布局和布线，使得延迟匹配和/或占空比调节可以使用多个负载标准单元在集成电路中实现。布局模块1200和/或布线模块1300可以以软件实现，但是示例实施例不限于此。如果布局模块1200和布线模块1300以软件实现，则它们可以作为程序代码存储在存储介质1100中或者存储在其他存储介质中。当设计模块1400执行计算时，可以使用处理器1500。在图14中。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，期待您的光临！福建电容电阻回收服务

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示出了一个处理器1500。可选地，多个处理器可以包括在设计系统1000中。此外，处理器1500可以包括增加计算容量的高速缓存存储器。这样，根据示例实施例的集成电路和设计集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。图15是示出图14的设计系统的示例操作的流程图。参照图14和图15，设计模块1400可以接收定义集成电路的输入数据di(s11)。布局模块1200可以参照包括如上所述的多个标准单元的标准单元库1110，以便提取与输入数据di对应的标准单元，并且可以使用提取的标准单元执行单元布局(s12)。布线模块1300可以针对布局的单元执行信号布线(s13)。当信号布线不成功时(s14：否)，布局模块1200可以替换至少一个标准单元，例如，可以用另一标准单元替换至少一个标准单元，以修改单元的布局(s15)。布线模块1300可以针对修改的布局再次执行信号布线(s13)。这样，可以重复地布局和布线，直到成功完成信号布线。当信号布线成功完成时(s14：是)，设计模块1400可以生成定义集成电路的输出数据do(s16)。图16是示出根据示例实施例的集成电路的布图的示图。图16的集成电路300可以是集成电路(asic)。甘肃集成电路回收中心

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