锁相热成像系统凭借电激励在电子产业的芯片封装检测中表现出的性能，成为芯片制造过程中不可或缺的质量控制手段。芯片封装是保护芯片、实现电气连接的关键环节，在封装过程中，可能会出现焊球空洞、引线键合不良、封装体开裂等多种缺陷。这些缺陷会严重影响芯片的散热性能和电气连接可靠性，导致芯片在工作过程中因过热而失效。通过对芯片施加特定的电激励，使芯片内部产生热量，缺陷处由于热传导受阻，会形成局部高温区域。锁相热成像系统能够实时捕捉芯片表面的温度场分布，并通过分析温度场的相位和振幅变化，生成清晰的缺陷图像，精确显示出缺陷的位置、大小和形态。例如，在检测 BGA 封装芯片时，系统能准确识别出焊球中的空洞，即使空洞体积占焊球体积的 5%，也能被定位。这一技术的应用，帮助芯片制造企业及时发现封装过程中的问题，有效降低了产品的不良率，提升了芯片产品的质量。电激励的波形选择（正弦波、方波等）会影响热信号的特征，锁相热成像系统需针对不同波形优化处理算法。实时瞬态锁相分析系统锁相红外热成像系统性价比

热红外显微镜（Thermal EMMI) 也是科研与教学领域的利器，其设备能捕捉微观世界的热信号。它将红外探测与显微技术结合，呈现物体表面温度分布，分辨率达微米级，可观察半导体芯片热点、电子器件热分布等。非接触式测量是其一大优势，无需与被测物体直接接触，避免了对样品的干扰，适用于多种类型的样品检测。实时成像功能可追踪动态热变化，如材料相变、化学反应热释放。在高校，热红外显微镜助力多学科实验；在企业，为产品研发和质量检测提供支持，推动各领域创新突破。半导体锁相红外热成像系统按需定制电激励与锁相热成像系统，电子检测黄金组合。

ThermalEMMI（热红外显微镜）是一种先进的非破坏性检测技术，主要用于精细定位电子设备中的热点区域，这些区域通常与潜在的故障、缺陷或性能问题密切相关。该技术可在不破坏被测对象的前提下，捕捉电子元件在工作状态下释放的热辐射与光信号，为工程师提供关键的故障诊断线索和性能分析依据。在诸如复杂集成电路、高性能半导体器件以及精密印制电路板（PCB）等电子组件中，ThermalEMMI能够快速识别出异常发热或发光的区域，帮助工程师迅速定位问题根源，从而及时采取有效的维修或优化措施。

锁相热成像系统在发展过程中也面临着一些技术难点，其中如何优化热激励方式与信号处理算法是问题。热激励方式的合理性直接影响检测的灵敏度和准确性，不同的被测物体需要不同的激励参数；而信号处理算法则决定了能否从复杂的信号中有效提取出有用信息。为此，研究人员不断进行探索和创新，通过改进光源调制频率，使其更适应不同检测场景，开发多频融合算法，提高信号处理的效率和精度等方式，持续提升系统的检测速度与缺陷识别精度。未来，随着新型材料的研发和传感器技术的不断进步，锁相热成像系统的性能将进一步提升，其应用领域也将得到的拓展，为更多行业带来技术革新。
锁相热成像系统让电激励检测更具实用价值。

在实际应用中，这款设备已成为半导体产业链的 “故障诊断利器”。在晶圆制造环节，它能通过热分布成像识别光刻缺陷导致的局部漏电；在芯片封装阶段，可定位引线键合不良引发的接触电阻过热；针对 IGBT 等功率器件，能捕捉高频开关下的瞬态热行为，提前预警潜在失效风险。某半导体企业在检测一批失效芯片时，传统热成像设备能看到模糊的发热区域，而使用致晟光电的一体化设备后，通过锁相技术发现发热区域内存在一个 2μm 的微小热点，终定位为芯片内部的金属离子迁移缺陷 —— 这类缺陷若未及时发现，可能导致产品在长期使用中突然失效。锁相热成像系统借电激励，捕捉细微温度变化辨故障。显微红外成像锁相红外热成像系统功能

电激励模块是通过源表向被测物体施加周期性方波电信号，通过焦耳效应使物体产生周期性的温度波动。实时瞬态锁相分析系统锁相红外热成像系统性价比

在产品全寿命周期中，失效分析以解决失效问题、确定根本原因为目标。通过对失效模式开展综合性试验分析，它能定位失效部位，厘清失效机理——无论是材料劣化、结构缺陷还是工艺瑕疵引发的问题，都能被系统拆解。在此基础上，进一步提出针对性纠正措施，从源头阻断失效的重复发生。作为贯穿产品质量控制全流程的关键环节，失效分析的价值体现在对全链条潜在风险的追溯与排查：在设计（含选型）阶段，可通过模拟失效验证方案合理性；制造环节，能锁定工艺偏差导致的批量隐患；使用过程中，可解析环境因素对性能衰减的影响；质量管理层面，则为标准优化提供数据支撑。实时瞬态锁相分析系统锁相红外热成像系统性价比