RTTLIT E20 微光显微分析系统(EMMI)是专为半导体器件漏电缺陷检测量身打造的高精度检测设备,其系统搭载 -80℃制冷型 InGaAs 探测器与高分辨率显微物镜 ,构建起超高灵敏度检测体系 —— 可准确捕捉器件在微弱漏电流下产生的极微弱微光信号,实现纳米级缺陷的可视化成像。通过超高灵敏度成像技术,设备能快速定位漏电缺陷并完成深度分析,为工程师提供直观的缺陷数据支撑,助力优化生产工艺、提升产品可靠性。从芯片研发到量产质控,RTTLIT E20 以稳定可靠的性能,为半导体器件全生命周期的质量保障提供科学解决方案,是半导体行业提升良率的关键检测利器。微光显微镜的便携款桌面级设计,方便在生产线现场快速检测,及时发现产品问题,减少不合格品流出。实时成像微光显微镜规格尺寸
通过对这些微光信号的成像与定位,它能直接“锁定”电性能缺陷的物理位置,如同在黑夜中捕捉萤火虫的微光,实现微米级的定位。而热红外显微镜则是“温度的解读师”,依托红外热成像技术,它检测的是芯片工作时因能量损耗产生的温度差异。电流通过芯片时的电阻损耗、电路短路时的异常功耗,都会转化为局部温度的细微升高,这些热量以红外辐射的形式散发,被热红外显微镜捕捉并转化为热分布图。通过分析温度异常区域,它能间接推断电路中的故障点,尤其擅长发现与能量损耗相关的问题。国产微光显微镜分析我司微光显微镜可检测 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金属线路缺陷和短路点,为质量控制与维修提供高效准确方法。
得注意的是,两种技术均支持对芯片进行正面检测(从器件有源区一侧观测)与背面检测(透过硅衬底观测),可根据芯片结构、封装形式灵活选择检测角度,确保在大范围扫描中快速锁定微小失效点(如微米级甚至纳米级缺陷)。在实际失效分析流程中,PEM系统先通过EMMI与OBIRCH的协同扫描定位可疑区域,随后结合去层处理(逐层去除芯片的金属布线层、介质层等)、扫描电子显微镜(SEM)的高分辨率成像以及光学显微镜的细节观察,进一步界定缺陷的物理形态(如金属线腐蚀、氧化层剥落、晶体管栅极破损等),终追溯失效机理(如电迁移、热载流子注入、工艺污染等)并完成根因分析。这种“定位-验证-溯源”的完整闭环,使得PEM系统在半导体器件与集成电路的失效分析领域得到了关键的应用。
在微光显微镜(EMMI) 操作过程中,当对样品施加合适的电压时,其失效点会由于载流子加速散射或电子-空穴对复合效应而发射特定波长的光子。这些光子经过采集和图像处理后,可以形成一张信号图。随后,取消施加在样品上的电压,在未供电的状态下采集一张背景图。再通过将信号图与背景图进行叠加处理,就可以精确地定位发光点的位置,实现对失效点的精确定位。进一步地,为了提升定位的准确性,可采用多种图像处理技术进行优化。例如,通过滤波算法去除背景噪声,增强信号图的信噪比;利用边缘检测技术,突出显示发光点的边缘特征,从而提高定位精度。微光显微镜能检测半导体器件微小缺陷和失效点,及时发现隐患,保障设备可靠运行、提升通信质量。
随着器件尺寸的逐渐变小,MOS器件的沟道长度也逐渐变短。短沟道效应也愈发严重。短沟道效应会使得MOS管的漏结存在一个强电场,该电场会对载流子进行加速,同时赋予载流子一个动能,该载流子会造成中性的Si原子被极化,产生同样带有能量的电子与空穴对,这种电子与空穴被称为热载流子,反映在能带图中就是电位更高的电子和电位更低的空穴。一部分热载流子会在生成后立马复合,产生波长更短的荧光,另一部分在电场的作用下分离。电子进入栅氧层,影响阈值电压,空穴进入衬底,产生衬底电流。归因于短沟道效应能在MOS管的漏端能看到亮点,同样在反偏PN结处也能产生强场,也能观察到亮点。微光显微镜可搭配偏振光附件,分析样品的偏振特性,为判断晶体缺陷方向提供独特依据,丰富检测维度。显微微光显微镜范围
微光显微镜的快速预热功能,可缩短设备启动至正常工作的时间,提高检测效率。实时成像微光显微镜规格尺寸
这一技术不仅有助于快速定位漏电根源(如特定晶体管的栅氧击穿、PN结边缘缺陷等),更能在芯片量产阶段实现潜在漏电问题的早期筛查,为采取针对性修复措施(如优化工艺参数、改进封装设计)提供依据,从而提升芯片的长期可靠性。例如,某批次即将交付的电源管理芯片在出厂前的EMMI抽检中,发现部分芯片的边角区域存在持续稳定的微弱光信号。结合芯片的版图设计与工艺参数分析,确认该区域的NMOS晶体管因栅氧层局部厚度不足导致漏电。技术团队据此对这批次芯片进行筛选,剔除了存在漏电隐患的产品,有效避免了缺陷芯片流入市场后可能引发的设备功耗异常、发热甚至烧毁等风险。实时成像微光显微镜规格尺寸