0HT260WXC-100CELLHT260WX2-101MV238FHB-N10MV238FHM-N10HT236F01-100HT236F03-100HM236WU1-100HM236WU1-400HM236WU3-100HM236WU3-110HM236WU1-200HR236WU1-100HM236WU1-300HR236WU1-300HM236WU3-200HR236WU1-310HM236WU3-101HM236WU3-201HV236WHB-N00HR230WU1-100HR230WU1-400HR230WU3-500HV230FH2-600HR230WU3-300HR230WU1-500HT220WP1-100HT215F01-100HM215WU1-500HM215WU1-300HM215WU3-100HR215WU1-100HM215WU3-500BOEM215WU1HR215WU1-200HR215WU1-120HR215WU1-210HR215WU3-201HR215WU3-120MT207FHB-N20MT207FHB-N10MT207FHM-N20HT201V01-100HT201V01-101HM200WD1-200HM200WD1-100HT190E01-100HT190WG1-100HT190WG1-101HT190WG1-102HT190WG1-600HT190WG1-601HT190WG3-100HT190WG3-500HT190WG1-602HT190E01-300HT190WG3-101HM190WG3-700MV190E0M-N10HT185WX1-100HT185WX1-500HT185WX1-300HT185WX1-501HM185WX1-400HM185WX3-200HT185WXB-100HM185WX3-400HE185WX1-100HM185WX3-300HM185WX1-300HM185WX3-401HM185WX3-301HT170E01-100HT170E01-101HT170E01-300HT170E01-400HT170E01-500HT170E02-100HT170EX1-100HT170EX1-101HT170EX1-300HT170EX1-600HT156WX1-100HT156WXB-10。博洋 BOE 蚀刻液以其独特优势,为行业提供个性化解决方案!安徽工业级BOE蚀刻液图片
本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液,通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂,来改善磷酸的浸润性和表面张力,使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术:氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料,氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中,一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻,一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展,器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高,如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时,晶圆表面会出现不均匀的现象,体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时,检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题,通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素:本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液,所述蚀刻液的组成包括:占蚀刻液总重量≥88%的磷酸、%的醇醚类、%的表面活性剂。进一步地,本发明涉及上述蚀刻液。浙江一种BOE蚀刻液推荐货源博洋 BOE 蚀刻液,为微电子行业的发展提供独具特色的个性化解决方案。
表%九氟丁基甲基醚和50重量%甲基四氢呋喃的液体混合物的分馏显示出92重量%九氟丁基甲基醚和8重量%甲基四氢呋喃的共沸组合物,其在°C的沸点。实施例2如实施例1所述进行沸点测定方法。表II给出九氟丁基乙基醚和甲基四氢呋喃的各种混合物在。表II九氟丁基乙基醚的重量%甲基四氢呋喃的重量%(°C)%九氟丁基乙基醚和50重量%甲基四氢呋喃的液体混合物的分馏显示出%九氟丁基乙基醚和%甲基四氢呋喃的共沸组合物,其在°C的沸点。清洗试验的总体过程首先,用FORANE141b对2X5cm的不锈钢片材进行脱脂。这些片材各自在测试之前称重,其构成皮重。然后,在这些片材的单侧上涂布油REDUCTELFSP460。对该涂布有油的片材进行称重,并由与皮重的差值推算出涂布的油的量。接下来,将该涂布有油的片材浸5入到含有100ml待评价组合物的烧杯中5分钟,不进行搅拌且无超声。该片材一移出,就在通风的情况下进行15分钟的滴干(dripdry),并且,在该15分钟结束时,通过称重测定油的残留量。与油的初始量相比,计算移除的油的百分数。实施例3在使用九氟丁基甲基醚的组合物的情况下,得到0%的油移除率。实施例4在使用包含8重量%的2-MeTHF和92重量%的九氟丁基甲基醚的组合物的情况下。
conunanormaeuropeaENoconunarecomendaciónCEIparaalgunosdelosmodosdeprotecciónsiguientes:1.oInmersiónenaceite?o?.2.oSobrepresióninterna?p?.3.oRellenopulverulento?q?.4.oEnvolventeantideflagrante?d?.5.oSeguridadaumentada?e?.6.oSeguridadintrínseca?i?.7.oEncapsulado?m?.orespaldadosporcertificadosdecontrolparaotrosmodosdeprotecciónaúnnonormalizadosenEspa?a,comoporejemplo:aparatosparazona2,tipo?n?,yaparatoseléctricosconmodosdeproteccióóódigodemarcadoserá?s?.Esmuyimportantetenerencuentaqueauncuandoatítuloindividualcualquiermaterialeléctricodispongadeloscertificadoscorrespondientes,perovayanposteriormentemontadosyformandopartedeunconjuntooequipoconcreto,dichoscertificadosnoseránválidos;anoserqueseinstalendeacuerdoconlasnormas,criterios,prescripcionesyrecomendacionesexigidasparaeláreadeinstalacióáuncertificadoglobalparacadaaparato,dondeseincluyenloscertificadosdeconformidaddecadaunodeloscomponenteseléctricos。苏州博洋专业生产BOE蚀刻液欢迎询价。
该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。添加剂为丙二醇丁醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,添加量分别为总质量的%、%。实施例2本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制,先称取浓度为85%的磷酸,然后称取添加剂加入磷酸中,该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。添加剂为三乙二醇乙醚、月桂酰氨乙基硫酸钠,添加量分别为总质量的%、%。实施例3本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制,先称取浓度为85%的磷酸,然后称取添加剂加入磷酸中,该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。添加剂为三甘醇单丁醚、月桂酰氨乙基硫酸钠,添加量分别为总质量的%、%。实施例4本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制,先称取浓度为85%的磷酸,然后称取添加剂加入磷酸中,该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。添加剂为二乙二醇单甲醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,添加量分别为总质量的%、%。实施例5本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制,先称取浓度为85%的磷酸,然后称取添加剂加入磷酸中,该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。BOE 蚀刻液(Buffered Oxide Etch)是一种在微加工和半导体制造过程中常用的蚀刻溶液。湖北电子级BOE蚀刻液订做价格
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