EN10029yEN10029AC).2.aSobrelongitudes:+1/.aSobrecapacidadnominal:+3/ónovalización:semidelaovalizaciónantesydespuésdelllenadodeagua,quedándoselosdepósitosdecomunicacióó)ándeformavisualtodaslassoldadurasdetodoslosdepóón,esimprescindibleunapruebadepresió)ímitesindicadosacontinuación:1.oDesnivelodefectodealineación:soldaduraslongitudinales:1milímetro;soldadurascirculares:2milí.oPuntodeinflexiónlocal:h/l≤1/53.oFaltadeespesordesoldadura:0milí.oSobreespesordesoldaduras:1milímetro≤S≤L/10+2milí.oGrietasofisuras,sopladuraseinclusionesdesembocandoensuperficie:.oMordeduras:profundidadmáxima,0,5milímetros;longitudmáxima,40milíínimadezonasanaparaqueestosdosdefectosseconsiderencomoaisladosesdeseisveceslalongituddeldefectomááprohibidosanearunpuntodefugaounafaltadematerialdeaportaciónconeldepó)Examensoldadurasdeáángulotendránunaalturadegarganta,comomínimode0,7veceselespesordelamáóósitosesometeráaunapruebadepresiónde0。BOE蚀刻液的溶液成分。河南什么是BOE蚀刻液推荐厂家

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    本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，来改善磷酸的浸润性和表面张力，使之均匀蚀刻氮化硅。背景技术：氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料，氢氟酸和热磷酸能对氮化硅进行缓慢地腐蚀。在半导体制造工艺中，一般是采用热磷酸对氮化硅进行蚀刻，一直到了90nm的制程也是采用热磷酸来蚀刻氮化硅。但随着半导体制程的飞速发展，器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对制造工艺中的各工艺节点要求也越来越高，如蚀刻工艺中对蚀刻后晶圆表面的均匀性、蚀刻残留、下层薄膜的选择性等都有要求。在使用热磷酸对氮化硅进行蚀刻时，晶圆表面会出现不均匀的现象，体现于在蚀刻前后进行相同位置取点的厚度测量时，检测点之间蚀刻前后的厚度差值存在明显差异。为了解决氮化硅蚀刻不均匀的问题，通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂可以实现氮化硅层的均匀蚀刻。技术实现要素：本发明所要解决的技术问题是提供一种能均匀蚀刻氮化硅层的蚀刻液。本发明涉及一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，所述蚀刻液的组成包括：占蚀刻液总重量≥88％的磷酸、％的醇醚类、％的表面活性剂。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液。

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    此处所描述的具体实施例用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。参照图1，本实用新型实施例提供的酸性蚀刻液电解后液处理系统包括：电解槽1、射流器2、再生液调配缸3、液体泵4，其中，电解槽1具有一出液口和出气口，且电解槽1中内置有酸性蚀刻液，电解槽1对该酸性蚀刻液进行电解提铜，产生氯气，得到电解后液，并且，产生的氯气通过位于上方的出气口排出，电解后液通过位于下方的出液口排出。射流器2包括混气室21和扩散管22，混气室21和扩散管22之间为喉管，混气室21具有进气口2a、进液口2b、出液口2c，扩散管22连接至出液口2c，进气口2a通过导气管a与电解槽1的出气口连接以接收氯气，扩散管22深入到再生液调配缸3中。再生液调配缸3具有进液口和循环出液口，进液口通过管道b与电解槽1的出液口连接以接收电解后液。液体泵4的一端通过管道b连接再生液调配缸3的循环出液口，另一端通过管道b连接射流器2的进液口2b，用于将再生液调配缸3中的电解后液通过管道b抽取至射流器2的进液口2b。电解槽1电解提铜后，阳极产生的氯气通过导气管a进入到射流装置2的混气室21内，电解后液通过液体泵4打入到射流装置2的混气室21，在混气室21形成真空，在喉管处氯气与电解后液剧烈混合。河南什么是BOE蚀刻液推荐厂家