动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。 [4]电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。 [4]比较高工作频率比较高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以比较高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。 [4]比较大整流电流比较大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的比较大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管比较大整流电流值稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。青浦区推广二极管货源充足

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。 [4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。黄浦区本地二极管生产企业外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。

（2）限幅电路在电子电路中，常用限幅电路对各种信号进行处理。它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分信号。大多数二极管都可作为限幅使用，但有些时候需要用到**限幅二极管，如保护仪表时。 [6]（3）稳压电路在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一种利用特殊工艺制造的面结型硅把半导体二极管，这种特殊二极管杂质浓度比较高，空间电荷区内的电荷密度大，容易形成强电场。当齐纳二极管两端反向电压加到某一值，反向电流急增，产生反向击穿。 [6]

对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏 [4]。正向特性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。 [4]掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。

反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和比较高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流*为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 [4]此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。金山区通用二极管专卖店

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。青浦区推广二极管货源充足

（4）变容电路在变容电路中常用变容二极管来实现电路的自动频率控制、调谐、调频以及扫描振荡等。 [6]工业产品应用经过多年来科学家们不懈努力，半导体二极管发光的应用已逐步得到推广，发光二极管广泛应用于各种电子产品的指示灯、光纤通信用光源、各种仪表的指示器以及照明。发光二极管的很多特性是普通发光器件所无法比拟的，主要具有特点有：安全、高效率、环保、寿命长、响应快、体积小、结构牢固。因此，发光二极管是一种符合绿色照明要求的光源。青浦区推广二极管货源充足

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