光刻胶系列:
厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;
水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;
LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;
半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。
水性感光胶推荐吉田 JT-1200,精细网点+易操作性!安徽油墨光刻胶
关键应用领域
半导体制造:
? 在晶圆表面涂覆光刻胶,通过掩膜曝光、显影,刻蚀出晶体管、电路等纳米级结构(如EUV光刻胶用于7nm以下制程)。
印刷电路板(PCB):
? ?;さ缏吠夹位蜃魑纯炭故床?,制作线路和焊盘。
显示面板(LCD/OLED):
? 用于制备彩色滤光片、电极图案等。
微机电系统(MEMS):
? 加工微结构(如传感器、执行器)。
工作原理(以正性胶为例)
1. 涂胶:在基材(如硅片)表面均匀旋涂光刻胶,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通过掩膜版,用特定波长光线照射,曝光区域的光敏剂分解,使树脂变得易溶于显影液。
3. 显影:用显影液溶解曝光区域,留下未曝光的光刻胶图案,作为后续刻蚀或离子注入的掩蔽层。
4. 后续工艺:刻蚀基材(保留未被光刻胶保护的区域),或去除光刻胶(剥离工艺)。
珠海网版光刻胶厂家耐高温光刻胶 JT-2000,250℃环境稳定运行,图形保真度超 95%,用于纳米结构制造!
人才与生态:跨学科团队的“青黄不接”
前段人才的结构性短缺
光刻胶研发需材料化学、半导体工艺、分析检测等多领域。国内高校相关专业毕业生30%进入光刻胶行业,且缺乏具有10年以上经验的工程师。日本企业通过“技术导师制”培养人才,而国内企业多依赖“挖角”,导致技术传承断裂。
产业链协同的“孤岛效应”
光刻胶研发需与晶圆厂、设备商、检测机构深度协同。国内企业因信息不对称,常出现“材料性能与工艺需求不匹配”问题。例如,某国产KrF光刻胶因未考虑客户产线的显影液参数,导致良率损失20%。
纳米压印光刻胶
微纳光学器件制造:制作衍射光学元件、微透镜阵列等微纳光学器件时,纳米压印光刻胶可实现高精度的微纳结构复制。通过纳米压印技术,将模板上的微纳图案转移到光刻胶上,再经过后续处理,可制造出具有特定光学性能的微纳光学器件,应用于光通信、光学成像等领域。
生物芯片制造:在 DNA 芯片、蛋白质芯片等生物芯片的制造中,需要在芯片表面构建高精度的微纳结构,用于生物分子的固定和检测。纳米压印光刻胶可帮助实现这些精细结构的制作,提高生物芯片的检测灵敏度和准确性。
水性感光胶推荐吉田 JT-1200,水油兼容配方,钢片加工精度 ±5μm!
光刻胶(Photoresist)是一种对光敏感的高分子材料,主要用于光刻工艺中,通过光化学反应实现图案的转移,是半导体、集成电路(IC)、印刷电路板(PCB)、液晶显示(LCD)等制造领域的材料之一。
光刻胶特性与组成
? 光敏性:在特定波长(如紫外光、极紫外光EUV等)照射下,会发生化学结构变化(如交联或分解),从而改变在显影液中的溶解性。
? 主要成分:
? 树脂(成膜剂):形成基础膜层,决定光刻胶的机械和化学性能。
? 光敏剂:吸收光能并引发化学反应(如光分解、光交联)。
? 溶剂:调节粘度,便于涂覆成膜。
? 添加剂:改善性能(如感光度、分辨率、对比度等)。
松山湖光刻胶厂家吉田,2000 万级产能,48 小时极速交付!珠海网版光刻胶厂家
吉田技术自主化与技术领域突破!安徽油墨光刻胶
技术挑战与发展趋势
更高分辨率需求:
? EUV光刻胶需解决“线边缘粗糙度(LER)”问题(目标<5nm),通过纳米颗粒分散技术或新型聚合物设计改善。
缺陷控制:
? 半导体级正性胶要求金属离子含量<1ppb,颗粒(>50nm)<1个/mL,需优化提纯工艺(如多级过滤+真空蒸馏)。
国产化突破:
? 国内企业(如上海新阳、南大光电、容大感光)已在KrF/ArF胶实现批量供货,但EUV胶仍被日本JSR、美国陶氏、德国默克垄断,需突破树脂合成、PAG纯度等瓶颈。
环保与节能:
? 开发水基显影正性胶(减少有机溶剂使用),或低烘烤温度胶(降低半导体制造能耗)。
典型产品示例
? 传统正性胶:Shipley S1813(G/I线,用于PCB)、Tokyo Ohka TSM-305(LCD黑矩阵)。
? DUV正性胶:信越化学的ArF胶(用于14nm FinFET制程)、中芯国际认证的国产KrF胶(28nm节点)。
? EUV正性胶:JSR的NeXAR系列(7nm以下,全球市占率超70%)。
正性光刻胶是推动半导体微缩的主要材料,其技术进步直接关联芯片制程的突破,未来将持续向更高精度、更低缺陷、更绿色工艺演进。
安徽油墨光刻胶