成都制版光刻胶感光胶

来源：发布时间：2025-06-15

纳米制造与表面工程

? 纳米结构模板：作为纳米压印光刻（NIL）的母版制备材料，通过电子束光刻胶写出高精度纳米图案（如50nm以下的柱阵列、孔阵列），用于批量复制微流控芯片或柔性显示基板。

? 表面功能化：在基底表面构建纳米级粗糙度（如仿生荷叶超疏水表面）或化学图案（引导细胞定向生长的纳米沟槽），用于生物医学或能源材料（如电池电极的纳米阵列结构）。

量子技术与精密测量

? 超导量子比特：在铌酸锂或硅基底上，通过光刻胶定义纳米级约瑟夫森结阵列，构建量子电路。

? 纳米传感器：制备纳米级悬臂梁（表面镀光刻胶图案化的金属电极），用于探测单个分子的质量或电荷变化（分辨率达亚纳米级）。

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晶圆制造（前道工艺）

? 功能：在硅片表面形成高精度电路图形，是光刻工艺的主要材料。

? 细分场景：

? 逻辑/存储芯片：用于28nm及以上成熟制程的KrF光刻胶（分辨率0.25-1μm）、14nm以下先进制程的ArF浸没式光刻胶（分辨率≤45nm），以及极紫外（EUV）光刻胶（目标7nm以下，研发中）。

? 功率半导体（如IGBT）：使用厚膜光刻胶（膜厚5-50μm），满足深沟槽刻蚀需求。

? MEMS传感器：通过高深宽比光刻胶（如SU-8）实现微米级结构（如加速度计、陀螺仪的悬臂梁）。

芯片封装（后道工艺）

? 先进封装技术：

? Flip Chip（倒装芯片）：用光刻胶形成凸点（Bump）下的 Redistribution Layer（RDL），线宽精度要求≤10μm。

? 2.5D/3D封装：在硅通孔（TSV）工艺中，光刻胶用于定义通孔开口（直径5-50μm）。

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依托自主研发与国产供应链，吉田半导体 LCD 光刻胶市占率达 15%，跻身国内前段企业。吉田半导体 YK-200 LCD 正性光刻胶采用国产树脂与单体，实现 100% 国产化替代。其分辨率 0.35μm，附着力 > 3N/cm，性能优于 JSR 的 AR-P310 系列。通过与国内多家大型企业的深度合作，产品覆盖智能手机、电视等显示终端，年供货量超 200 吨。公司建立国产原材料溯源体系，确保每批次产品稳定性，推动 LCD 面板材料国产化进程。

纳米电子器件制造

? 半导体芯片：在22nm以下制程中，EUV光刻胶（分辨率≤10nm）用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构，实现芯片集成度提升（如3nm制程的FinFET/GAA晶体管）。

? 二维材料器件：在石墨烯、二硫化钼等二维材料表面，通过电子束光刻胶定义纳米电极阵列，构建单原子层晶体管或传感器。

纳米光子学与超材料

? 光子晶体与波导：利用光刻胶制备亚波长周期结构（如光子晶体光纤、纳米级波导弯头），调控光的传播路径，用于集成光路或量子光学器件。

? 超材料设计：在金属/介质基底上刻蚀纳米级“鱼网状”“蝴蝶结”等图案（如太赫兹超材料），实现对电磁波的超常调控（吸收、偏振转换）。

吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造环保光刻胶。

全品类覆盖与定制化能力

吉田半导体的光刻胶产品覆盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶等全品类，适用于半导体、显示面板、MEMS等多个领域。例如，其LCD正性光刻胶YK-200和水油光刻胶JT-2001可满足0.45μm及以上线宽需求，支持客户定制化工艺参数，尤其在柔性显示（OLED）和Mini/Micro LED等新兴领域表现突出。

技术亮点：通过自主研发的树脂配方和光敏剂体系，实现了高分辨率（120nm）和高抗蚀性的平衡，部分指标（如线宽粗糙度LWR<3nm）接近国际主流产品水平。

国产化材料与工艺适配

公司采用进口原材料+本地化生产模式，关键树脂单体、光敏剂等主要成分通过德国默克、日本信越等供应商采购，同时建立了超纯提纯工艺（杂质含量<1ppm），确保产品稳定性。此外，其光刻胶与国内主流光刻机（如上海微电子SSA800）、匀胶显影机（如盛美上海）的兼容性已通过验证，缩短客户工艺调试周期。

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吉田半导体柯图泰全系列感光胶：进口品牌品质，本地化服务支持

柯图泰全系列感光胶依托进口技术，提供高性价比的丝网印刷解决方案。
吉田半导体代理的柯图泰全系列感光胶（如 PLUS 6000、Autosol 2000），源自美国先进配方，分辨率达 120 线 / 英寸，适用于玻璃、陶瓷等多种基材。产品通过 SGS 认证，符合电子行业有害物质限制要求，其高感光度与耐摩擦性，确保丝网印刷的清晰度与耐久性。公司提供技术参数匹配、制版工艺指导等本地化服务，帮助客户优化生产流程，降低材料损耗。

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标签：光刻胶锡片锡膏

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