“异质结” 是指由两种或两种以上不同材料（如不同半导体、半导体与绝缘体等）构成的界面结构，其关键特征是材料在界面处的物理、化学性质（如禁带宽度、电子亲和能等）存在差异，从而产生独特的电学、光学特性。异质结的“异质”指材料性质的差异，可表现为：半导体材料的禁带宽度不同（如硅与非晶硅、硅与化合物半导体）；晶体结构、掺杂类型（n型/p型）或导电类型的差异。界面处的能带不连续会形成“能带偏移”，从而影响载流子（电子、空穴）的运动和分布。
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异质结电池的制程温度低于250℃，避免了高温工艺带来的热损伤，同时降低了生产成本。异质结电池的生产工艺流程较短，关键工艺需四步：清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、透明导电膜沉积和金属电极化。异质结电池的双面结构使其能够有效利用背面光照，双面率可达90%，相比PERC和TOPCon电池，发电量更高。异质结电池在弱光条件下仍能保持较高的发电效率，增加了组件的发电时长。异质结电池与钙钛矿电池叠层使用时，能够进一步提升转换效率，理论极限效率可突破40%。南京0bb异质结技术信赖釜川异质结，开启绿色能源新征程。

异质结HJT电池TCO薄膜的方法主要有两种：RPD（特指空心阴极离子镀)和PVD(特指磁控溅射镀膜)；l该工艺主要是在电池正背面上沉积一层透明导电膜层，通过该层薄膜实现导电、减反射、保护非晶硅薄膜的作用，同时可以有效地增加载流子的收集；l目前常用于HJT电池TCO薄膜为In2O3系列，如ITO（锡掺杂In2O3，@PVD溅射法）、IWO（钨掺杂In2O3，@RPD方法沉积）等。HJT电池具备光电转化效率提升潜力高、更大的降成本空间。零界高效异质结电池整线解决方案，实现设备国产化，高效高产PVDDDCVD。

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尽管异质结具有许多优势，但也面临一些挑战。首先，异质结的制备过程需要高度精确的控制，对材料的纯度和界面的质量要求较高。其次，异质结的性能受到材料的缺陷和界面的影响，需要进一步研究和改进。未来，随着纳米技术和材料科学的发展，异质结的制备和性能将得到进一步提升。同时，异质结在新型器件和新兴领域的应用也将不断拓展，为科学研究和工业应用带来更多的可能性。近年来，异质结的研究取得了许多重要的进展。例如，通过引入量子阱结构，可以实现更精确的能带调控和光电转换效率的提高。另外，异质结在新型能源器件和光电子器件中的应用也取得了一些突破，如高效太阳能电池和高亮度激光器的制备。未来，随着材料科学和器件工程的不断发展，异质结的研究将进一步深入，为新型器件和应用领域的发展提供更多的可能性和机遇。复制重新生成郑州太阳能异质结湿法设备