应用场景：主要用于高功率光伏组件，如大型地面电站、工商业分布式光伏项目，尤其适合对效率和发电量要求高的场景。市场进展：2023 年以来，HJT 产能快速扩张，通威、隆基、晶科等头部企业均布局 GW 级产线，设备国产化率提升（如迈为股份、捷佳伟创提供整线设备），成本持续下降。未来趋势：随着钙钛矿 / HJT 叠层电池技术的研发（理论效率超 30%），HJT 可能成为下一代主流电池技术的基础平台。HJT 作为异质结技术的象征，通过材料和结构创新突破了传统晶硅电池的效率瓶颈，在高效率、长寿命、高可靠性等方面优势明显，是光伏行业向 “降本增效” 迈进的关键技术之一。釜川 HJT 出击，光伏效率节节高，能源效益步步升。无锡国产HJTPECVD

HJT电池生产设备，制绒清洗的主要目的有，1去除硅片表面的污染和损伤层；2利用KOH腐蚀液对n型硅片进行各项异性腐蚀，将Si（100）晶面腐蚀为Si（111）晶面的四方椎体结构（“金字塔结构”），即在硅片表面形成绒面，可将硅片表面反射率降低至12.5%以下，从而产生更多的光生载流子；3形成洁净硅片表面，由于HJT电池中硅片衬底表面直接为异质结界面的一部分，避免不洁净引进的缺陷和杂质而带来的结界面处载流子的复合。碱溶液浓度较低时，单晶硅的(100)与(111)晶面的腐蚀速度差别比较明显，速度的比值被称为各向异性因子(anisotropicfactorAF)；因此改变碱溶液的浓度及温度，可以有效地改变AF，使得在不同方向上的速度不同，在硅片表面形成密集分布的“金字塔”结构的减反射绒面；在制绒工序，绒面大小为主要指标，一般可通过添加剂的选择、工艺配比的变化、工艺温度及工艺时间等来进行调节控制。无锡国产HJTPECVD领略釜川 HJT，感受光伏新动力，开启能源新契机。

高功率集中式发电应用场景：沙漠、戈壁、荒山等大面积闲置土地的集中式光伏电站。优势：HJT 电池量产效率超 26%（传统 PERC 约 23%），相同装机容量下占地面积减少 15%-20%，降低土地和支架成本。双面发电率超 90%，搭配跟踪支架时，背面可利用地面反射光发电，整体发电量比 PERC 电站高 10%-20%。温度系数低（-0.26%/℃），在高温地区（如中国西北、东南亚）发电衰减更慢，年均发电量提升 5% 以上。屋顶光伏系统应用场景：工厂屋顶、商业建筑屋顶、居民住宅屋顶的分布式发电项目。优势：空间利用率高：HJT 组件功率密度高（如 600W + 双玻组件），相同屋顶面积可安装更多容量，适合面积有限的工商业屋顶。美观与可靠性：非晶硅钝化层表面更平整，组件外观一致性好；n 型硅片无 LID 光衰，25 年衰减率低于 10%（PERC 约 15%），长期收益更稳定。适配储能系统：高发电量搭配储能电池时，可实现企业 “自发自用、余电存储”，降低用电成本。

HJT 产品采用了质量的材料和先进的生产工艺，具有较高的稳定性和可靠性。经过长期的使用和测试，HJT 产品的性能衰减较小，能够为客户提供长期稳定的电力输出。釜川公司的 HJT 产品外观设计简洁大方，颜色均匀，与各种建筑风格相融合。无论是安装在屋顶、墙面还是地面，都能为建筑物增添美观的效果，实现太阳能与建筑的完美结合。美观大方的外观设计使得 HJT 产品不仅具有实用价值，还具有较高的观赏价值，为客户带来更好的使用体验。釜川公司在 HJT 产品的研发和生产过程中，投入了大量的资源和精力，掌握了多项技术。公司拥有自主知识产权的生产工艺和技术，能够实现高效、稳定的生产，确保产品的质量和性能。与传统的太阳能电池技术相比，HJT 技术具有更高的转换效率、更低的温度系数和更高的稳定性，驱动了太阳能领域的前沿技术。釜川公司的 HJT 产品在技术上处于前端地位，为客户提供了更质量的太阳能解决方案。携手釜川 HJT，光伏创新不止步，能源之路更畅舒。

HJT制绒设备是釜川（无锡）智能科技有限公司的明星产品之一。该设备采用先进的单多晶制绒技术，结合自动上下料系统，实现了制绒过程的高度自动化和智能化。通过精确的控制算法和优化的工艺参数，设备能够在保证制绒效率的同时，实现电池片表面绒面结构的均匀性和一致性，为后续的电池片加工奠定了坚实基础。清洗是HJT电池生产过程中的重要环节之一。釜川（无锡）智能科技有限公司推出的HJT清洗设备，集成了硅片清洗、石英管清洗、电极板清洗等多种功能于一体，能够满足HJT电池生产过程中的清洗需求。该设备采用先进的清洗工艺和高效的清洗机制，确保了清洗效果的一致性和稳定性，有效提高了电池片的洁净度和转换效率。釜川 HJT 发力，光伏进步不停息，能源革新有动力。河南HJTPECVD

凭借 HJT，釜川在光伏行业稳扎稳打，贡献绿色科技力量。无锡国产HJTPECVD

HJT电池整线技术路线工艺1.清洗制绒。通过腐蚀去除表面损伤层，并且在表面进行制绒，以形成绒面结构达到陷光效果，减少反射损失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉积。通过CVD方式在正面/背面分别沉积5~10nm的本征a-Si:H，作为钝化层，然后再沉积掺杂层；3.正面/背面TCO沉积。通过PVD在钝化层上面进行TCO薄膜沉积；4.栅线电极。通过丝网印刷进行栅线电极制作；5.烘烤(退火)。通过丝网印刷进行正面栅线电极制作，然后通过低温烧结形成良好的接触；6.光注入。7.电池测试及分选。无锡国产HJTPECVD