致晟光电始终以客户需求为重心，兼顾货源保障方面。目前，我们有现货储备，设备及相关配件一应俱全，能够快速响应不同行业、不同规模客户的采购需求。无论是紧急补购的小型订单，还是批量采购的大型项目，都能凭借充足的货源实现高效交付，让您无需为设备短缺而担忧，确保生产计划或项目推进不受影响。

为了让客户对设备品质有更直观的了解，我们大力支持现场验货。您可以亲临我们的仓库或展示区，近距离观察设备的外观细节，亲身操作查验设备的运行性能、精度等关键指标。每一台设备都经过严格的出厂检测，我们敢于将品质摆在您眼前，让您在采购前就能对设备的实际状况了然于胸，消除后顾之忧。 针对纳米级半导体器件，搭配超高倍物镜，能分辨纳米尺度的缺陷发光，推动纳米电子学研究。自销微光显微镜技术参数

EMMI的本质只是一台光谱范围广，光子灵敏度高的显微镜。

但是为什么EMMI能够应用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成电路在通电后会出现三种情况：1.载流子复合；2.热载流子；3.绝缘层漏电。当这三种情况发生时集成电路上就会产生微弱的荧光，这时EMMI就能捕获这些微弱荧光，这就给了EMMI一个应用的机会而在IC的失效分析中，我们给予失效点一个偏压产生荧光，然后EMMI捕获电流中产生的微弱荧光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要满足其机理在EMMI下都能观测到荧光 低温热微光显微镜用途针对接面漏电，我司微光显微镜能侦测其光子定位位置，利于筛选不良品，为改进半导体制造工艺提供数据。

InGaAs微光显微镜与传统微光显微镜在原理和功能上具有相似之处，均依赖于电子-空穴对复合产生的光子及热载流子作为探测信号源。然而，InGaAs微光显微镜相较于传统微光显微镜，呈现出更高的探测灵敏度，并且其探测波长范围扩展至900nm至1700nm，而传统微光显微镜的探测波长范围限于350nm至1100nm。这一特性使得InGaAs微光显微镜具备更更好的波长检测能力，从而拓宽了其应用领域。进一步而言，InGaAs微光显微镜的这一优势使其在多个科研与工业领域展现出独特价值。在半导体材料研究中，InGaAs微光显微镜能够探测到更长的波长，这对于分析材料的缺陷、杂质以及能带结构等方面具有重要意义。

芯片制造工艺复杂精密，从设计到量产的每一个环节都可能潜藏缺陷，而失效分析作为测试流程的重要一环，是拦截不合格产品、追溯问题根源的 “守门人”。微光显微镜凭借其高灵敏度的光子探测技术，能够捕捉到芯片内部因漏电、热失控等故障产生的微弱发光信号，定位微米级甚至纳米级的缺陷。这种检测能力，能帮助企业快速锁定问题所在 —— 无论是设计环节的逻辑漏洞，还是制造过程中的材料杂质、工艺偏差，都能被及时发现。这意味着企业可以针对性地优化生产工艺、改进设计方案，从而提升芯片良率。在当前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接转化为生产成本的降低，让企业在价格竞争中占据更有利的位置。当二极管处于正向偏置或反向击穿状态时，会有强烈的光子发射，形成明显亮点。

我司专注于微弱信号处理技术的深度开发与场景化应用，凭借深厚的技术积累，已成功推出多系列失效分析检测设备及智能化解决方案。更懂本土半导体产业的需求，软件界面贴合工程师操作习惯，无需额外适配成本即可快速融入产线流程。

性价比优势直击痛点：相比进口设备，采购成本降低 30% 以上，且本土化售后团队实现 24 小时响应、48 小时现场维护，备件供应周期缩短至 1 周内，彻底摆脱进口设备 “维护慢、成本高” 的困境。用国产微光显微镜，为芯片质量把关，让失效分析更高效、更经济、更可控！ 我司微光显微镜可检测 TFT LCD 面板及 PCB/PCBA 金属线路缺陷和短路点，为质量控制与维修提供高效准确方法。自销微光显微镜原理

国外微光显微镜价格高昂，常达上千万元，我司国产设备工艺完备，技术成熟，平替性价比高。自销微光显微镜技术参数

得注意的是，两种技术均支持对芯片进行正面检测（从器件有源区一侧观测）与背面检测（透过硅衬底观测），可根据芯片结构、封装形式灵活选择检测角度，确保在大范围扫描中快速锁定微小失效点（如微米级甚至纳米级缺陷）。在实际失效分析流程中，PEM系统先通过EMMI与OBIRCH的协同扫描定位可疑区域，随后结合去层处理（逐层去除芯片的金属布线层、介质层等）、扫描电子显微镜（SEM）的高分辨率成像以及光学显微镜的细节观察，进一步界定缺陷的物理形态（如金属线腐蚀、氧化层剥落、晶体管栅极破损等），终追溯失效机理（如电迁移、热载流子注入、工艺污染等）并完成根因分析。这种“定位-验证-溯源”的完整闭环，使得PEM系统在半导体器件与集成电路的失效分析领域得到了关键的应用。自销微光显微镜技术参数