在失效分析的有损分析中，打开封装是常见操作，通常有三种方法。全剥离法会将集成电路完全损坏，留下完整的芯片内部电路。但这种方法会破坏内部电路和引线，导致无法进行电动态分析，适用于需观察内部电路静态结构的场景。局部去除法通过特定手段去除部分封装，优点是开封过程不会损坏内部电路和引线，开封后仍可进行电动态分析，能为失效分析提供更丰富的动态数据。自动法则是利用硫酸喷射实现局部去除，自动化操作可提高效率和精度，不过同样属于破坏性处理，会对样品造成一定程度的损伤。

热红外显微镜在 3D 封装检测中，通过热传导分析确定内部失效层 。无损热红外显微镜应用

选择热红外显微镜（Thermal EMMI） 设备时，需紧密围绕实际应用需求进行综合评估。若检测对象为半导体芯片、晶圆，应重点关注设备的空间分辨率（推荐≤1μm）和温度灵敏度（≤0.01℃）；针对 3D 封装器件，支持锁相热成像技术的设备能更好地实现深度定位；而 PCB/PCBA 检测，则需要兼顾大视野与高精度扫描能力。在技术指标层面，InSb 材质的探测器灵敏度出色，适合半导体缺陷检测，非制冷型氧化钒探测器虽成本较低，但分辨率相对有限；锁相热成像技术可提升信噪比，并实现 3D 空间的深度定位；同时，偏置系统的电压电流范围、EMMI 与热成像融合功能以及 AI 辅助分析能力，也都是衡量设备性能的关键要素。佛山热红外显微镜热红外显微镜采用先进的探测器，实现对微小热量变化的快速响应 。

当电子设备中的某个元件发生故障或异常时，常常伴随局部温度升高。热红外显微镜通过高灵敏度的红外探测器，能够捕捉到极其微弱的热辐射信号。这些探测器通常采用量子级联激光器等先进技术，或其他高性能红外传感方案，具备宽温区、高分辨率的成像能力。通过对热辐射信号的精细探测与分析，热红外显微镜能够将电子设备表面的温度分布以高对比度的热图像形式呈现，直观展现热点区域的位置、尺寸及温度变化趋势，从而帮助工程师快速锁定潜在的故障点，实现高效可靠的故障排查。

热红外显微镜与光学显微镜虽同属微观观测工具，但在原理、功能与应用场景上存在明显差异，尤其在失效分析等专业领域各有侧重。

从工作原理看，光学显微镜利用可见光（400-760nm 波长）的反射或透射成像，通过放大样品的物理形态（如结构、颜色、纹理）呈现细节，其主要是捕捉 “可见形态特征”；而热红外显微镜则聚焦 3-10μm 波长的红外热辐射，通过检测样品自身发射的热量差异生成热分布图，本质是捕捉 “不可见的热信号”。

在主要功能上，光学显微镜擅长观察样品的表面形貌、结构缺陷（如裂纹、变形），适合材料微观结构分析、生物样本观察等；热红外显微镜则专注于微观热行为解析，能识别因电路缺陷、材料热导差异等产生的温度异常，即使是纳米级的微小热点（如半导体芯片的漏电区域）也能精确捕捉，这是光学显微镜无法实现的。

从适用场景来看，光学显微镜是通用型观测工具，广泛应用于基础科研、教学等领域；而热红外显微镜更偏向专业细分场景，尤其在半导体失效分析中，可定位短路、虚焊等隐性缺陷引发的热异常，在新材料研发中能分析不同组分的热传导特性，为解决 “热相关问题” 提供关键依据。 热红外显微镜在电子产品研发阶段，辅助优化热管理方案 。

热红外显微镜（Thermal EMMI) 作为一种能够捕捉微观尺度热辐射信号的精密仪器，其优势在于对材料、器件局部温度分布的高空间分辨率观测。

然而，在面对微弱热信号（如纳米尺度结构的热辐射、低功耗器件的散热特性等）时，传统热成像方法易受环境噪声、背景辐射的干扰，难以实现精细测量。锁相热成像技术的引入，为热红外显微镜突破这一局限提供了关键解决方案。通过锁相热成像技术的赋能，热红外显微镜从 “可见” 微观热分布升级为 “可测” 纳米级热特性，为微观尺度热科学研究与工业检测提供了不可或缺的工具。 热红外显微镜突破光学衍射极限，以纳米级分辨率呈现样品微观结构与热特性。自销热红外显微镜厂家

热红外显微镜凭借≤0.001℃的温度分辨率，助力复杂半导体失效分析 。无损热红外显微镜应用

在国内失效分析设备领域，专注于原厂研发与生产的企业数量相对较少，尤其在热红外检测这类高精度细分领域，具备自主技术积累的原厂更为稀缺。这一现状既源于技术门槛 —— 需融合光学、红外探测、信号处理等多学科技术，也受限于市场需求的专业化程度，导致多数企业倾向于代理或集成方案。

致晟光电正是国内少数深耕该领域的原厂之一。不同于单纯的设备组装，其从中枢技术迭代入手，在传统热发射显微镜基础上进化出热红外显微镜，形成从光学系统设计、信号算法研发到整机制造的完整能力。这种原厂基因使其能深度理解国内半导体、材料等行业的失效分析需求，例如针对先进制程芯片的微小热信号检测、国产新材料的热特性研究等场景，提供更贴合实际应用的设备与技术支持，成为本土失效分析领域不可忽视的自主力量。 无损热红外显微镜应用

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