EMMI的本质只是一台光谱范围广，光子灵敏度高的显微镜。

但是为什么EMMI能够应用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成电路在通电后会出现三种情况：1.载流子复合；2.热载流子；3.绝缘层漏电。当这三种情况发生时集成电路上就会产生微弱的荧光，这时EMMI就能捕获这些微弱荧光，这就给了EMMI一个应用的机会而在IC的失效分析中，我们给予失效点一个偏压产生荧光，然后EMMI捕获电流中产生的微弱荧光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要满足其机理在EMMI下都能观测到荧光 我司自主研发的桌面级设备其紧凑的机身设计，可节省实验室空间，适合在小型研发机构或生产线上灵活部署。高分辨率微光显微镜用途

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。IC微光显微镜原理氧化层漏电及多晶硅晶须引发电流异常时，会产生光子，使微光显微镜下出现亮点。

例如，当某批芯片在测试中发现漏电失效时，我们的微光显微镜能定位到具体的失效位置，为后续通过聚焦离子束（FIB）切割进行截面分析、追溯至栅氧层缺陷及氧化工艺异常等环节提供关键前提。可以说，我们的设备是半导体行业失效分析中定位失效点的工具，其的探测能力和高效的分析效率，为后续问题的解决奠定了不可或缺的基础。

在芯片研发阶段，它能帮助研发人员快速锁定设计或工艺中的隐患，避免资源的无效投入；在量产过程中，它能及时发现批量性失效的源头，为生产线调整争取宝贵时间，降低损失；在产品应用端，它能为可靠性问题的排查提供方向，助力企业提升产品质量和市场口碑。无论是先进制程的芯片研发，还是成熟工艺的量产检测，我们的设备都以其独特的技术优势，成为失效分析流程中无法替代的关键一环，为半导体企业的高效运转和技术升级提供有力支撑。

芯片制造工艺复杂精密，从设计到量产的每一个环节都可能潜藏缺陷，而失效分析作为测试流程的重要一环，是拦截不合格产品、追溯问题根源的 “守门人”。微光显微镜凭借其高灵敏度的光子探测技术，能够捕捉到芯片内部因漏电、热失控等故障产生的微弱发光信号，定位微米级甚至纳米级的缺陷。这种检测能力，能帮助企业快速锁定问题所在 —— 无论是设计环节的逻辑漏洞，还是制造过程中的材料杂质、工艺偏差，都能被及时发现。这意味着企业可以针对性地优化生产工艺、改进设计方案，从而提升芯片良率。在当前芯片制造成本居高不下的背景下，良率的提升直接转化为生产成本的降低，让企业在价格竞争中占据更有利的位置。微光显微镜能检测半导体器件微小缺陷和失效点，及时发现隐患，保障设备可靠运行、提升通信质量。

在半导体芯片的精密检测领域，微光显微镜与热红外显微镜如同两把功能各异的 “利剑”，各自凭借独特的技术原理与应用优势，在芯片质量管控与失效分析中发挥着不可替代的作用。二者虽同服务于芯片检测，但在逻辑与适用场景上的差异，使其成为互补而非替代的检测组合。从技术原理来看，两者的 “探测语言” 截然不同。

微光显微镜是 “光子的捕捉者”，其重心在于高灵敏度的光子传感器，能够捕捉芯片内部因电性能异常释放的微弱光信号 —— 这些信号可能来自 PN 结漏电时的电子跃迁，或是栅氧击穿瞬间的能量释放，波长多集中在可见光至近红外范围。

静电放电破坏半导体器件时，微光显微镜侦测其光子可定位故障点，助分析原因程度。IC微光显微镜规格尺寸

但欧姆接触和部分金属互联短路时，产生的光子十分微弱，难以被微光显微镜侦测到，借助近红外光进行检测。。高分辨率微光显微镜用途

EMMI 微光显微镜作为集成电路失效分析的重要设备，其漏电定位功能对于失效分析工程师而言是不可或缺的工具。在集成电路领域，对芯片的可靠性有着极高的要求。在芯片运行过程中，微小漏电现象较为常见，且在特定条件下，这些微弱的漏电可能会被放大，导致芯片乃至整个控制系统的失效。因此，芯片微漏电现象在集成电路失效分析中占据着至关重要的地位。此外，考虑到大多数集成电路的工作电压范围在3.3V至20V之间，工作电流即便是微安或毫安级别的漏电流也足以表明芯片已经出现失效。因此，准确判断漏流位置对于确定芯片失效的根本原因至关重要。 高分辨率微光显微镜用途

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