HybridPACK?DSC是英飞凌全新的创新型解决方案，适用于混合动力及电动汽车的主逆变器。得益于模制模块的双面冷却设计，该产品可提供更高的功率密度。在芯片温度及电流传感器的帮助下，IGBT的驱动效果将更加接近其极限，从而进一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模块具有高度可拓展性，为客户所使用的平台和方法提供支持。HybridPACK?驱动是一款非常紧凑的电源模块，专门针对混合动力汽车及电动汽车的主逆变器应用（xEV）进行了优化，功率范围比较高达150kW。这款电源模块搭载了新一代EDT2IGBT芯片，后者采用汽车级微型沟槽式场截止单元设计。这款芯片组拥有基准电流密度并具有短路耐用表现，阻断电压得以增加，可在苛刻的环境条件下实现可靠的逆变器表现。英飞凌HybridPACK?系列涵盖混合动力车和电动车中IGBT模块所需的完整功率谱。各种产品版本是通过产品组合中的套件创新和芯片开发实现的。IGBT模块采用预涂热界面材料（TIM），能让电力电子应用实现一致性的散热性能。海南常规模块

    图2是引脚的结构示意图；图中标记为：1、铝层；2、绝缘层；3、铜层；4、锡层；5、芯片；6、键合线；7、塑封体；8、引脚；801、***连接部；802、第二连接部；803、第三连接部。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本实用新型的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“***”、“第二”和“第三”并不**结构和/或功能上的***区分关系，也不**先后的执行顺序，而**是为了描述的方便。如图1和图2所示，本实用新型提供了一种igbt模块，包括铝基板、芯片5、塑封体7和引脚8，铝基板设置于塑封体7的内部，芯片5焊接在铝基板上。引脚8包括与铝基板焊接的***连接部801、与***连接部801连接的第二连接部802和与第二连接部802连接且与***连接部801相平行的第三连接部803，***连接部801的长度l为，第二连接部802与第三连接部803之间的夹角α为120°。具体地说，如图1和图2所示，铝基板包括铝层1、设置于铝层1上的绝缘层2和设置于绝缘层2上的铜层3，***连接部801与铜层3焊接，铝层1材质为铝，铜层3材质为铜。推广模块诚信合作二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系。

西门康IGBT正是作为顺应这种要求而开发的，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十KHz频率范围内。基于这些优异的特性，西门康IGBT一直***使用在超过300V电压的应用中，模块化的西门康IGBT可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提高，今后将有更大的发展。

    则降低了故障时器件的损耗，延长了器件抗短路的时间，而且能够降低器件关断时的di/dt，对器件的保护十分有利。若延时后故障信号依然存在，则关断器件，若故障信号消失，则驱动电路恢复到正常工作状态，因而**增强了抗*扰的能力。上述降栅压的方法只考虑了栅压与短路电流大小的关系，而在实际应用中，降栅压的速度也是一个重要因素，它直接决定了故障电流下降的di/dt。慢降栅压技术就是通过限制降栅压的速度来控制故障电流的下降速度，从而抑制器件的di/dt和Uce的峰值。图3给出了慢降栅压的具体电路图。图3正常工作时，因故障检测二极管VD1的导通，将a点的电压钳位在稳压二极管ZV1的击穿电压之下，晶体管VT1始终保持截止状态。V1通过驱动电阻Rg正常开通和关断。电容C2为硬开关应用场合提供一很小的延时，使V1开通时Uce有一定的时间从高电压降到通态压降，而不使保护电路动作。当电路发生过流和短路故障时，V1上的Uce上升，a点电压随之上升，到一定值时，VZ1击穿，VT1开通，b点电压下降，电容C1通过电阻R1充电，电容电压从零开始上升，当电容电压上升至约，晶体管VT2开通，栅极电压Uge随着电容电压的上升而下降，通过调节C1的数值，可控制电容的充电速度。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。

    功率开关器件在工作前半周与后半周导***宽相等，饱和压降相等，前后半周交替通断，变压器磁心中没有剩磁。但是，如果IGBT驱动电路输出脉宽不对称或其他原因，就会产生正负半周不平衡问题，此时，变压器内的磁心会在某半周积累剩磁，出现“单向偏磁”现象，经过几个脉冲，就可以使变压器单向磁通达到饱和，变压器失去作用，等效成短路状态。这对于IGBT来说，极其危险，可能引发。桥式电路的另一缺点是容易产生直通现象。直通现象是指同桥臂的IGBT在前后半周导通区间出现重叠，主电路板路，巨大的加路电流瞬时通过IGBT。针对上述两点不足，从驱动的角度出发、设计的驱动电路必须满足四路驱动的波形完全对称，严格限制比较大工作脉宽，保证死区时间足够，，其驱动与MOSFET驱动相似，是电压控制器件，驱动功率小。但IGBT的栅极与发射极之间、栅极与集电极之间存在着结间电容，在它的射极回路中存在着漏电感，由于这些分布参数的影响，使得IGBT的驱动波形与理想驱动波形产生较大的变化，并产生了不利于IGBT开通和关断的因素。IGBT开关等效电路如图2a所示。E是驱动信号源，R是驱动电路内阴，Rg为栅极串联电阻Cge、Cgc分别为栅极与发射极、集电极之间的寄生电容。电流等级从6 A到3600 A不等。IGBT模块的适用功率小至几百瓦，高至数兆瓦。河南模块商城

二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V。海南常规模块

    但过小会导致di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。因此对串联电阻要根据具体设计要求***综合考虑。栅极驱动电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大时脉冲的前后沿会发生延迟或变缓。IGBT栅极输入电容Cge随着其额定容量的增加而增大。为了保持相同的脉冲前后沿速率，对于电流容量大的IGBT器件，应提供较大的前后沿充电电流。为此，栅极串联的电阻的阻值应随着IGBT电流容量的增大而减小。：⑴光耦驱动电路，光耦驱动电路是现代逆变器和变频器设计时被***采用的一种电路，由于线路简单，可靠性高，开关性能好，被许多逆变器和变频器厂家所采用。由于驱动光耦的型号很多，所以选用的余地也很大。驱动光耦选用较多的主要有东芝的TLP系列，夏普的PC系列，惠普的HCLP系列等；⑵**集成块驱动电路，主要有IR的IR2111，IR2112，IR2113等，三菱的EXB系列，M57959，M57962等。IGBT的驱动电路必须具备两个功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT的栅极隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲，实现电隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器和光电耦合器。：一类是低倍数(～倍)的过载保护；一类是高倍数(8～10)的短路保护。对于过载保护不必快速反应，可采用集中式保护。海南常规模块

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