因此在驱动电路的输出端给栅极加电压保护，并联电阻Rge以及反向串联限幅稳压管，如图4所示。图4栅极保护电路栅极串联电阻Rg对IGBT开通过程影响较大。Rg小有利于加快关断速度，减小关断损耗，但过小会造成di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。根据本设计的具体要求，Rg选取Ω。栅极连线的寄生电感和栅极与射极间的寄生电容耦合，会产生振荡电压，所以栅极引线应采用双绞线传送驱动信号，并尽可能短，比较好不超过m，以减小连线电感。四路驱动电路光耦与PWM两路输出信号的接线如图5所示。图5四路驱动电路光耦与PWM的两路输出信号的接线实验波形如图6所示。图6a是栅极驱动四路输出波形。同时测四路驱动波形时，要在未接通主电路条件下检测。因为使用多踪示波器检测时，只允许一只探头的接地端接参考电位，防止发生短路烧坏示波器。只有检测相互间电路隔离的电路信号时，才可以同时使用接地端选择公共参考电位。图6b是IGBT上集-射极电压Uce波形。由于全桥式逆变电路中IGBT相互间的电路信号是非隔离的，不能用普通探头进行多踪示波，该电压波形是用高压隔离探头测得，示波器读数为实际数值的1/50。由波形可知，lGBT工作正常。在桥式逆变电路中影响Uce波形的。大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率。内蒙古推广模块

    PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的"软穿通"(SPT)或"电场截止"(FS)型技术，这使得"成本-性能"的综合效果得到进一步改善。1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种"反向阻断型"(逆阻型)功能或一种"反向导通型"(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200-1800A/1800-3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，**降低电路接线电感。宁夏模块价格比较开关性能经过优化，可以按串联器件的数量轻松调整软起动器，以适应不同的工作电压。

双向可控硅作用1、双向可控硅在电路中的作用是：用于交流调压或交流电子开关。2、双向可控硅”是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不仅能代替两只反极性并联的可控硅，而且*需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。3、可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。双向可控硅应用现在可控硅应用市场很多，可控硅应用在自动控制领域，机电领域，工业电器及家电等方面都有可控硅的身影。许先生告诉记者，他目前的几个大单中还有用于卷发产品的单，可见可控硅在人们的生活中都有应用。更重要的是，可控硅应用相当稳定，比方说用于家电产品中的电子开关，可以说是鲜少变化的。无论其他的元件怎么变化，可控硅的变化是不大的，这相对来说，等于扩大的可控硅的应用市场，减少了投资的风险。

    根据数据表中标示的IGBT的寄生电容，可以分析dV/dt引起的寄生导通现象。可能的寄生导通现象，是由集电极-栅极和栅极-发射极之间的固有容性分压器引起的（请参见图9）。考虑到集电极-发射极上的较高瞬态电压，这个固有的容性分压器比受限于寄生电感的外接栅极驱动电路快得多。因此，即使栅极驱动器关断了IGBT，即，在零栅极-发射极电压状态下，瞬态集电极-发射极电压也会引起与驱动电压不相等的栅极-发射极电压。忽略栅极驱动电路的影响，可以利用以下等式，计算出栅极-发射极电压：因此，商数Cres/Cies应当尽可能低，以避免dV/dt引起寄生导通现象（商数约为35，请参见图12）。此外，输入电容应当尽可能低，以避免栅极驱动损耗。图12IGBT的寄生电容（摘自数据表）数据表中给出的寄生电容是在恒定的25V集电极-发射极电压条件下的值（请参见图12）。栅极-发射极电容约为该恒定集电极-发射极电压条件下的值（等式（9））。反向传递电容严重依赖于集电极-发射极电压，可以利用等式（10）估算得到（请参见图13）：图13利用等式（9）和（10）计算得到的不同集电极-发射极电压条件下的输入和反向传递电容近似值所以，防止dV/dt引起的寄生导通现象的稳定性。太阳能发电厂和储能系统等；同时适用于工业和汽车级应用。

    栅极驱动电路的阻抗越低，这种效应越弱，此效应一直维持到t3时刻，Uce降到IGBT的饱和电压为止。它的影响同样减缓了IGBT的开通过程。在t3时刻后，Ic达到稳态值，影响栅极电压Uge的因素消失后，Uge以较快的上升率达到**大值。从图1的波形可以看出，由于Le和Cge的存在，在IGBT的实际运行中Uge减缓了许多，这种阻碍驱动电压上升的效应，表现为对集电极电流上升及开通过程的阻碍。为了减缓此效应，应使IGBT模块的Le和Cgc和栅极驱动电路的内阻尽量的小，以获得较快的开通速度。图2IGBT的关断波形如图2所示，t0时刻驱动电压开始下降，在t1时刻达到刚好能够维持集电极正常工作的电流水平，IGBT进入线性工作区。Uce开始上升，此时,栅极集电极间电容Cgc的密勒效应支配着Uge的下降，因Cgc耦合充电作用，Uge在t1到t2期间基本保持不变，在t2时刻Uge和Ic开始以栅极发射极固有阻抗所决定的速度下降，在t3时Uge和Ic均降为零，关断结束。从图2可以看出，由于电容Cgc的存在，使的IGBT的关断过程也延长了许多。为了减小此影响，一方面应该选择Cgc较小的IGBT器件，另一方面应该减小驱动电路的内阻抗，使流入Cgc的充电电流增加，可以加快Uge的下降速度。在实际应用中。在PN结的两端各引出一个引线，并用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，构成了晶体二极管。代理模块平台

二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V。内蒙古推广模块

    图2是引脚的结构示意图；图中标记为：1、铝层；2、绝缘层；3、铜层；4、锡层；5、芯片；6、键合线；7、塑封体；8、引脚；801、***连接部；802、第二连接部；803、第三连接部。具体实施方式下面对照附图，通过对实施例的描述，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本实用新型的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“***”、“第二”和“第三”并不**结构和/或功能上的***区分关系，也不**先后的执行顺序，而**是为了描述的方便。如图1和图2所示，本实用新型提供了一种igbt模块，包括铝基板、芯片5、塑封体7和引脚8，铝基板设置于塑封体7的内部，芯片5焊接在铝基板上。引脚8包括与铝基板焊接的***连接部801、与***连接部801连接的第二连接部802和与第二连接部802连接且与***连接部801相平行的第三连接部803，***连接部801的长度l为，第二连接部802与第三连接部803之间的夹角α为120°。具体地说，如图1和图2所示，铝基板包括铝层1、设置于铝层1上的绝缘层2和设置于绝缘层2上的铜层3，***连接部801与铜层3焊接，铝层1材质为铝，铜层3材质为铜。内蒙古推广模块

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