o2085/1994,alaentradaenvigordelaInstrucciónTécnicaComplementariaMI-IP04quedaránderogadastotaloparcialmente,lasdisposicionesdeigualoinferiorrangoalpresenteRealDecretoenloqueseoponganalmismo,yexpresamentelassiguientes:(?GacetadeMadrid?de28deenerode1936)queapruebaelReglamentoaquesehandesometerlasinstalacionesdelaindustriapetrolíísticasdelosdepósitosdeproductospetrolíferosfijadosporDecretode25deenerode1936,ensuapartado?Aparatossurtidores?.úmeroquintosobreaparatossurtidoresdelReglamentoaquehandesometerselasinstalacionesdelaindustriapetrolífera,óleosdeautomocióónfinalúáenvigoralosseismesesdesupublicaciónenel?BoletínOficialdelEstado?.ía。优先苏州博洋化学股份有限公司。湖北一种BOE蚀刻液供应商

    所述的磷酸浓度为82-87％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，醇醚类的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，表面活性剂的含量为％。进一步地，本发明涉及上述蚀刻液，所述的醇醚类为选自二乙二醇单甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇乙醚、三丙二醇单甲醚、三甘醇单丁醚等中的至少一种；表面活性剂为选自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10、聚乙二醇硬脂酸酯egms、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、月桂酰氨乙基硫酸钠、醇醚羧酸盐等中的至少一种。进一步地，在使用本发明的蚀刻液进行氮化硅层蚀刻时，蚀刻温度为152-165℃，蚀刻时间为5-60min。通过在磷酸中添加醇醚类和表面活性剂，改善了磷酸的浸润性和表面张力，明显提高了蚀刻液对氮化硅层的润湿和蚀刻均匀性。为了便于验证氮化硅薄膜层的蚀刻均匀性，本发明使用淀积了氮化硅薄膜的晶圆样片(初始厚度约为)。蚀刻液配制完成后，先使用表面张力仪检测该蚀刻液的表面张力；然后将氮化硅晶圆片切割成1cm*3cm的小样片，采用超纯水清洗和氮气吹干后，使用接触角测量仪检测蚀刻液对氮化硅层的接触角大小。在蚀刻前，使用椭圆偏振光谱仪对氮化硅样片取不同位置共6个点进行厚度的测量。山东一种BOE蚀刻液价格苏州博洋化学股份有限公司，BOE蚀刻液。

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    添加剂为二乙二醇单甲醚、三乙二醇乙醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，添加量分别为％、％、％。实施例6本发明的实施例按蚀刻液总质量为400g进行配制，先称取浓度为85％的磷酸，然后称取添加剂加入磷酸中，该实施例中所含成分及各成分称取的质量显示于表1。添加剂为丙二醇丁醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、月桂酰氨乙基硫酸钠，添加量分别为总质量的％、％、％。对照例对照例中所含成分显示于表1，并采用与实施例相同的方法进行处理。对照例1为纯磷酸，总质量为400g。对照例2为磷酸、丙二醇丁醚，其中丙二醇丁醚的添加量为总质量的％。对照例3为磷酸、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，其中脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p的添加量为总质量的％。结果如表2所示，与对照例蚀刻液相比，实施例蚀刻液有更低的表面张力和接触角，并且氮化硅层蚀刻后显示出良好的均匀性。表1表2显然，上述实施例和对照例是为了清楚地说明所作的实例，而并非对实施方式的限制。对于所属领域的技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而因此所引申的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之内。BOE蚀刻液适用于什么半导体什么制程；

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