分子玻璃是一种具有较高玻璃化转变温度的单分散小分子有机化合物,其结构为非共面和不规则,能够避免结晶,与产酸剂具有优良的相容性。以分子玻璃为成膜树脂制备的光刻胶能够获得较高的分辨率和较低粗糙度的图形。金属氧化物光刻胶使用金属离子及有机配体构建其主体结构,有机配体中包含光敏基团,借助光敏基团的感光性及其引发的后续反应实现光刻胶所需的性能。从化学组成来看,金属氧化物光刻胶主要为稀土和过渡金属有机化合物。彩色光刻胶及黑色光刻胶市场也呈现日韩企业主导的格局,国内企业有雅克科技、飞凯材料、彤程新材等。昆山KrF光刻胶印刷电路板
灵敏度即光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的较小能量值(或较小曝光量)。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要 。负胶通常需5~15 s时间曝光,正胶较慢,其曝光时间为负胶的3~4倍 。灵敏度反映了光刻胶材料对某种波长的光的反应程度。不同的光刻胶对于不同的波长的光是有选择性的。比如248 nm波长光刻胶的成膜树脂中存在苯环结构,对193 nm波长的光具有很强的吸收作用,即对193 nm波长的光是不透明的,因此193 nm光刻胶必须改变树脂主体。同时,高的产出要求短的曝光时间,对光刻胶的灵敏度要求也越来越高。通常以曝光剂量作为衡量光刻胶灵敏度的指标,曝光剂量值越小,光刻胶的灵敏度越高。i线光刻胶材料曝光剂量在数百mJ/cm2左右,而KrF和ArF的光刻胶材料,其曝光剂量则在30和20 mJ/cm2左右 。灵敏度可以体现于光刻胶的对比度曲线上。上海化学放大型光刻胶溶剂光刻胶又称光致抗蚀剂,是一种对光敏感的混合液体。
伴随全球半导体产业东移,加上我国持续增长的下游需求和政策支持力度。同时,国内晶圆厂进入投产高峰期,由于半导体光刻胶与下游晶圆厂具有伴生性特点,国内光刻胶厂商将直接受益于晶圆厂制造产能的大幅扩张。当前我国光刻胶与全球先进水平有近40年的差距,半导体国产化的大趋势下,国内企业有望逐步突破与国内集成电路制造工艺相匹配的光刻胶,所以必须要对光刻胶足够的重视,不断向日本和欧美等发达国家学习,努力开发出性能优异的国产光刻胶,使我国在未来的市场中占据一席之地。
光刻胶的技术壁垒包括配方技术,质量控制技术和原材料技术。配方技术是光刻胶实现功能的要点,质量控制技术能够保证光刻胶性能的稳定性而较好的原材料则是光刻胶性能的基础。配方技术:由于光刻胶的下游用户是IC芯片和FPD面板制造商,不同的客户会有不同的应用需求,同一个客户也有不同的光刻应用需求。一般一块半导体芯片在制造过程中需要进行10-50道光刻过程,由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等,不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样,即使类似的光刻过程,不同的厂商也会有不同的要求。针对以上不同的应用需求,光刻胶的品种非常多,这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此,通过调整光刻胶的配方,满足差异化的应用需求,是光刻胶制造商重要的技术。光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。
此外,光刻胶也可以用于液晶平板显示等较大面积电子产品的制作。90年代后半期,遵从摩尔定律的指引,半导体制程工艺尺寸开始缩小到0.35um(350nm)以下,因而开始要求更高分辨率的光刻技术。深紫外光由于波长更短,衍射作用小,所以可以用于更高分辨率的光刻光源。随着 KrF、ArF等稀有气体卤化物准分子激发态激光光源研究的发展,248nm(KrF)、193nnm(ArF)的光刻光源技术开始成熟并投入实际使用。然而,由于 DQN 体系光刻胶对深紫外光波段的强烈吸收效应,KrF和ArF作为光刻气体产生的射光无法穿透DQN光刻胶,这意味着光刻分辨率会受到严重影响。因此深紫外光刻胶采取了与i-line和g-line光刻胶完全不同的技术体系,这种技术体系被称为化学放大光阻体系(Chemically Amplified Resist, CAR)。光刻胶行业长年被日本和美国专业公司垄断。浦东湿膜光刻胶
高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业,全球供应市场高度集中。昆山KrF光刻胶印刷电路板
光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料,为推动光刻胶等半导体材料行业的发展,近年来,我国发布了多项利好政策支持光刻胶产业发展,同时国内企业也积极研发产品,主动寻求光刻胶及其他材料国产化。现阶段,我国光刻胶企业有晶瑞电材、彤程新材、华懋科技、南大光电等,在国产替代大契机下,国内光刻胶企业将迎来发展良机。国内产业链下游企业逐渐意识到材料国产化的重要性,国内厂商也在积极研发产品、加速客户和产品导入、扩建相关产能,在探索中砥砺前行,从而抓住国产化的契机。目前已有少数企业已开始崭露头角,实现从0到1的突破。昆山KrF光刻胶印刷电路板
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