高铁牵引变压器用绝缘加工件，需在高频交变磁场中保持低损耗，采用纳米晶合金与绝缘薄膜复合结构。通过真空蒸镀工艺在 0.02mm 厚纳米晶带材表面沉积 1μm 厚聚酰亚胺薄膜，层间粘结强度≥15N/cm，磁导率波动≤3%。加工时运用精密冲裁技术制作阶梯式叠片结构，叠片间隙控制在 5μm 以内，配合真空浸漆工艺（粘度 20s/25℃）填充气隙，使整体损耗在 10kHz、1.5T 工况下≤0.5W/kg。成品在 - 40℃~125℃温度范围内，磁致伸缩系数≤10×10??，且局部放电量≤0.5pC，满足高铁牵引系统高可靠性、低噪音的运行要求。该注塑件的流道系统采用热流道设计，减少材料浪费，提高生产效率。杭州RoHS环保加工件定做

半导体封装用注塑加工件，需达到 Class 10 级洁净标准，选用环烯烃共聚物（COC）与气相二氧化硅复合注塑。将 5% 疏水型二氧化硅（比表面积 300m2/g）混入 COC 粒子，通过真空干燥（温度 80℃，时间 24h）去除水分，再经热流道注塑（模具温度 120℃，注射压力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 个 /ft2 的封装载体。加工时采用激光微雕技术，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的导电路径槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金属化过程中产生毛刺。成品在 150℃真空环境中放气率≤1×10??Pa?m3/s，且通过 1000 次热循环（-40℃~125℃）测试，翘曲量≤50μm，满足高级芯片封装的高精度与低污染要求。低成本注塑加工件生产注塑加工件的定位柱高度公差 ±0.1mm，确保多部件装配同轴度。

半导体刻蚀腔体注塑加工件采用全氟烷氧基树脂（PFA）与二硫化钼纳米管复合注塑，添加 3% 二硫化钼纳米管（直径 20nm，长度 1μm）通过超临界流体混合（CO?压力 10MPa，温度 80℃）均匀分散，使材料表面摩擦系数降至 0.08，抗等离子体刻蚀速率≤0.05μm/h。加工时运用精密挤出成型（温度 380℃，口模温度 360℃），在 0.5mm 薄壁部件上成型精度 ±5μm 的气流槽，槽面经电子束抛光后粗糙度 Ra≤0.02μm，减少刻蚀产物沉积。成品在 CF?/O?等离子体环境（功率 1000W，气压 10Pa）中使用 1000 小时后，表面腐蚀量≤0.1μm，且颗粒脱落量≤0.01 个 / 片，满足高级半导体刻蚀设备的高纯度与长寿命需求。

半导体制造设备中的绝缘加工件，需达到 Class 100 级洁净标准，通常选用聚醚醚酮（PEEK）材料。采用激光切割工艺进行加工，切口热影响区≤50μm，避免传统机械加工产生的微尘污染，切割后表面经超纯水超声清洗（电阻率≥18MΩ?cm），粒子残留量≤0.1 个 /ft2。制成的晶圆载具绝缘件，在 150℃真空环境中放气率≤1×10??Pa?m3/s，且摩擦系数≤0.15，防止晶圆传输过程中产生静电吸附，同时通过 1000 次插拔循环测试，接触电阻波动≤5mΩ，确保半导体生产的高可靠性。?注塑加工件的筋位设计增强结构强度，可承受 20kg 以上的垂直压力。

5G 基站天线的注塑加工件，需实现低介电损耗与高精度成型，采用液态硅胶（LSR）与玻璃纤维微珠复合注塑。在 LSR 原料中添加 20% 空心玻璃微珠（粒径 10μm），通过精密计量泵（计量精度 ±0.1g）注入热流道模具（温度 120℃），成型后介电常数稳定在 2.8±0.1，介质损耗 tanδ≤0.002（10GHz）。加工时运用多组分注塑技术，同步成型天线罩与金属嵌件，嵌件定位公差≤0.03mm，配合后电磁波透过率≥95%。成品在 - 40℃~85℃环境中经 1000 次热循环测试，尺寸变化率≤0.1%，且耐盐雾腐蚀（5% NaCl 溶液，1000h）后表面无粉化，满足户外基站的长期稳定运行需求。这款注塑件通过模温控制技术，内部应力分布均匀，减少开裂风险。绝缘加工件定制加工

这款注塑件的螺纹嵌件采用模内注塑工艺，结合强度高于后装配方式。杭州RoHS环保加工件定做

航空航天轻量化注塑加工件，采用碳纤维增强聚酰亚胺（CFRPI）经高压 RTM 工艺成型。将 T700 碳纤维（体积分数 55%）预成型体放入模具，注入热固性聚酰亚胺树脂（粘度 500cP），在 200℃、10MPa 压力下固化 4 小时，制得密度 1.6g/cm3、弯曲强度 1200MPa 的结构件。加工时运用五轴数控铣削（转速 40000rpm，进给量 500mm/min），在 0.5mm 薄壁上加工出精度 ±0.01mm 的定位孔，边缘经等离子体去毛刺处理。成品在 - 196℃~260℃温度范围内，热膨胀系数≤1×10??/℃，且通过 1000 次高低温循环后，层间剪切强度保留率≥90%，满足航天器结构部件的轻量化与耐极端环境需求。杭州RoHS环保加工件定做