核聚变托克马克装置的偏滤器绝缘件，需承受兆瓦级热负荷与等离子体冲刷，采用硼化钛（TiB?）陶瓷经热等静压烧结。在 1800℃、200MPa 氩气氛围中烧结 6 小时，致密度达 99.5% 以上，抗热震性（ΔT=1000℃）循环次数≥50 次。加工时使用电火花磨削技术，在 10mm 厚板材上制作 0.5mm 深的冷却沟槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.8μm，配合微通道钎焊工艺（钎焊温度 950℃）嵌入铜冷却管，热导率达 200W/(m?K)。成品在 10MW/m2 热流密度下，表面温度≤800℃，且体积电阻率≥10?Ω?cm，同时通过 10?次等离子体脉冲轰击测试（能量 100eV），腐蚀速率≤0.1μm / 次，为核聚变堆的边界等离子体控制提供关键绝缘部件。绝缘加工件的槽道设计合理，便于导线穿插，提高设备组装效率。精密加工件生产

在高频电子设备中，绝缘加工件的介电性能至关重要，聚四氟乙烯（PTFE）加工件凭借≤2.1 的介电常数和≤0.0002 的介质损耗，成为微波器件的较好选择材料。加工时需采用冷压烧结工艺，将粉末在 30MPa 压力下预成型，再经 380℃高温烧结成整体，避免传统注塑工艺产生的内应力。制成的绝缘子在 10GHz 频率下，信号传输损耗≤0.1dB/cm，且具有 - 190℃至 260℃的宽温适应性，即便在极寒的卫星通讯设备或高温的雷达发射机中，也能保证电磁波的无失真传输。?杭州医疗器械精密加工件批发注塑加工件的加强肋分布均匀，有效提升抗弯曲变形能力。

核工业乏燃料处理的绝缘加工件，需耐受强辐射与核废料腐蚀，选用玄武岩纤维增强镁橄榄石陶瓷。通过热压烧结工艺（温度 1200℃，压力 30MPa）制备，使材料耐辐射剂量达 102?n/cm2，在硝酸（浓度 8mol/L）中浸泡 30 天后，质量损失率≤1%。加工时采用超声振动切削技术，在 10mm 厚板材上加工 0.3mm 宽的微流道，表面粗糙度 Ra≤1.6μm，避免放射性废液残留。成品在乏燃料后处理池中，可承受 100℃高温与 0.1MPa 流体压力，体积电阻率维持在 1011Ω?cm 以上，同时通过 10 年长期辐照测试，力学性能保留率≥85%，为核废料分离设备提供安全绝缘保障。

半导体封装用注塑加工件，需达到 Class 10 级洁净标准，选用环烯烃共聚物（COC）与气相二氧化硅复合注塑。将 5% 疏水型二氧化硅（比表面积 300m2/g）混入 COC 粒子，通过真空干燥（温度 80℃，时间 24h）去除水分，再经热流道注塑（模具温度 120℃，注射压力 150MPa）成型，制得粒子析出量≤0.1 个 /ft2 的封装载体。加工时采用激光微雕技术，在 0.2mm 厚薄膜上雕刻出精度 ±2μm 的导电路径槽，槽壁粗糙度 Ra≤0.1μm，避免金属化过程中产生毛刺。成品在 150℃真空环境中放气率≤1×10??Pa?m3/s，且通过 1000 次热循环（-40℃~125℃）测试，翘曲量≤50μm，满足高级芯片封装的高精度与低污染要求。注塑加工件的凹槽设计便于线缆理线，提升电子产品内部整洁度。

半导体晶圆传输注塑加工件采用静电耗散型 POM（聚甲醛）与碳纳米管复合注塑。添加 5% 碳纳米管（直径 10nm）通过双螺杆挤出（温度 200℃，转速 300rpm）实现均匀分散，使表面电阻稳定在 10?-10?Ω，摩擦起电量≤0.1μC。加工时运用微注塑技术，在 1mm 厚载具上成型精度 ±3μm 的 V 型槽，槽面经等离子体刻蚀（功率 150W，时间 60s）后粗糙度 Ra≤0.05μm，避免晶圆划伤。成品在 Class 10 洁净室环境中，粒子脱落量≤0.05 个 / 小时，且通过 1000 次晶圆传输循环测试，接触电阻波动≤3mΩ，满足 12 英寸晶圆的高精度、低静电传输要求。耐温注塑件选用 PPS 材料，可在 220℃高温环境中持续工作。精密加工件生产

绝缘加工件可根据客户图纸定制，满足不同规格的电气绝缘需求。精密加工件生产

石油勘探井下的绝缘加工件，需抵抗超高压与强酸碱腐蚀，选用聚醚砜（PES）与碳化钨颗粒复合注塑成型。在原料中添加 30% 碳化钨（粒径 5μm），通过双螺杆挤出机（温度 360℃，转速 300rpm）实现均匀分散，制得抗压强度≥200MPa 的绝缘件。加工时采用高压注塑工艺（注射压力 180MPa），使制品孔隙率≤0.05%，配合电火花加工制作深径比 10:1 的密封槽，槽底圆角半径≤0.1mm。成品在 150℃、150MPa 井下压力环境中，耐 20% 盐酸溶液腐蚀 1000 小时后，质量损失率≤0.5%，且绝缘电阻≥1012Ω，确保随钻测井仪器在复杂工况下的信号传输稳定。精密加工件生产