厚板光刻胶
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电路板制造:在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时,厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性,比如汽车电子、工业控制等领域的电路板,能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
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功率器件制造:像绝缘栅双极晶体管(IGBT)这类功率器件,需要承受高电压和大电流,厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节,保障芯片内部电路的精细布局,提高器件的性能和可靠性。
负性光刻胶
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半导体制造:在芯片制造过程中,用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构,如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺,能实现精确的图形转移,确保芯片各部分之间的电气连接正常。
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平板显示制造:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)的制造中,用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例,负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案,控制液晶分子的排列,从而实现图像显示。
光刻胶的感光灵敏度受波长影响,深紫外光(DUV)与极紫外光(EUV)对应不同产品。辽宁紫外光刻胶厂家
正性光刻胶
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半导体分立器件制造:对于二极管、三极管等半导体分立器件,正性光刻胶可实现精细的图形化加工,满足不同功能需求。比如在制作高精度的小尺寸分立器件时,正性光刻胶凭借其高分辨率和良好对比度,能精确刻画器件的结构,提高器件性能。
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微机电系统(MEMS)制造:MEMS 器件如加速度计、陀螺仪等,结构复杂且尺寸微小。正性光刻胶用于 MEMS 制造过程中的光刻步骤,可在硅片等材料上制作出高精度的微结构,确保 MEMS 器件的功能实现。
深圳PCB光刻胶感光胶紫外光照射下,光刻胶会发生光化学反应,从而实现图案的转移与固定。
研发投入
? 拥有自己实验室和研发团队,研发费用占比超15%,聚焦EUV光刻胶前驱体、低缺陷纳米压印胶等前沿领域,与中山大学、华南理工大学建立产学研合作。
? 专项布局:累计申请光刻胶相关的项目30余项,涵盖树脂合成、配方优化、涂布工艺等细致环节。
生产体系
? 全自动化产线:采用德国曼茨(Manz)涂布设备、日本岛津(Shimadzu)检测仪器,年产能超500吨(光刻胶),支持小批量定制(小订单100g)和大规模量产。
? 洁净环境:生产车间达万级洁净标准(ISO 8级),避免颗粒污染,确保光刻胶缺陷密度<5个/cm2。
? 化学反应:
? 正性胶:曝光后光敏剂(如重氮醌DQN)分解,生成羧酸,在碱性显影液中溶解;
? 负性胶:曝光后光敏剂引发交联剂与树脂形成不溶性网状结构。
5. 显影(Development)
? 显影液:
? 正性胶:碱性水溶液(如0.26N四甲基氢氧化铵TMAH),溶解曝光区域;
? 负性胶:有机溶剂(如二甲苯、醋酸丁酯),溶解未曝光区域。
? 方法:喷淋显影(PCB)或沉浸式显影(半导体),时间30秒-2分钟,需控制显影液浓度和温度。
6. 后烘(Post-Bake)
? 目的:固化胶膜,提升耐蚀刻性和热稳定性。
? 条件:
? 温度:100-150℃(半导体用正性胶可能更高,如180℃);
? 时间:15-60分钟(厚胶或高耐蚀需求时延长)。
7. 蚀刻/离子注入(后续工艺)
? 蚀刻:以胶膜为掩膜,通过湿法(酸碱溶液)或干法(等离子体)刻蚀基板材料(如硅、金属、玻璃);
? 离子注入:胶膜保护未曝光区域,使杂质离子只能注入曝光区域(半导体掺杂工艺)。
8. 去胶(Strip)
? 方法:
? 湿法去胶:强氧化剂(如硫酸+双氧水)或有机溶剂(如N-甲基吡咯烷酮NMP);
? 干法去胶:氧等离子体灰化(半导体领域,无残留)。
吉田半导体助力区域经济发展,推动产业链协同创新。
关键工艺流程
涂布与前烘:
? 旋涂或喷涂负性胶,厚度可达1-100μm(远厚于正性胶),前烘温度60-90℃,去除溶剂并增强附着力。
曝光:
? 光源以**汞灯G线(436nm)**为主,适用于≥1μm线宽,曝光能量较高(约200-500mJ/cm2),需注意掩膜版与胶膜的贴合精度。
显影:
? 使用有机溶剂显影液(如二甲苯、醋酸丁酯),未曝光的未交联胶膜溶解,曝光的交联胶膜保留。
后处理:
? 后烘(Post-Bake):加热(100-150℃)进一步固化交联结构,提升耐干法蚀刻或湿法腐蚀的能力。
PCB光刻胶用于线路板图形转移,需耐受蚀刻液的化学腐蚀作用。湖南阻焊油墨光刻胶生产厂家
松山湖半导体材料厂家吉田,全系列产品支持小批量试产!辽宁紫外光刻胶厂家
作为中国半导体材料领域的企业,吉田半导体材料有限公司始终以自研自产为战略,通过 23 年技术沉淀与持续创新,成功突破多项 “卡脖子” 技术,构建起从原材料到成品的全链条国产化能力。其自主研发的光刻胶产品已覆盖芯片制造、显示面板、精密电子等领域,为国内半导体产业链自主化提供关键支撑。
吉田半导体依托自主研发中心与产学研合作,在光刻胶领域实现多项技术突破:
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YK-300 正性光刻胶:分辨率达 0.35μm,线宽粗糙度(LWR)≤3nm,适用于 45nm 及以上制程,良率达 98% 以上,成本较进口产品降低 40%,已通过中芯国际量产验证。
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SU-3 负性光刻胶:支持 3μm 厚膜加工,抗深蚀刻速率 > 500nm/min,成功应用于高通 5G 基带芯片封装,良率提升至 98.5%。
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JT-2000 纳米压印光刻胶:突破 250℃耐高温极限,图形保真度 > 95%,性能对标德国 MicroResist 系列,已应用于国产 EUV 光刻机前道工艺。
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