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山西正性光刻胶工厂

来源: 发布时间:2025-05-31

应用场景

 半导体集成电路(IC)制造:

? 逻辑芯片(CPU/GPU):在28nm以下制程中,正性DUV/EUV胶用于晶体管、互连布线的精细图案化(如10nm节点线宽只有100nm)。

? 存储芯片(DRAM/NAND):3D堆叠结构中,正性胶用于层间接触孔(Contact)和栅极(Gate)的高深宽比图形(深宽比>10:1)。

 平板显示(LCD/OLED):

? 彩色滤光片(CF):制作黑矩阵(BM)和彩色层(R/G/B),要求高透光率和边缘锐利度(线宽5-10μm)。

? OLED电极:在柔性基板上形成微米级透明电极,需低应力胶膜防止基板弯曲变形。

 印刷电路板(PCB):

? 高密度互连(HDI):用于细线路(线宽/线距≤50μm),如智能手机主板,相比负性胶,正性胶可实现更精细的线路边缘。

 微纳加工与科研:

? MEMS传感器:制作微米级悬臂梁、齿轮等结构,需耐干法蚀刻的正性胶(如含硅树脂胶)。

? 纳米光刻:电子束光刻胶(正性为主)用于研发级纳米图案(分辨率<10nm)。
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产品优势:多元化布局与专业化延伸

 全品类覆盖
吉田产品涵盖芯片光刻胶、纳米压印光刻胶、LCD光刻胶、半导体锡膏等,形成“光刻胶+配套材料”的完整产品线。例如:

? 芯片光刻胶:覆盖i线、g线光刻胶,适用于6英寸、8英寸晶圆制造。

? 纳米压印光刻胶:用于MEMS、光学器件等领域,替代传统光刻工艺。

 专业化延伸
公司布局半导体用KrF光刻胶,计划2025年启动研发,目标进入中芯国际、长江存储等晶圆厂供应链。

质量与生产优势:严格品控与自动化生产

 ISO认证与全流程管控
公司通过ISO9001:2008质量体系认证,生产环境执行8S管理,原材料采用美、德、日进口高质量材料,确保产品批次稳定性。
质量指标:光刻胶金属离子含量低于0.1ppb,良率超99%。

 自动化生产能力
拥有行业前列的全自动化生产线,年产能达2000吨(光刻胶及配套材料),支持大规模订单交付。

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  1. 产品特点:耐溶剂型优良,抗潮耐水性好,耐印率高;固含量高,流平性好,涂布性能优良;经特殊乳化聚合技术处理,网版平滑、无白点、无沙眼、亮度高;剥膜性好,网版可再生使用;解像性、高架桥性好,易做精细网点和线条;感光度高,曝光时间短,曝光宽容度大,节省网版作业时间,提高工作效率 。
  2. 应用范围:适用于塑料、皮革、标牌、印刷电路板(PCB)、广告宣传、玻璃、陶瓷、纺织品等产品的印刷。例如在塑料表面形成牢固图案,满足皮革制品精细印刷需求,制作各类标牌保证图案清晰,用于 PCB 制造满足高精度要求等。

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。

LCD 正性光刻胶 YK - 200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力的特点,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,能确保 LCD 生产过程中图形的精确转移和良好的涂布效果。

半导体正性光刻胶 YK - 300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。

耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100:重量 1L,具有耐腐蚀的特性,适用于在有腐蚀风险的光刻工艺中,比如一些特殊环境下的半导体加工或电路板制造。 光刻胶技术突破加速,对芯片制造行业有哪些影响?

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国家大基金三期:注册资本3440亿元,明确将光刻胶列为重点投资领域,计划投入超500亿元支持树脂、光引发剂等原料研发,相当于前两期投入总和的3倍。

地方专项政策:湖北省对通过验证的光刻胶企业给予设备采购补贴+税收减免,武汉太紫微凭借全流程国产化技术获中芯国际百万级订单;福建省提出2030年化工新材料自给率达90%,光刻胶是重点突破方向。

研发专项:科技部“双十计划”设立20亿元经费,要求2025年KrF/ArF光刻胶国产化率突破10%,并启动EUV光刻胶预研。
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吉田半导体:以技术革新驱动光刻胶产业升级。山西正性光刻胶工厂

广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。

UV 纳米压印光刻胶:JT-2000 型号,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g。适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如半导体器件制造。

其他光刻胶

  • 水油光刻胶 JT-2001:属于水油两用光刻胶,具有工厂研发、可定制、使用、品质保障、性能稳定的特点,重量 1L。
  • 水油光刻胶 SR-3308:同样为水油两用光刻胶,重量 5L,具备上述通用优势,应用场景。


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标签: 光刻胶 锡片
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