吉田半导体突破光刻胶共性难题,提升行业生产效率,通过优化材料配方与工艺,吉田半导体解决光刻胶留膜率低、蚀刻损伤等共性问题,助力客户降本增效。
针对传统光刻胶留膜率低、蚀刻损伤严重等问题,吉田半导体研发的 T150A KrF 光刻胶留膜率较同类产品高 8%,密集图形侧壁垂直度达标率提升 15%。其纳米压印光刻胶采用特殊交联技术,在显影过程中减少有机溶剂对有机半导体的损伤,使芯片良率提升至 99.8%。这些技术突破有效降低客户生产成本,推动行业生产效率提升。松山湖光刻胶厂家吉田,2000 万级产能,48 小时极速交付!山西光刻胶耗材
感光机制
? 重氮型(双液型):需混合光敏剂(如二叠氮二苯乙烯二磺酸钠),曝光后通过交联反应固化,适用于精细图案(如PCB电路线宽≤0.15mm)。
? SBQ型(单液型):预混光敏剂,无需调配,感光度高(曝光时间缩短30%),适合快速制版(如服装印花)。
? 环保型:采用无铬配方(如CN10243143A),通过多元固化体系(热固化+光固化)实现12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率达2μm,符合欧盟REACH标准。
功能细分
? 耐溶剂型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶剂,适用于电子油墨印刷。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性强,适合纺织品水性浆料。
? 厚版型:如德国K?ppen厚版胶,单次涂布可达50μm,用于立体印刷。
典型应用场景:
? PCB制造:使用360目尼龙网+重氮感光胶,配合LED曝光(405nm波长),实现0.15mm线宽,耐酸性蚀刻液。
? 纺织印花:圆网制版采用9806A型感光胶,涂布厚度20μm,耐碱性染料色浆,耐印率超10万次。
? 包装印刷:柔版制版选用杜邦赛丽® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+无溶剂工艺,碳排放降低40%。
山西光刻胶耗材吉田技术自主化与技术领域突破!
纳米电子器件制造
? 半导体芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻胶(分辨率≤10nm)用于制备晶体管栅极、纳米导线等关键结构,实现芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶体管)。
? 二维材料器件:在石墨烯、二硫化钼等二维材料表面,通过电子束光刻胶定义纳米电极阵列,构建单原子层晶体管或传感器。
纳米光子学与超材料
? 光子晶体与波导:利用光刻胶制备亚波长周期结构(如光子晶体光纤、纳米级波导弯头),调控光的传播路径,用于集成光路或量子光学器件。
? 超材料设计:在金属/介质基底上刻蚀纳米级“鱼网状”“蝴蝶结”等图案(如太赫兹超材料),实现对电磁波的超常调控(吸收、偏振转换)。
企业定位与资质
? 成立背景:深耕半导体材料行业23年,位于松山湖经济技术开发区,注册资本2000万元,是国家高新技术企业、广东省专精特新企业及广东省创新型中小企业。
? 质量体系:通过ISO9001:2008认证,严格执行8S现场管理,原材料源自美国、德国、日本等国,确保产品稳定性。
? 市场布局:产品远销全球,与世界500强企业及多家电子加工企业建立长期合作关系,覆盖集成电路、显示面板、先进封装等领域。
吉田半导体全流程解决方案,赋能客户提升生产效率。
企业优势
? 研发能力:拥有多项专利证书,自主研发芯片光刻胶、纳米压印光刻胶等产品,配备全自动化生产设备,具备从材料合成到成品制造的全流程能力。
? 产能与品控:采用进口原材料和严格制程管控,确保金属杂质含量低于行业标准(如半导体光刻胶金属杂质<5ppb),良率达99%以上。
吉田半导体突破 ArF 光刻胶技术壁垒,国产替代再迎新进展
自主研发 ArF 光刻胶通过中芯国际验证,吉田半导体填补国内光刻胶空白。
吉田半导体成功研发出 AT-450 ArF 光刻胶,分辨率达 90nm,适用于 14nm 及以上制程,已通过中芯国际量产验证。该产品采用国产原材料与自主配方,突破日本企业对 ArF 光刻胶的垄断。其光酸产率提升 30%,蚀刻选择比达 4:1,性能对标日本信越的 ArF 系列。吉田半导体的技术突破加速了国产芯片制造材料自主化进程,为国内晶圆厂提供高性价比解决方案。
吉田质量管控与认证壁垒。内蒙古纳米压印光刻胶国产厂商
吉田半导体:以技术革新驱动光刻胶产业升级。山西光刻胶耗材
吉田半导体柯图泰全系列感光胶:进口品牌品质,本地化服务支持
柯图泰全系列感光胶依托进口技术,提供高性价比的丝网印刷解决方案。
吉田半导体代理的柯图泰全系列感光胶(如 PLUS 6000、Autosol 2000),源自美国先进配方,分辨率达 120 线 / 英寸,适用于玻璃、陶瓷等多种基材。产品通过 SGS 认证,符合电子行业有害物质限制要求,其高感光度与耐摩擦性,确保丝网印刷的清晰度与耐久性。公司提供技术参数匹配、制版工艺指导等本地化服务,帮助客户优化生产流程,降低材料损耗。
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