广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,主要涵盖厚板、负性、正性、纳米压印及光刻胶等类别,以满足不同领域的需求。
厚板光刻胶:JT-3001 型号,具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年。适用于对精度和抗蚀刻要求高的厚板光刻工艺,如特定电路板制造。
负性光刻胶
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SU-3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g。常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
正性光刻胶
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LCD 正性光刻胶 YK-200:具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g。适用于液晶显示领域的光刻工艺,确保 LCD 生产中图形精确转移和良好涂布效果。
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半导体正性光刻胶 YK-300:具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g。主要用于半导体制造工艺,满足半导体器件对光刻胶在化学稳定性和电气性能方面的要求。
关键工艺流程
涂布:
? 在晶圆/基板表面旋涂光刻胶,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度调整),需均匀无气泡(旋涂转速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加热(80-120℃)去除溶剂,固化胶膜,增强附着力(避免显影时边缘剥离)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I线胶:汞灯(适用于≥1μm线宽,如PCB、LCD)。
? DUV胶(248nm/193nm):KrF/ArF准分子激光(用于28nm-14nm制程,如存储芯片)。
? EUV胶(13.5nm):极紫外光源(用于7nm以下制程,需控制纳米级缺陷)。
? 曝光能量:需精确控制(如ArF胶约50mJ/cm2),避免过曝或欠曝导致图案失真。
显影:
? 采用碱性溶液(如0.262N四甲基氢氧化铵,TMAH),曝光区域胶膜溶解,未曝光区域保留,形成三维立体图案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化学增幅型胶需此步骤,通过加热(90-130℃)激发光酸催化反应,提高分辨率和耐蚀刻性。
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广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
厚板光刻胶 JT - 3001:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年,适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景,如一些特殊的电路板制造。
SU - 3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应。重量为 100g,常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000:有 1L 和 100g 两种规格,具有优异的分辨率,准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造,能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶:耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高。重量 100g,适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如一些半导体器件的制造。
对比国际巨头的差异化竞争力
维度 吉田光刻胶 国际巨头(如JSR、东京应化)
技术定位 聚焦细分市场(如纳米压印、LCD) 主导高级半导体光刻胶(ArF、EUV)
成本优势 原材料自主化率超80%,成本低20% 依赖进口原材料,成本高
客户响应 48小时内提供定制化解决方案 认证周期长(2-3年)
区域市场 东南亚、北美市占率超15% 全球市占率超60%
风险与挑战
前段技术瓶颈:ArF、EUV光刻胶仍依赖进口,研发投入不足国际巨头的1/10。
客户认证周期:半导体光刻胶需2-3年验证,吉田尚未进入主流晶圆厂供应链。
供应链风险:部分树脂(如ArF用含氟树脂)依赖日本住友电木。
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光刻胶的主要应用领域
光刻胶是微电子制造的主要材料,广泛应用于以下领域:
半导体制造
? 功能:在晶圆表面形成微细电路图案,作为蚀刻或离子注入的掩膜。
? 分类:
? 正性光刻胶:曝光区域溶解于显影液,形成与掩膜版一致的图案(主流,分辨率高)。
? 负性光刻胶:未曝光区域溶解,形成反向图案(用于早期工艺,耐蚀刻性强)。
? 技术演进:随制程精度提升,需匹配不同曝光波长(紫外UV、深紫外DUV、极紫外EUV),例如EUV光刻胶用于7nm以下制程。
平板显示(LCD/OLED)
? 彩色滤光片(CF):在玻璃基板上制作红/绿/蓝像素单元,光刻胶用于图案化黑矩阵(BM)、彩色层(R/G/B)和保护层。
? 电极图案:制作TFT-LCD的电极线路或OLED的阴极/阳极,需高透光率和精细边缘控制。
印刷电路板(PCB)
? 线路蚀刻:在覆铜板上涂胶,曝光显影后保留线路区域,蚀刻去除未保护的铜箔,形成导电线路。
? 阻焊与字符层:阻焊胶覆盖非线路区域,防止短路;字符胶用于印刷电路板标识。
LED与功率器件
? 芯片制造:在蓝宝石/硅基板上制作电极和量子阱结构,需耐高功率环境的耐高温光刻胶。
? Micro-LED:微米级芯片转移和阵列化,依赖超高分辨率光刻胶(分辨率≤5μm)。
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吉田公司以无卤无铅配方与低 VOC 工艺打造环保光刻胶。青岛LCD光刻胶品牌
光刻胶系列:
厚板光刻胶 JT - 3001,具备优异分辨率、感光度和抗深蚀刻性能,符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年;
水油光刻胶 SR - 3308,容量 5L;SU - 3 负性光刻胶,分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应,重量 100g;
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000,有 1L 装和 100g 装两种规格,分辨率高,准确性和稳定性好;
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶,耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高,重量 100g;
LCD 正性光刻胶 YK - 200,具有较大曝光、高分辨率、良好涂布和附着力,重量 100g;
半导体正性光刻胶 YK - 300,具备耐热耐酸、耐溶剂性、绝缘阻抗和紧密性,重量 100g;
耐腐蚀负性光刻胶 JT - NF100,重量 1L。
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