依托自主研发与国产供应链,吉田半导体 LCD 光刻胶市占率达 15%,跻身国内前段企业。吉田半导体 YK-200 LCD 正性光刻胶采用国产树脂与单体,实现 100% 国产化替代。其分辨率 0.35μm,附着力 > 3N/cm,性能优于 JSR 的 AR-P310 系列。通过与国内多家大型企业的深度合作,产品覆盖智能手机、电视等显示终端,年供货量超 200 吨。公司建立国产原材料溯源体系,确保每批次产品稳定性,推动 LCD 面板材料国产化进程。
光刻胶是有什么东西?进口光刻胶生产厂家
公司严格执行 ISO9001:2008 质量管理体系与 8S 现场管理标准,通过工艺革新与设备升级实现生产过程的低污染、低能耗。注塑废气、喷涂废气经多级净化处理后达标排放,生活污水经预处理后纳入市政管网,冷却水循环利用率达 100%。危险废物(如废机油、含油抹布)均委托专业机构安全处置,一般工业固废(如边角料、废包装材料)则通过回收或再生利用实现资源循环。
公司持续研发环保型材料,例如开发水性感光胶替代传统油性产品,降低有机溶剂使用量;优化锡膏助焊剂配方,减少焊接过程中的烟雾与异味。此外,其 BGA 助焊膏采用低温固化技术,在提升焊接效率的同时降低能源消耗。通过与科研机构合作,公司还在探索生物基材料在半导体封装中的应用,为行业低碳发展提供新路径。
江苏进口光刻胶报价光刻胶半导体领域的应用。
厚板光刻胶
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电路板制造:在制作对线路精度和抗蚀刻性能要求高的电路板时,厚板光刻胶可确保线路的精细度和稳定性,比如汽车电子、工业控制等领域的电路板,能承受复杂环境和大电流、高电压等工况。
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功率器件制造:像绝缘栅双极晶体管(IGBT)这类功率器件,需要承受高电压和大电流,厚板光刻胶可用于其芯片制造过程中的光刻环节,保障芯片内部电路的精细布局,提高器件的性能和可靠性。
负性光刻胶
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半导体制造:在芯片制造过程中,用于制作一些对精度要求高、图形面积较大的结构,如芯片的金属互连层、接触孔等。通过负性光刻胶的曝光和显影工艺,能实现精确的图形转移,确保芯片各部分之间的电气连接正常。
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平板显示制造:在液晶显示器(LCD)和有机发光二极管显示器(OLED)的制造中,用于制作电极、像素等大面积图案。以 LCD 为例,负性光刻胶可帮助形成液晶层与玻璃基板之间的电极图案,控制液晶分子的排列,从而实现图像显示。
广东吉田半导体材料有限公司多种光刻胶产品,各有特性与优势,适用于不同领域。
厚板光刻胶 JT - 3001:具有优异的分辨率和感光度,抗深蚀刻性能良好。符合欧盟 ROHS 标准,保质期 1 年,适用于对光刻精度和抗蚀刻要求较高的厚板加工场景,如一些特殊的电路板制造。
SU - 3 负性光刻胶:分辨率优异,对比度良好,曝光灵敏度高,光源适应。重量为 100g,常用于对曝光精度和光源适应性要求较高的微纳加工、半导体制造等领域。
液晶平板显示器负性光刻胶 JT - 1000:有 1L 和 100g 两种规格,具有优异的分辨率,准确性和稳定性好。主要应用于液晶平板显示器的制造,能满足其对光刻胶高精度和稳定性的需求。
JT - 2000 UV 纳米压印光刻胶:耐强酸强碱,耐高温达 250°C,长期可靠性高,粘接强度高。重量 100g,适用于需要在特殊化学和高温环境下进行纳米压印光刻的工艺,如一些半导体器件的制造。
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吉田半导体纳米压印光刻胶 JT-2000:国产技术突破耐高温极限
自主研发 JT-2000 纳米压印光刻胶耐受 250℃高温,为国产纳米器件制造提供关键材料。吉田半导体 JT-2000 纳米压印光刻胶采用国产交联树脂,在 250℃高温下仍保持图形保真度 > 95%。产品采用国产原材料与全自动化工艺,其高粘接强度与耐强酸强碱特性,适用于光学元件、传感器等精密器件。产品已通过国内科研机构验证,应用于国产 EUV 光刻机前道工艺,帮助客户实现纳米结构加工自主化。
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定义与特性
正性光刻胶是一种在曝光后,曝光区域会溶解于显影液的光敏材料,形成与掩膜版(Mask)图案一致的图形。与负性光刻胶(未曝光区域溶解)相比,其优势是分辨率高、图案边缘清晰,是半导体制造(尤其是制程)的主流选择。
化学组成与工作原理
主要成分
? 树脂(成膜剂):
? 传统正性胶:采用**酚醛树脂(Novolak)与重氮萘醌(DNQ,光敏剂)**的复合体系(PAC体系),占比约80%-90%。
? 化学增幅型(用于DUV/EUV):含环化烯烃树脂或含氟聚合物,搭配光酸发生器(PAG),通过酸催化反应提高感光度和分辨率。
? 溶剂:溶解树脂和感光剂,常用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)或乳酸乙酯。
? 添加剂:表面活性剂(改善涂布均匀性)、稳定剂(防止暗反应)、碱溶解度调节剂等。
工作原理
? 曝光前:光敏剂(如DNQ)与树脂结合,形成不溶于碱性显影液的复合物。
? 曝光时:
? 传统PAC体系:DNQ在紫外光(G线436nm、I线365nm)照射下发生光分解,生成羧酸,使曝光区域树脂在碱性显影液中溶解性增强。
? 化学增幅型:PAG在DUV/EUV光下产生活性酸,催化树脂发生脱保护反应,大幅提高显影速率(灵敏度提升10倍以上)。
? 显影后:曝光区域溶解去除,未曝光区域保留,形成正性图案。
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