三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管具有放大倍数高、响应速度快、适用范围广等优势。广州锗管三极管参考价

用万用表判断半导体三极管的极性和类型（用指针式万用表）：1.判别半导体三极管的c极和e极：确定基极后，对于NPN管，用万用表两表笔接三极管另外两极，交替测量两次，若两次测量的结果不相等，则其中测得阻值较小得一次黑笔接的是e极，红笔接得是c极（若是PNP型管则黑红表笔所接得电极相反）。2.判别半导体三极管的类型。如果已知某个半导体三极管的基极，可以用红表笔接基极，黑表笔分别测量其另外两个电极引脚，如果测得的电阻值很大，则该三极管是NPN型半导体三极管，如果 测量的电阻值都很小，则该三极管是PNP型半导体三极管。上海三极管哪家好在设计电路时，合理利用三极管的特性，能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。

什么是三极管，三极管，不管是在模电还是数电中都是常见的电子器件，利用它的特性，在模电中通常作放大作用，而在数电中则作开关或者逻辑转换。三极管的主要结构是PN结，可以是NPN组合，也可以是PNP组合。三极管较基本的作用是放大，把微弱的电信号放大成一定强度的信号，实际是将电源能量转换成信号的能量。三极管是电流控制器件，但是本身不能把小电流变成大电流，而是控制电路中的电源，间接放大电流。这里给大家讲一下三极管工作原理，三极管有3 种工作状态。分别是截止状态、放大状态、饱和状态。三极管普遍应用于电子放大、开关、稳压、振荡等电路中。

三极管的分类：1、按材质分: 硅管（导通压降0.7V）、锗管（导通压降0.3V）。2、按结构分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管。达林顿管：又叫复合管，将两个三极管串联，以组成一只等效的新的三极管。接法总共有4种：NPN+NPN、NPN+PNP、PNP+PNP、PNP+NPN。4、按功率分：小功率管（<500mW）、中等功率管（500mW~1W）、大功率管（>1W）。5、按工作频率分：低频管(小于3Mhz)、高频管（3-30Mhz）、超频管（30-500Mhz）。6、按封装分：插件三极管、贴片三极管。三极管的静态工作点需要经常调整和检测，以确保其正常工作和稳定性。中山功率三极管现货直发

使用时需注意极性和极限参数，以免损坏器件影响路性能。广州锗管三极管参考价

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。广州锗管三极管参考价