谐振电感是为谐振电容提供足够的充放电能量，实现滞后桥臂的零电压开通。谐振电感的参数选择对整个电路的软开关都很重要。为了满足能量的要求是希望谐振电感值越大越好，并且大电感可以有效抑制电流的急剧变化，防止振荡，消除尖刺峰值。但是电感值过大会导致更大的占空比丢失，降低了整个装置的效率，并且电感过大，对应阻抗值很大，会导致系统反应慢[19]。相反的，如果电感值偏小，则可能不能为谐振电容提供足够的能量，无法满足软开关，并且桥臂上的上涌和下冲的尖峰电流的影响会变得明显，可能引起正负周期工作状态不对称，增大了开关损耗，使功率开关管温升明显容易引起开关管炸毁。那种非导体材料被称为介电材料。天津高精度电压传感器定制

在科学实验中， 产生强磁场的磁体实际是一个大电感线圈，由大容量的电源系 统瞬时放电， 通过给磁体提供瞬间的大电流，在磁体中产生响应的强磁场。实验中磁体可以等效为电阻Rm和大电感Lm串联，产生的磁场强度和通过电感的电流时呈线性关系的，要想得到高稳定度的脉冲平顶磁场，我们相应的给磁体提供脉冲平顶的大电流。然而上述只是建立在理想的物理模型上得到的理想结果。在工程实践中， 提供 给磁体的大电流实际是给磁体提供一个脉冲式高稳定度的直流电压。天津高精度电压传感器定制目前，传感器的前列是耦合到带电电压的**小电容器。

在本设计中为防止单臂直通设置了两路保护：1）在超前桥臂和滞后桥臂上分别放置电流霍尔分辨监测两桥臂上的电流值，电流霍尔的输出端连接至保护电路。如果出现过电流则保护电路**终动作于PWM波输出模块，将4路输出PWM波的比较器锁死，使得输出为低电平，进而关断桥臂上4个开关管。2）驱动电路模块内部有过流监测。在所设计的驱动电路中，主驱动芯片M57962内部有保护电路监测IGBT的饱和压降从而判断是否过流。当出现过流时M57962将***驱动信号实现对IGBT的关断。

随着集成化和高频化的发展，开关器件本身的功耗和发热问题成为限制集成化和高频化进一步发展的瓶颈，减小开关器件自身开关损耗促使了软开关技术的推进。传统的谐振式、多谐振技术可以实现部分开关器件的ZVC或ZCS，但是这类谐振存在器件应力高、变频控制等缺点。脉冲宽度调制（PWM）效率高、动态性能好、线性度高，但是为了实现开关管的软开关，须在电路中引进辅助的器件，这增加了主电路和控制电路的复杂性。在这样的背景下，移相全桥技术应运而生。相较于其他的全桥电路，移相全桥充分的利用了电路自身的寄生参数，在合理的控制方案下实现开关管的软开关。相较于传统谐振软开关技术，移相全桥变换器又具有频率恒定、开关管应力小、无需辅助的谐振电路。基于以上对比分析，移相全桥变换器作为我们磁体电源系统中的补偿电源。通过参考电阻或传感器产生的电压被缓冲，然后给予放大器。

除了滤波电容的容量要选择适当，我们还需要考虑滤波电容的耐压值，电容耐压值不够会发生危险。为了降低成本，一般电容耐压值比输出电压高一些即可，比如可以选择1.2倍的裕度。并且考虑到一般的电解电容有等效电阻，因此选用电解电容时可以选择实际值比理论计算值大的电容，并且可以是多个并联使用。为了减小开关管的电流，减小输出端整流桥上的电压，从而降低损耗，高频变压的原副边变比应尽可能大一些。为了满足输出电压值的要求，则需要根据实际输入的电压值和输出电压值要求来考虑。以输入电压最小值为基准来进行计算，变压器变比：K=。其中vin(min)是输入电压最小值，vo是输出电压，vd是整流二极管导通压降，Dsec是副边占空比，在此取值0.8。将各个参数代入计算可得变比K为7.44，在这里可以取值为7.5。差和高的耐压值，另外，高压侧与低压侧没有隔离，存在安全隐患；武汉磁通门电压传感器案例

电压传感器的输入是电压本身，输出可以是模拟电压信号、开关、可听信号、模拟电流电平。天津高精度电压传感器定制

在产生移相脉波时，计时器的计时都有一个固定的时基，计时器以时基为参考点开始计数，当比较寄存器中的值和设定值相等就会产生一个比较中断。由此机理，移相角的改变有两种方法：1）不断改变时基；2）不断更新比较值。DSP比较寄存器处于增减计数模式，一般时基是固定的。由于增减计数模式中每一个周期都会产生一个周期中断和下溢中断，于是我们可以利用这两个中断将设定值重置来实现另外一对PWM波的移相。超前桥臂上一对互补PWM波由比较单元1产生，对应的比较寄存器为T1CMPR，即为比较寄存器1的设定值，计数寄存器为T1CNT。滞后桥臂上一对互补的PWM波由比较单元2产生，对应的比较寄存器为T2CMPR，即为比较寄存器2的设定值，为了保证参考坐标的一致性，比较单元2和比较单元1共用同一个计数寄存器。天津高精度电压传感器定制