优普纳砂轮以国产价格提供进口品质,单次加工成本降低40%。例如,进口砂轮精磨8吋SiC晶圆磨耗比通常超过250%,而优普纳产品只需200%,且Ra≤3nm的精度完全满足5G、新能源汽车芯片制造需求。客户反馈显示,国产替代后设备停机更换频率减少50%,年维护成本节省超百万元。针对不同设备(如DISCO-DFG8640、东京精密HRG200X),优普纳提供基体优化设计砂轮,增强冷却液流动性,减少振动。支持定制2000#至30000#磨料粒度,适配粗磨、半精磨、精磨全工艺。案例中,6吋SiC晶圆使用30000#砂轮精磨后TTV≤2μm,表面质量达国际先进水平。在东京精密-HRG200X减薄机上,优普纳砂轮对8吋SiC线割片进行精磨,磨耗比300%,Ra≤3nm,TTV≤2μm。第三代半导体减磨砂轮报价
传统砂轮在磨削过程中常常面临磨损快、热量产生大、加工效率低等问题。而激光改质层减薄砂轮则通过先进的激光改质技术,克服了这些缺陷。首先,激光改质层减薄砂轮的耐磨性明显提高,能够在长时间的磨削过程中保持稳定的性能,减少更换频率。其次,由于其优异的热稳定性,激光改质层减薄砂轮在高温环境下仍能保持良好的切削性能,避免了传统砂轮因过热而导致的变形和损坏。此外,激光改质层减薄砂轮的切削力更小,能够有效降低工件的加工应力,减少了工件的变形风险,提升了加工精度。晶圆制造砂轮解决方案优普纳砂轮的强度高微晶增韧陶瓷结合剂,赋予产品优异的耐磨性和韧性,确保在高负荷加工条件下的稳定性能。
江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,展现了强大的**设备适配性**。其基体优化设计能够根据客户不同设备需求进行定制,无论是东京精密还是DISCO的减薄机,都能完美适配。这种强适配性不只减少了客户在设备调整上的时间和成本,还确保了加工过程的高效性和稳定性。在DISCO-DFG8640减薄机的实际应用中,无论是粗磨还是精磨,优普纳砂轮都能保持稳定的性能,满足不同加工需求。这种综合优势,使得优普纳的砂轮在市场上更具竞争力,能够快速响应客户需求,为客户提供一站式的解决方案。
精磨减薄砂轮的应用领域极为广,尤其是在半导体产业蓬勃发展的当下,其重要性愈发凸显。在半导体芯片制造环节,晶圆减薄是关键工序。随着芯片不断向小型化、高性能化发展,对晶圆减薄的精度和表面质量要求达到了近乎严苛的程度。江苏优普纳的精磨减薄砂轮,凭借优越的性能,成为众多半导体制造企业的优先选择。在SiC晶圆减薄中,可有效减小芯片封装体积,改善芯片的热扩散效率,提升电气性能和力学性能。此外,在光学领域,如非球面镜片的加工,精磨减薄砂轮也发挥着重要作用。非球面镜片具有独特的光学特性,能有效矫正像差,提高成像质量。优普纳的相关砂轮产品,通过精确控制磨削量和表面粗糙度,助力光学元件制造商生产出高精度的非球面镜片,应用于摄影镜头、望远镜、显微镜等光学仪器中。不仅如此,在精密机械制造、电子封装等领域,精磨减薄砂轮同样大显身手,为各行业的精密制造提供了有力支持,推动着相关产业不断向更高精度、更高性能方向发展。优普纳砂轮于东京精密-HRG200X减薄机上,对8吋SiC线割片进行粗磨,磨耗比35%,Ra≤30nm,TTV≤3μm。
江苏优普纳科技有限公司:碳化硅减薄砂轮已获ISO9001质量管理体系认证,并拥有强度高的陶瓷结合剂、多孔显微调控技术等12项核心专利。第三方的检测数据显示,其砂轮磨削效率、寿命等指标均符合SEMI国际半导体设备与材料协会标准。在国产替代浪潮下,优普纳以技术硬实力打破“卡脖子”困局,成为第三代半导体产业链的关键支撑者。江苏优普纳科技有限公司专业生产砂轮,品质有保证,欢迎您的随时致电咨询,为您提供满意的产品以及方案。优普纳砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上,对6吋SiC线割片进行精磨,磨耗比100%,Ra≤3nm,TTV≤2μm。晶片砂轮质量
通过多孔显微组织调控技术,砂轮在DISCO-DFG8640减薄机上加工8吋SiC线割片 磨耗比30%,Ra≤30nm TTV≤3μm。第三代半导体减磨砂轮报价
江苏优普纳科技有限公司的碳化硅晶圆减薄砂轮,以其优越的低损耗特性,为客户节省了大量的成本。其独特的多孔显微组织调控技术,使得砂轮在高磨削效率的同时,磨耗比极低。在实际应用中,6吋SiC线割片的磨耗比只为15%,而8吋SiC线割片的磨耗比也只为35%。这意味着在长时间的加工过程中,砂轮的磨损极小,使用寿命更长。低损耗不只体现在砂轮本身的使用寿命上,还体现在加工后的晶圆表面质量上,损伤极小,进一步提升了产品的性价比,助力优普纳在国产化替代进程中占据优势。第三代半导体减磨砂轮报价