TI稳压IC的EMI不再是事后诸葛亮，因为它有可能在设计阶段后期造成重大挫折，这将耗费时间和金钱。
开关电源（SMPS）是现代技术中**普遍的电路之一，在大多数应用中，它比线性稳压器的效率有了极大的提高。
但这种效率是有代价的，因为开关电源中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关使其
是电磁干扰的主要来源，而电磁干扰反过来又会影响可靠性。EMI主要来自不连续的输入电流、开关节点上的快速转换率、，
以及功率环路中寄生电感引起的沿开关边缘的附加振铃。
下页的图1说明了这些元素中的每一个如何使用buck转换器拓扑在不同的频带中表现出来。
例如。随着压力的增加，增加开关频率以减小尺寸和成本，并增加转换率以提高
效率、电磁干扰问题加剧。因此，有必要结合具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术不要影响电源设计。
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高压电源-稳压IC：
交流/直流和隔离直流/直流MOSFET和IGBT栅极驱动器TI的100多个门驱动器产品组合提供了业界**快的开关电源，同时满足了各种规格。优点包括在高开关频率下具有快速开启/关闭时间的稳健设计，可减少功率损耗并实现更好的系统性能。TI的门驱动器系列包括低压侧驱动器、半桥驱动器和隔离驱动器。
UCC2751x和UCC2752x
?选定产品的版本
?AEC-Q100适用于部分产品
?非对称驱动和分离输出选项可在选定的单通道驱动器上使用
?前列的传播延迟和与MOSFET功率开关更高的VDD兼容性
?两个系列都具有TTL和CMOS输入阈值
UCC27531，UCC27531-Q1
?可采用D和DBV包装
?FET和IGBT单栅驱动器
?2.5A和5A，35V比较大VDD
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TI的大型非**投资组合-稳压IC:
直流/直流负载点解决方案解决了规模、效率、性能或成本问题约束条件。我们的解决方案范围从分立器件到集成电源解决方案，集成电路封装中包含磁性。由于工作电压高达100V，TI的宽VIN产品组合消除了输入保护组件，以降低成本和解决方案尺寸。降压式DC/DC转换器-集成MOSFET技术-稳压IC在过去几年中达到了较高的密度，以在较小的封装中提供更高的效率。
TI的DC/DC转换器提供了许多高达30A的引人注目的解决方案。
什么是稳压IC的EMI？
在需要电磁兼容性（EMC）的系统中，用作电磁源的组件设计用于减少其干扰，易受干扰的组件设计用于降低其敏感性。当终端设备制造商集成来自不同供应商的组件时，确保干扰源和敏感电路能够和平共存的***方法是制定一套通用规则，其中干扰限制在一定水平，敏感电路能够处理该水平的干扰。
这些规则是在行业标准规范中制定的，如国际扰动无线电委员会（CISPR）25用于汽车行业，CISPR32用于多媒体设备。CISPR标准对于EMI设计至关重要，因为它们将规定任何EMI缓解技术的目标性能。本文的重点是减少干扰，因为开关电源通常是电磁干扰源。有关EMI标准的***列表，请参阅白皮书“电源传导EMI规范概述”和“电源辐射EMI规范概述”
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稳压IC的EMI，除了了解特定应用的适当标准外，了解如何测量EMI也很重要，因为这些知识将使您深入了解如何减少EMI。EMI测量通常分为传导和辐射，这揭示了测量方法和EMI的产生方式。虽然传导发射通常与较低频率（<30 MHz）相关，而辐射发射通常与较高频率（>30 MHz）相关，但两者之间的区别并不那么简单，因为传导和辐射频率范围确实重叠。
传导发射测量旨在量化设备产生并返回其电源的EMI。重要的是：减少许多应用中的这些排放，因为其他敏感电路通常连接到相同的电源线。在处理现代汽车中数量不断增加的长线束时，降低传导电磁干扰尤为重要。
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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法-稳压IC技术专题
当系统共享公共物理触点时，开关电源中不连续电流产生的输入电压纹波可传导至其他系统。如果没有适当的缓解措施，过大的输入或输出电压纹波可能会危及电源、负载或相邻系统的运行。
传统上，您可以通过使用基于无源电感电容器（LC）的EMI滤波器来**小化输入纹波，如图4所示。LC滤波器提供满足EMI规范所需的衰减。
取舍是根据所需衰减对系统的尺寸和成本进行惩罚，这将降低总体功率密度。而且用于输入EMI滤波器设计的大型电感器由于其较低的自谐振频率而在大于30 MHz的频率下失去衰减，因此需要铁氧体磁珠等附加组件来处理高频衰减。
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