降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法-稳压IC技术专题
当系统共享公共物理触点时，开关电源中不连续电流产生的输入电压纹波可传导至其他系统。如果没有适当的缓解措施，过大的输入或输出电压纹波可能会危及电源、负载或相邻系统的运行。
传统上，您可以通过使用基于无源电感电容器（LC）的EMI滤波器来**小化输入纹波，如图4所示。LC滤波器提供满足EMI规范所需的衰减。
取舍是根据所需衰减对系统的尺寸和成本进行惩罚，这将降低总体功率密度。而且用于输入EMI滤波器设计的大型电感器由于其较低的自谐振频率而在大于30 MHz的频率下失去衰减，因此需要铁氧体磁珠等附加组件来处理高频衰减。
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增强型热棒? QFN公司
增强型HotRod quad flat no lead（QFN）封装提供了HotRod封装的所有EMI降低功能，并具有更低开关节点电容的额外优势，从而大降低了振铃。在具有增强型热棒QFN的设备中，寄生在输入电压（VIN）和接地（GND）引脚上的电阻-导体-电容器（RLC）也较低
与HotRod软件包相比。
LM60440-Q1降压转换器采用增强型热棒QFN，下页图18显示了引脚和电路板布局。增强型HotRod QFN不仅提高了效率，还包括封装中心有一个大型模具连接垫（DAP）的封装外形。与热棒封装相比，DAP有助于通过PCB更好地散热，并将结温升高降低15%以上。此外，VIN、GND和开关节点引脚上较低的RLC寄生也会提高效率并降低EMI。正如预期的那样，这会产生更好的EMI，尤其是在交换机节点振铃频带周围
如下图19所示。
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什么是稳压IC的EMI？
在需要电磁兼容性（EMC）的系统中，用作电磁源的组件设计用于减少其干扰，易受干扰的组件设计用于降低其敏感性。当终端设备制造商集成来自不同供应商的组件时，确保干扰源和敏感电路能够和平共存的***方法是制定一套通用规则，其中干扰限制在一定水平，敏感电路能够处理该水平的干扰。
这些规则是在行业标准规范中制定的，如国际扰动无线电委员会（CISPR）25用于汽车行业，CISPR32用于多媒体设备。CISPR标准对于EMI设计至关重要，因为它们将规定任何EMI缓解技术的目标性能。本文的重点是减少干扰，因为开关电源通常是电磁干扰源。有关EMI标准的***列表，请参阅白皮书“电源传导EMI规范概述”和“电源辐射EMI规范概述”
集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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