光刻是生产半导体元件时的一个工业步骤，该步骤将印在光掩膜上的外形结构转移到基质的表面上。光刻与印刷术中的平版印刷的工艺过程类似。基质一般是硅、砷化镓晶体的芯片，也可以是其他半导体的芯片。玻璃、蓝宝石或者金属也可以作为基质。 光刻的优点在于它可以精确地控制形成的形状的大小和样子，此外它可以同时在整个芯片表面产生外形轮廓。它最主要得缺点在于它必须在平面上使用，在不平的表面上它的效果不很好，此外它要求极其高的清洁条件。在生产复杂的集成电路的过程中一块芯片可能经过50多次光刻。在生产薄膜晶体管的过程中所需要的光刻过程要少得多河北正规光刻

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；最后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。 在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。 天津光刻性价比高

沉浸式光刻技术是在传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸入式技术是将空气介质换成液体。实际上，浸入式技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。 浸没式光刻技术也称为浸入式光刻技术。一般特指193nm浸入式光刻技术。在浸入式光刻技术之前，继436nm、365nm、248nm之后，采用的是193nm干式光刻技术，但在65 纳米技术节点上遇到了困难，试验了很多技术但都无法很好的突破这一难题。 到2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠，而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。此技术在原来的193nm干式光刻技术平台之上，因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

准分子光刻技术作为当前主流的光刻技术，主要包括：特征尺寸为0．1μm的248　nm　KrF准分子激光技术；特征尺寸为90　nm的193　nm　ArF准分子激光技术；特征尺寸为65　nm的193　nm　ArF浸没式技术（Immersion，193i）。其中193　nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中最为长寿且最富有竞争力的，也是如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气，而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质。实际上，由于液体介质的折射率相比空气介质更接近曝光透镜镜片材料的折射率，等效地加大了透镜口径尺寸与数值孔径（NA），同时可以 显 著提高焦深（DOF）和曝光工艺的宽容度（EL），浸没式光 刻 技 术 正 是 利 用 这 个 原 理 来 提 高 其 分 辨率。

光刻主要有以下几个步骤。 首先是准备基质：在涂布光阻剂之前，硅片一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物。 涂布光阻剂(photo resist)：将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅片就被吸在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转。 软烘干：也称前烘。过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来。 光刻：光刻过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。 显影(development) ：经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中， 硬烘干：也称坚膜。显影后，硅片还要经过一个高温处理过程，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和?；つ芰?。 去胶：刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作?；げ?，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶。 在硅芯片上涂光阻剂的甩胶机此外光阻剂还有“正”、“负”之分，正光阻剂不感光的部分在显影后留下，而负光阻剂感光的部分在显影后留下。显影后光阻剂被烘干，然后芯片被放入江苏官方光刻

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虽然浸入式光刻已受到很大的关注，但仍面临巨大挑战，浸入式光刻的挑战在于控制由于浸入环境引起的缺点，包括气泡和污染;抗蚀剂与流体或面漆的相容性，以及面漆的发展;抗蚀剂的折射指数大于1.8;折射指数大于1.65的流体满足粘度、吸收和流体循环要求;折射指数大于1.65的透镜材料满足透镜设计的吸收和双折射要求。 光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长，光刻机厂商们就是这么做的，他们将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端。河北正规光刻

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