浸没式光刻的原理 浸没式光刻技术需要在光刻机投影物镜***一个透镜的下表面与硅片上的光刻胶之间充满高折射率的液体。浸没式光刻机工作时并不是把晶圆完全浸没在水中，而只是在曝光区域与光刻机透镜之间充满水。光刻机的镜头必须特殊设计，以保证水随着光刻机在晶圆表面做步进-扫描运动，没有泄露;水中没有气泡和颗粒。在193nm波长下，水的折射率是1.44，可以实现NA大于1。 此技术在原来的193nm干式光刻技术平台之上，因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。 贵州专业光刻

光刻主要有以下几个步骤。 首先是准备基质：在涂布光阻剂之前，硅片一般要进行处理，需要经过脱水烘培蒸发掉硅片表面的水分，并涂上用来增加光刻胶与硅片表面附着能力的化合物。 涂布光阻剂(photo resist)：将硅片放在一个平整的金属托盘上，托盘内有小孔与真空管相连，硅片就被吸在托盘上，这样硅片就可以与托盘一起旋转。 软烘干：也称前烘。过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来。 光刻：光刻过程中，光刻胶中的感光剂发生光化学反应，从而使正胶的感光区、负胶的非感光区能够溶解于显影液中。 显影(development) ：经显影，正胶的感光区、负胶的非感光区溶解于显影液中， 硬烘干：也称坚膜。显影后，硅片还要经过一个高温处理过程，主要作用是除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片表面的附着力，同时提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力。 去胶：刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作?；げ?，可以将其除去，称为去胶，分为湿法去胶和干法去胶。 在硅芯片上涂光阻剂的甩胶机此外光阻剂还有“正”、“负”之分，正光阻剂不感光的部分在显影后留下，而负光阻剂感光的部分在显影后留下。显影后光阻剂被烘干，然后芯片被放入湖北官方光刻

沉浸式光刻技术是在传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓浸入式技术是将空气介质换成液体。实际上，浸入式技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。 浸没式光刻技术也称为浸入式光刻技术。一般特指193nm浸入式光刻技术。在浸入式光刻技术之前，继436nm、365nm、248nm之后，采用的是193nm干式光刻技术，但在65 纳米技术节点上遇到了困难，试验了很多技术但都无法很好的突破这一难题。 到2002年底浸入式技术迅速成为光刻技术中的新宠，而此前业界并没有认为浸入式技术有如此大的功效。此技术在原来的193nm干式光刻技术平台之上，因为此种技术的原理清晰及配合现有的光刻技术变动不大，获得了人们的极大赞赏。

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上；***利用刻蚀技术将图形转移到基片上。 在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。

虽然浸入式光刻已受到很大的关注，但仍面临巨大挑战，浸入式光刻的挑战在于控制由于浸入环境引起的缺点，包括气泡和污染;抗蚀剂与流体或面漆的相容性，以及面漆的发展;抗蚀剂的折射指数大于1.8;折射指数大于1.65的流体满足粘度、吸收和流体循环要求;折射指数大于1.65的透镜材料满足透镜设计的吸收和双折射要求。 光蚀刻系统制造的精细程度取决于很多因素。但是实现跨越性进步的有效方法是降低使用光源的波长，光刻机厂商们就是这么做的，他们将晶圆曝光工具从人眼可见的蓝光端开始逐渐减小波长，直到光谱上的紫外线端。内蒙古光刻质量商家

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EUV技术慢慢开始替代了一部分的浸没式光刻，EUV技术以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm 的紫外线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。EUV光刻采用波长为10-14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。EUV光刻所能提供的高分辨率已经被实验所证实。光刻机供应商已经分别实现了20nm和14nm节点的SRAM的曝光，并与193i曝光的结果做了对比。显然，即使是使用研发机台，EUV曝光的分辨率也远好于193i。14nm节点图形的曝光聚焦深度能到达250nm以上。贵州专业光刻

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