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黄浦区进口IGBT模块设计

来源: 发布时间:2025-05-20

通常为达到更好的驱动效果,IGBT开通和关断可以采取不同的驱动速度,分别选取 Rgon和Rgoff(也称 Rg+ 和 Rg- )往往是很必要的。IGBT驱动器有些是开通和关断分别输出控制,只要分别接上Rgon和Rgoff就可以了。有些驱动器只有一个输出端,这就要在原来的Rg 上再并联一个电阻和二极管的串联网络,用以调节2个方向的驱动速度。3、在IGBT的栅射极间接上Rge=10-100K 电阻,防止在未接驱动引线的情况下,偶然加主电高压,通过米勒电容烧毁IGBT。所以用户比较好再在IGBT的栅射极或MOSFET栅源间加装Rge。在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块;黄浦区进口IGBT模块设计

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IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,**降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。黄浦区进口IGBT模块设计IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。

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2010年,中国科学院微电子研究所成功研制国内***可产业化IGBT芯片,由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品(采用Planar NPT器件结构)在华润微电子工艺平台上流片成功,各项参数均达到设计要求,部分性能优于国外同类产品。这是我国国内***自主研制可产业化的IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品,标志着我国全国产化IGBT芯片产业化进程取得了重大突破,拥有了***条专业的完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线。该科研成果主要面向家用电器应用领域,联合江苏矽莱克电子科技有限公司进行市场推广,目前正由国内***的家电企业用户试用,微电子所和华润微电子将联合进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产。 [2

图1(a)所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N基 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。电导调制效应使电阻RN减小,使通态压降小。

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Rlimit =10~100Ω,C=10~470μF,Creset=10nF.一、栅极电阻Rg的作用1、消除栅极振荡绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射(或栅源)极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感又是不可避免的,如果没有栅极电阻,那栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下要产生很强的振荡,因此必须串联一个电阻加以迅速衰减。2、转移驱动器的功率损耗电容电感都是无功元件,如果没有栅极电阻,驱动功率就将绝大部分消耗在驱动器内部的输出管上,使其温度上升很多。IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。虹口区进口IGBT模块品牌

装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。黄浦区进口IGBT模块设计

绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很***;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很***;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS结构双极器件,属于具有功率MOSFET的高速性能与双极的低电阻性能的功率器件。I黄浦区进口IGBT模块设计

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