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断路器也可以实现线路的短路和过载保护，不过原理不一样，它是通过电流的磁效应（电磁脱扣器）实现断路保护，通过电流的热效应实现过载保护（不是熔断，多不用更换器件）。具体到实际中，当电路中的用电负荷长时间接近于所用熔断器的负荷时，熔断器会逐渐加热，直至熔断。像上面说...

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上*选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调...

（4）不能实现遥控，需要与电动刀开关、开关组合才有可能。非选择型断路器：1、主要优点和特点（1）故障断开后，可以手操复位，不必更换元件，除非切断大短路电流后需要维修；（2）有反时限特性的长延时脱扣器和瞬时电流脱扣器两段保护功能，分别作为过载和短路防护用，各司其...

为防止发生越级熔断、扩大事故范围，上、下级（即供电干、支线）线路的熔断器间应有良好配合。选用时，应使上级（供电干线）熔断器的熔体额定电流比下级（供电支线）的大1～2个级差。常用的熔断器有管式熔断器R1系列、螺旋式熔断器RLl系列、填料封闭式熔断器RT0系列及快...

反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和比较高反向电压作用***过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为25...

熔断电流，指导线在熔断时所能通过的比较大的电流。但随着导线的电阻增大，其熔断电流也将降低。熔断电流：Fusing current 单位： mA，A等。在导线横截面积一定的情况下，长度越长，电阻越大，其熔断电流也就越小。在长度一定的情况下，导线横截面积越大，其电...

点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。点接触型与面结型相比，较少使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用...

低压熔断器（low voltage fuse）是2020年公布的电力名词。低压熔断器***用于低压供配电系统和控制系统中，主要用于短路保护，有时也可用于过载保护。熔断器串联在电路中，当电路发生短路或严重过载时，熔断器中的熔体将自动熔断，从而切断电路，起到保护作...

（五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。（六）过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。（七）非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触...

安秒特性：熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。熔断器（图6）对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断时间短。对安秒特性的理解，我们从焦耳定律...

发光二极管的**部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流...

（三）环保LED灯内部不含有任何的汞等重金属材料，但是荧光灯中含有，这就体现了LED灯环保的特点。现在的人都十分重视环保，所以，会有更多的人愿意选择环保的LED灯。 [3]（四）响应速度快LED灯还有一个突出的特点，就是反应的速度比较快。只要一接通电源，LED...

常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。...

②限流特性好，分断能力高；③相对尺寸较小；NT系列熔断器④价格较便宜。（2）熔断器的主要缺点①故障熔断后必须更换熔断体；②保护功能单一，只有一段过电流反时限特性，过载、短路和接地故障都用此防护；③发生一相熔断时，对三相电动机将导致两相运转的不良后果，当然可用带...

若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0...

在电子技术中常用的数码管，发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来，这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄，其波长由所使用的基本材料而定。 [4]用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管...

它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。光敏二极管是...

快速熔断器的结构熔断器由磁壳、导电板、熔体、石英砂、消弧剂、指示器六部分组成。熔体的材质为纯银，形状为矩形薄片，且具有圆孔狭颈 [1]。快速熔断器的灭弧原理快速熔断器的熔体是由纯银制成的，由于纯银的电阻率低、延展性好、化学稳定性好，因此快速熔断器的熔体可做成薄...

再由这三组英文名词的较早字母组合而成:“BCR”中文译意:双向可控硅。以“BCR”来命名双向可控硅的典型厂家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。双 向：Bi-directional(取***个字母)三 端：Triode(取**...

额定速态平均屯成系列共分为14个，如表1一5所示。正反向重复蜂值屯压级别规定1000V以下的管子每100V为一级，1000V以上的管子每200V为一级。取电压教除以100做为级别标志，如表1-6所示。通态平均电压组别依电压大小分为9组，用宇毋表示，如表1一所示...

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在...

另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结...

无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹 [3]。二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。 [4]采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片...

低压熔断器（low voltage fuse）是2020年公布的电力名词。低压熔断器***用于低压供配电系统和控制系统中，主要用于短路保护，有时也可用于过载保护。熔断器串联在电路中，当电路发生短路或严重过载时，熔断器中的熔体将自动熔断，从而切断电路，起到保护作...

这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Ci...

敞开式熔断器结构简单，熔体完全暴露于空气中，由瓷柱作支撑，没有支座，适于低压户外使用。分断电流时在大气中产生较大的声光。半封闭式熔断器的熔体装在瓷架上，插入两端带有金属插座的瓷盒中，适于低压户内使用。分断电流时，所产生的声光被瓷盒挡住。管式熔断器的熔体装在熔断...

△V（B）=V（B0）-V（BR）。一般△V（B）应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完...

由于现代的开关电源工作频率都在20khz以上，比起一般的整流二极管，快速恢复二极管和超快速恢复二极管的反向恢复时间减小到了毫微秒极。因此，**提高了电源的效率。据经验，在选择快速恢复二极管时,其反向恢复时间至少应该比开关晶体管的上升时间低三倍。这两种整流二极管...

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就...

IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，...