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全范围熔断器，由高分断能力熔断器和喷射式熔断器串联组成的熔断器，把熔体分成比一般熔断器多几倍的并联熔体的结构，分断低过载电流至额定分断电流的熔断器。能可靠分断低过载电流至额定分断电流的熔断器。全范围熔断器有3种结构形式:①由高分断能力熔断器和喷射式熔断器串联组...

正式商用的高压大电流IGBT器件至今尚未出现，其电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求，特别是在高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上。目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采...

IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...

维持电流： IH 是维持可控硅保持通态所必需的**小主电流，它与结温有关，结温越高， 则 IH 越小。 [1]·电压上升率的**： dv/dt指的是在关断状态下电压的上升斜率，这是防止误触发的一个关键参数。此值超限将可能导致可控硅出现误导通的现象。由于可控硅的...

因此，每一熔体都有一**小熔化电流。相应于不同的温度，**小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响，但在实际应用中可以不加考虑。一般定义熔体的**小熔断电流与熔体的额定电流之比为**小熔化系数，常用熔体的熔化系数大于1.25，也就是说额定电流为10A的熔体...

⒊ 控制极触发电流（IGT），俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值。常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

（三）环保LED灯内部不含有任何的汞等重金属材料，但是荧光灯中含有，这就体现了LED灯环保的特点。现在的人都十分重视环保，所以，会有更多的人愿意选择环保的LED灯。 [3]（四）响应速度快LED灯还有一个突出的特点，就是反应的速度比较快。只要一接通电源，LED...

四种触发方式可控硅四种触发方式可控硅四种触发方式由于在双向可控硅的主电极上，无论加以正向电压或是反向电压，也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通，因此它有以下四种触发方式：(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制极G对***电极Tl所加的也是...

面接触型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及低频电路中。面接触型二极管是二极管中的一种。二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、...

可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。结构原件可...

全范围熔断器，由高分断能力熔断器和喷射式熔断器串联组成的熔断器，把熔体分成比一般熔断器多几倍的并联熔体的结构，分断低过载电流至额定分断电流的熔断器。能可靠分断低过载电流至额定分断电流的熔断器。全范围熔断器有3种结构形式:①由高分断能力熔断器和喷射式熔断器串联组...

Rlimit =10～100Ω,C=10～470μF,Creset=10nF.一、栅极电阻Rg的作用1、消除栅极振荡绝缘栅器件(IGBT、MOSFET)的栅射（或栅源）极之间是容性结构，栅极回路的寄生电感又是不可避免的，如果没有栅极电阻，那栅极回路在驱动器驱动...

当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正...

点接触型二极管点接触型二极管的PN结接触面积小，不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压，但它的高频性能好，适宜在高频检波电路和开关电路中使用 [5]。面接触型二极管面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压，适宜在整流电路...

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就...

（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。 [7]2. 检测比较高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 [7]双向触...

3、线路中各级熔断器熔体额定电流要相应配合，保持前一级熔体额定电流必须大于下一级熔体额定电流；4、熔断器的熔体要按要求使用相配合的熔体，不允许随意加大熔体或用其他导体代替熔体。熔断器巡视检查：1、检查熔断器和熔体的额定值与被保护设备是否相配合；2、检查熔断器外...

主要厂家品牌：ST，NXP/PHILIPS，NEC，ON/MOTOROLA，RENESAS/MITSUBISHI，LITTELFUSE/TECCOR，TOSHIBA，JX ，SANREX，SANKEN ，SEMIKRON ，EUPEC，IR，JBL等。IT(A...

断路器是指能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能在规定的时间内关合、承载和开断异常回路条件下的电流的开关装置。断路器按其使用范围分为高压断路器与低压断路器，高低压界线划分比较模糊，一般将3kV以上的称为高压电器。断路器可用来分配电能，不频繁地启动异步电动...

通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内可控...

因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导...

1、英标熔断器英式熔断器主要用于英联邦国家生产的设备。英标熔断器壳体采用陶瓷材质，产品具有体积小、性价比高等特点，特别受到240V以下的UPS厂商青睐。2、美标熔断器美式熔断器应用**为***，涵盖了大部分电力电子产品应用。美标熔断器壳体采用三聚氰胺网格布加陶...

光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的**部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时...

大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT**驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT...

安秒特性：熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。熔断器（图6）对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断时间短。对安秒特性的理解，我们从焦耳定律...

变容二极管将万用表红、黑表笔怎样对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有轻微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿坏。 [8]单色发光二极管在万用表外部附接一节能1.5V干电池，将万用表置R×10或...

4、法标熔断器法标熔断器具有循环性能强、体积小、构造独特等特点，适用于占用空间小的小型UPS、小型交流驱动器以及其它小功率应用。 [2]对于高电流保护区，所选熔断器应具备以下性能： ①容量大，通常在几十到几百A； ②能够承受瞬间高电流、高脉冲； ③安全可靠性高...

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就...

（3）现今产品多具有智能特点，除保护功能外，还有电量测量、故障记录，以及通信接口，实现配电装置及系统集中监控管理。2、主要问题（1）价格很高，因此只宜在配电线路首端和特别重要场所的分干线使用；（2）尺寸较大。信息技术设备(ITE)熔断器标识要求依照GB4943...

（2）限幅电路在电子电路中，常用限幅电路对各种信号进行处理。它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分信号。大多数二极管都可作为限幅使用，但有些时候需要用到**限幅二极管，如保护仪表时。 [6]（3）稳压电路在稳压电路中通常需要使用齐纳二极管，它是一...