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若U1与U2的电压值相同，但与U的电压值不同，则说明该双向触发二极管的导通性能对称性良好。若U1与U2的电压值相差较大时，则说明该双向触发二极管的导通性不对称。若U1、U2电压值均与市电U相同时，则说明该双向触发二极管内部已短路损坏。若U1、U2的电压值均为0...

将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极(D)，红表笔接IGBT 的源极(S)，此时万用表的指针指在无穷处。用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值 较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指...

ISO-8820和QC/T420-2004等标准中将它定义为：接于电路中，当电流超过规定值和规定的时间时，使电路断开的熔断式保护器件。熔断器是一个热能响应器件，熔断器中的熔片或熔丝是用电阻率较高的易熔合金制成，或用截面积较小的良导体制成。为了保护线束及其它设备...

3、调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。但驱动速度过快将使开关器件的电压和电流变化率**提高，从而产生较大的干扰，严重的将使整个装置无法工作，因此必须统筹兼顾。二、栅极电阻的选取1、栅极电阻阻值的确定各种...

大电流高电压的IGBT已模块化，它的驱动电路除上面介绍的由分立元件构成之外，已制造出集成化的IGBT**驱动电路。其性能更好，整机的可靠性更高及体积更小。选择IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT...

大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2（P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2（以硅单晶为基本...

螺旋式熔断器由瓷帽、熔断管、瓷套、上接线座和下接线座及瓷底座等部分组成。熔断管内装有熔丝和石英砂和带小红点的熔断指示器，指示器指示熔丝是否熔断。石英用于增强灭弧性能。螺旋式熔断器螺旋式熔断器的作用与插入式熔断器相同，用于电气设备的过载及短路保护。分断能力较高，...

1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个...

自复熔断器的特点是分断电流大，可以分断200千安交流（有效值），甚至更大的电流。这种熔断器具有非常***的限流作用，当瞬时电流达到接近165千安时即能被迅速限流。自复熔断器的结构主要由电流端子（又叫电极）、云母玻璃（填充剂）、绝缘管、熔体、活塞、氩气和外壳等组...

快速熔断器的结构熔断器由磁壳、导电板、熔体、石英砂、消弧剂、指示器六部分组成。熔体的材质为纯银，形状为矩形薄片，且具有圆孔狭颈 [1]。快速熔断器的灭弧原理快速熔断器的熔体是由纯银制成的，由于纯银的电阻率低、延展性好、化学稳定性好，因此快速熔断器的熔体可做成薄...

因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导...

电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的***、二、三层看面是一只NPN型号晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上...

点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。点接触型与面结型相比，较少使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用...

②限流特性好，分断能力高；③相对尺寸较小；NT系列熔断器④价格较便宜。（2）熔断器的主要缺点①故障熔断后必须更换熔断体；②保护功能单一，只有一段过电流反时限特性，过载、短路和接地故障都用此防护；③发生一相熔断时，对三相电动机将导致两相运转的不良后果，当然可用带...

（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。 [7]2. 检测比较高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此最高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 [7]双向触...

当无光照时，光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时，可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源，能够直接把光能变成电能。 [4]发光二极管发光二极管发光二极管是...

IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。多使用在工业用电机、民用小容量电机、变换器（逆变器）、照相机的频闪观测器、感应加热（InductionHeating）电饭锅等领域。根据封装的不同，IGBT大致分为两种类型，...

图1（a）所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N基 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟...

在正常工作情况下，电流可以从引线端子A进入，通过瓷心细孔内的金属钠，传导到不锈钢外壳，并由出线端子B引出。当短路电流通过熔断器时，短路电流将瓷心细孔部分的金属钠迅速加热，使之由固体变成高温高压状态的等离子体蒸气，电阻率迅速增加，从而对短路电流起强烈的限流作用，...

熔断器是**简单的保护电器，它用来保护电气设备免受过载和短路电流的损害；按安装条件及用途选择不同类型高压熔断器如屋外跌落式、屋内式，对于一些**设备的高压熔断器应选**系列；我们常说的保险丝就是熔断器类。当今社会能源危机和环境污染问题与日俱增，全国大面积的雾霾...

正式商用的高压大电流IGBT器件至今尚未出现，其电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求，特别是在高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上。目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采...

2、保护单台长期工作的电机熔体电流可按比较大起动电流选取，也可按下式选取：IRN ≥ (1.5～2.5)IN式中IRN：熔体额定电流；IN：电动机额定电流。如果电动机频繁起动，式中系数可适当加大至3～3.5，具体应根据实际情况而定。3、保护多台长期工作的电机（...

这种方法虽然准确但太繁琐，一般情况下我们可以简单地利用IGBT数据手册中所给出的输入电容Cies值近似地估算出门极电荷：如果IGBT数据表给出的Cies的条件为VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的认为Cin=4.5Ci...

大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2（P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2（以硅单晶为基本...

2. 额定电压：熔断器所在电路中的最高电压不应超过熔断器的额定电压。3.额定电流：通过熔断器的工作电流不应超过额定电流的75%。4. 短路截流能力：熔断器所在的电路中可能出现的最大短路电流不应超过熔断器的短路截流能力。5. 熔断特性：熔断器在出现需要切断的过载...

电力熔断器是熔断器（fuse）的其中一种，是指当电流超过规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断，断开电路的一种电器。熔断器是根据电流超过规定值一段时间后，以其自身产生的热量使熔体熔化，从而使电路断开；运用这种原理制成的一种电流保护器。熔断器广泛应用于高低压配电系...

电力熔断器的结构与熔断器的结构大致相同。它主要由熔体、外壳和支座3部分组成，其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金，其熔点低容易熔断，由于其电阻率较大，故制成熔体的截面尺寸...

路器一般由触头系统、灭弧系统、操作机构、脱扣器、外壳等构成。当短路时，大电流（一般10至12倍）产生的磁场克服反力弹簧，脱扣器拉动操作机构动作，开关瞬时跳闸。当过载时，电流变大，发热量加剧，双金属片变形到一定程度推动机构动作（电流越大，动作时间越短）。有电子型...

安秒特性：熔断器的动作是靠熔体的熔断来实现的，熔断器有个非常明显的特性，就是安秒特性。熔断器（图6）对熔体来说，其动作电流和动作时间特性即熔断器的安秒特性，也叫反时延特性，即：过载电流小时，熔断时间长；过载电流大时，熔断时间短。对安秒特性的理解，我们从焦耳定律...

断路器是指能够关合、承载和开断正常回路条件下的电流并能在规定的时间内关合、承载和开断异常回路条件下的电流的开关装置。断路器按其使用范围分为高压断路器与低压断路器，高低压界线划分比较模糊，一般将3kV以上的称为高压电器。断路器可用来分配电能，不频繁地启动异步电动...