同时，微光显微镜（EMMI）带来的高效失效分析能力，能大幅缩短研发周期。在新产品研发阶段，快速发现并解决失效问题，可避免研发过程中的反复试错，加快产品从实验室走向市场的速度。当市场需求瞬息万变时，更快的研发响应速度意味着企业能抢先推出符合市场需求的产品，抢占市场先机。例如，在当下市场 5G 芯片、AI 芯片等领域，技术迭代速度极快，谁能更早解决研发中的失效难题，谁就能在技术竞争中争先一步，建立起差异化的竞争优势。微光显微镜分析 3D 封装器件光子，结合光学原理和算法可预估失效点深度，为失效分析和修复提供参考。检测用微光显微镜故障维修

在半导体芯片漏电检测中，微光显微镜为工程师快速锁定问题位置提供了关键支撑。当芯片施加工作偏压时，设备即刻启动检测模式 —— 此时漏电区域因焦耳热效应会释放微弱的红外辐射，即便辐射功率为 1 微瓦，高灵敏度探测器也能捕捉到这一极微弱信号。这种检测方式的在于，通过热成像技术将漏电点的红外辐射转化为可视化热图，再与电路版图进行叠加分析，可实现漏电点的微米级精确定位。相较于传统检测手段，微光设备无需拆解芯片即可完成非接触式检测，既避免了对芯片的二次损伤，又能在不干扰正常电路工作的前提下，捕捉到漏电区域的细微热信号。检测用微光显微镜故障维修与原子力显微镜联用时，微光显微镜可同步获取样品的表面形貌和发光信息，便于关联材料的结构与电气缺陷。

在故障分析领域，微光显微镜（EmissionMicroscope,EMMI）是一种极具实用价值且效率出众的分析工具。其功能是探测集成电路（IC）内部释放的光子。在IC元件中，电子-空穴对（ElectronHolePairs,EHP）的复合过程会伴随光子（Photon）的释放。具体可举例说明：当P-N结施加偏压时，N区的电子会向P区扩散，同时P区的空穴也会向N区扩散，随后这些扩散的载流子会与对应区域的载流子（即扩散至P区的电子与P区的空穴、扩散至N区的空穴与N区的电子）发生EHP复合，并在此过程中释放光子。

当芯片内部存在漏电缺陷，如结漏电、氧化层漏电时，电子-空穴对复合会释放光子，微光显微镜(EMMI)能捕捉并定位。对于载流子复合异常情况，像闩锁效应、热电子效应引发的失效，以及器件在饱和态晶体管、正向偏置二极管等工作状态下的固有发光，它也能有效探测，为这类与光子释放相关的失效提供关键分析依据。

而热红外显微镜则主要用于排查与热量异常相关的芯片问题。金属互联短路、电源与地短接会导致局部过热，其可通过检测红外辐射差异定位。对于高功耗区域因设计缺陷引发的电流集中导致的热分布异常，以及封装或散热结构失效造成的整体温度异常等情况，它能生成温度分布图像，助力找出热量异常根源。 热电子与晶格相互作用及闩锁效应发生时也会产生光子，在显微镜下呈现亮点。

EMMI的本质只是一台光谱范围广，光子灵敏度高的显微镜。

但是为什么EMMI能够应用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成电路在通电后会出现三种情况：1.载流子复合；2.热载流子；3.绝缘层漏电。当这三种情况发生时集成电路上就会产生微弱的荧光，这时EMMI就能捕获这些微弱荧光，这就给了EMMI一个应用的机会而在IC的失效分析中，我们给予失效点一个偏压产生荧光，然后EMMI捕获电流中产生的微弱荧光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要满足其机理在EMMI下都能观测到荧光 微光显微镜可搭配偏振光附件，分析样品的偏振特性，为判断晶体缺陷方向提供独特依据，丰富检测维度。非制冷微光显微镜新款

介电层漏电时，微光显微镜可检测其光子定位位置，保障电子器件绝缘结构可靠，防止电路故障。检测用微光显微镜故障维修

半导体材料分为直接带隙半导体和间接带隙半导体，而Si是典型的直接带隙半导体，其禁带宽度为1.12eV。所以当电子与空穴复合时，电子会弹射出一个光子，该光子的能量为1.12eV，根据波粒二象性原理，该光子的波长为1100nm，属于红外光区。通俗的讲就是当载流子进行复合的时候就会产生1100nm的红外光。这也就是产生亮点的原因之一：载流子复合。所以正偏二极管的PN结处能看到亮点。如果MOS管产生latch-up现象，（体寄生三极管导通）也会观察到在衬底处产生荧光亮点。检测用微光显微镜故障维修