致晟光电的一体化检测设备,不仅是技术的集成,更是对半导体失效分析逻辑的重构。它让 “微观观测” 与 “微弱信号检测” 不再是选择题,而是能同时实现的标准配置。在国产替代加速推进的背景下,这类自主研发的失效分析检测设备,正逐步打破国外品牌在半导体检测领域的技术垄断,为我国半导体产业的高质量发展提供坚实的设备支撑。未来随着第三代半导体、Micro LED 等新兴领域的崛起,对失效分析的要求将进一步提升,而致晟光电的技术探索,无疑为行业提供了可借鉴的创新路径。系统的逻辑是通过 “周期性激励 - 热响应 - 锁相提取 - 特征分析” 的流程,将内部结构差异转化为热图像特征。直销锁相红外热成像系统仪器
与传统的热成像技术相比,锁相热成像系统拥有诸多不可替代的优势。传统热成像技术往往只能检测到物体表面的温度分布,对于物体内部不同深度的缺陷难以有效区分,而锁相热成像系统通过对相位信息的分析,能够区分不同深度的缺陷,实现了分层检测的突破,完美解决了传统技术在判断缺陷深度上的难题。不仅如此,它的抗干扰能力也极为出色,在强光照射、强烈电磁干扰等复杂且恶劣的环境下,依然能够保持稳定的工作状态,为工业质检工作提供了坚实可靠的技术保障,确保了检测结果的准确性和一致性,这在对检测精度要求极高的工业生产中尤为重要。国产锁相红外热成像系统方案锁相热成像系统提升电激励检测的缺陷识别率。
在产品全寿命周期中,失效分析以解决失效问题、确定根本原因为目标。通过对失效模式开展综合性试验分析,它能定位失效部位,厘清失效机理——无论是材料劣化、结构缺陷还是工艺瑕疵引发的问题,都能被系统拆解。在此基础上,进一步提出针对性纠正措施,从源头阻断失效的重复发生。作为贯穿产品质量控制全流程的关键环节,失效分析的价值体现在对全链条潜在风险的追溯与排查:在设计(含选型)阶段,可通过模拟失效验证方案合理性;制造环节,能锁定工艺偏差导致的批量隐患;使用过程中,可解析环境因素对性能衰减的影响;质量管理层面,则为标准优化提供数据支撑。
先进的封装应用、复杂的互连方案和更高性能的功率器件的快速增长给故障定位和分析带来了前所未有的挑战。有缺陷或性能不佳的半导体器件通常表现出局部功率损耗的异常分布,导致局部温度升高。RTTLIT系统利用锁相红外热成像进行半导体器件故障定位,可以准确有效地定位这些目标区域。LIT是一种动态红外热成像形式,与稳态热成像相比,其可提供更好的信噪比、更高的灵敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半导体失效分析中用于定位线路短路、ESD缺陷、氧化损坏、缺陷晶体管和二极管以及器件闩锁。LIT可在自然环境中进行,无需光屏蔽箱。电激励模块是通过源表向被测物体施加周期性方波电信号,通过焦耳效应使物体产生周期性的温度波动。
在电子领域,所有器件都会在不同程度上产生热量。器件散发一定热量属于正常现象,但某些类型的缺陷会增加功耗,进而导致发热量上升。在失效分析中,这种额外的热量能够为定位缺陷本身提供有用线索。热红外显微镜可以借助内置摄像系统来测量可见光或近红外光的实用技术。该相机对波长在3至10微米范围内的光子十分敏感,而这些波长与热量相对应,因此相机获取的图像可转化为被测器件的热分布图。通常,会先对断电状态下的样品器件进行热成像,以此建立基准线;随后通电再次成像。得到的图像直观呈现了器件的功耗情况,可用于隔离失效问题。许多不同的缺陷在通电时会因消耗额外电流而产生过多热量。例如短路、性能不良的晶体管、损坏的静电放电保护二极管等,通过热红外显微镜观察时会显现出来,从而使我们能够精细定位存在缺陷的损坏部位。电激励频率可调,适配锁相热成像系统多场景检测。中波锁相红外热成像系统订制价格
电激励强度可控,保障锁相热成像系统检测安全。直销锁相红外热成像系统仪器
致晟光电推出的多功能显微系统,创新实现热红外与微光显微镜的集成设计,搭配灵活可选的制冷/非制冷模式,可根据您的实际需求定制专属配置方案。这套设备的优势在于一体化集成能力:只需一套系统,即可同时搭载可见光显微镜、热红外显微镜及InGaAs微光显微镜三大功能模块。这种设计省去了多设备切换的繁琐,更通过硬件协同优化提升了整体性能,让您在同一平台上轻松完成多波段观测任务。相比单独购置多套设备,该集成系统能大幅降低采购与维护成本,在保证检测精度的同时,为实验室节省空间与预算,真正实现性能与性价比的双重提升。直销锁相红外热成像系统仪器