我司专注于微弱信号处理技术的深度开发与场景化应用，凭借深厚的技术积累，已成功推出多系列失效分析检测设备及智能化解决方案。更懂本土半导体产业的需求，软件界面贴合工程师操作习惯，无需额外适配成本即可快速融入产线流程。

性价比优势直击痛点：相比进口设备，采购成本降低 30% 以上，且本土化售后团队实现 24 小时响应、48 小时现场维护，备件供应周期缩短至 1 周内，彻底摆脱进口设备 “维护慢、成本高” 的困境。用国产微光显微镜，为芯片质量把关，让失效分析更高效、更经济、更可控！ 微光显微镜分析 3D 封装器件光子，结合光学原理和算法可预估失效点深度，为失效分析和修复提供参考。高分辨率微光显微镜平台

微光显微镜（EMMI）无法探测到亮点的情况:

一、不会产生亮点的故障有欧姆接触（OhmicContact）金属互联短路（MetalInterconnectShort）表面反型层（SurfaceInversionLayer）硅导电通路（SiliconConductingPath）等。

二、亮点被遮蔽的情况有掩埋结（BuriedJunctions）及金属下方的漏电点（LeakageSitesunderMetal）。此类情况可采用背面观测模式（backsidemode），但该模式*能探测近红外波段的发光，且需对样品进行减薄及抛光处理等。 什么是微光显微镜批量定制微光显微镜在 LED 故障分析中作用关键，可检测漏电倒装、短路倒装及漏电垂直 LED 芯片的异常点。

企业用户何如去采购适合自己的设备？

功能侧重的差异，让它们在芯片检测中各司其职。微光显微镜的 “专长” 是识别电致发光缺陷，对于逻辑芯片、存储芯片等高密度集成电路中常见的 PN 结漏电、栅氧击穿、互连缺陷等细微电性能问题，它能提供的位置信息，是芯片失效分析中定位 “电故障” 的工具。

例如，在 7nm 以下先进制程芯片的检测中，其高灵敏度可捕捉到单个晶体管异常产生的微弱信号，为工艺优化提供关键依据。

热红外显微镜则更关注 “热失控” 风险，在功率半导体、IGBT 等大功率器件的检测中表现突出。这类芯片工作时功耗较高，散热性能直接影响可靠性，短路、散热通道堵塞等问题会导致局部温度骤升，热红外显微镜能快速生成热分布图谱，直观呈现热点位置与温度梯度，帮助工程师判断散热设计缺陷或电路短路点。在汽车电子等对安全性要求极高的领域，这种对热异常的敏锐捕捉，是预防芯片失效引发安全事故的重要保障。

同时，微光显微镜（EMMI）带来的高效失效分析能力，能大幅缩短研发周期。在新产品研发阶段，快速发现并解决失效问题，可避免研发过程中的反复试错，加快产品从实验室走向市场的速度。当市场需求瞬息万变时，更快的研发响应速度意味着企业能抢先推出符合市场需求的产品，抢占市场先机。例如，在当下市场 5G 芯片、AI 芯片等领域，技术迭代速度极快，谁能更早解决研发中的失效难题，谁就能在技术竞争中争先一步，建立起差异化的竞争优势。红外成像可以不破坏芯片封装，尝试定位未开封芯片失效点并区分其在封装还是 Die 内部，利于评估芯片质量。

在半导体 MEMS 器件检测领域，微光显微镜凭借其超灵敏的感知能力，展现出不可替代的技术价值。MEMS 器件的结构往往以微米级尺度存在，这些微小部件在运行过程中会产生极其微弱的红外辐射变化 —— 这种信号强度常低于常规检测设备的感知阈值，却能被微光显微镜及时捕捉。通过先进的光电转换与信号放大技术，微光设备将捕捉到的红外辐射信号转化为直观的动态图像。通过图像分析工具，可量化提取结构的位移幅度、振动频率等关键参数。这种检测方式突破了传统接触式测量对微结构的干扰问题。漏电结和接触毛刺会产生亮点，这些亮点产生的光子能被微光显微镜捕捉到。什么是微光显微镜市场价

分析低阻抗短路时，微光显微镜可用于未开盖样品测试，还能定位大型 PCB 上金属线路及元器件失效点。高分辨率微光显微镜平台

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。高分辨率微光显微镜平台