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性能的差别将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。...

可控整流：与整流器件构成调压电路，使整流电路输出电压具有可调**流调压：通过控制晶闸管的导通角来调节交流电压的大小。无触点电子开关：在电路中起到可控电子开关的作用，控制电路的接通和断开。逆变及变频：在逆变和变频电路中作为关键器件使用。五、设计注意事项在晶闸管的...

晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它的主要功能是控制电流的开关，能够在高电压和大电流的条件下稳定工作。晶闸管的基本结构由四层半导体材料（P-N-P-N结构）组成，具有三个PN结。晶闸管的工作原理是，当施加一个触发信号到其门极...

若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：1） 使正向导通电流值小于其工作维持电流值；2） 使 A、K 之间电压反向。可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流 的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若...

为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。3、关于转换电流变化率当负载电流增大，电源频率的增高或电源为非正弦波时，会使转换电流变化率变高，这种...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，...

1、“给定”电位器旋钮逆时针到底置**小位置，2SA 按钮置“停机”位置，此时无输出电 压。再断开交流接触器，运行指示灯暗，然后切断电源。2、整流柜面板上调节电压作为“给定” 。3、“稳流”或“稳压”通过 1SA 按钮转换。4、调节电流作为调节板上的偏置电压，...

性能的差别将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。...

门极输入电容Cies 由CGE 和CGC 来表示，它是计算IGBT 驱动器电路所需输出功率的关键参数。该电容几乎不受温度影响，但与IGBT集电极-发射极电压VCE 的电压有密切联系。在IGBT数据手册中给出的电容Cies 的值，在实际电路应用中不是一个特别有用...

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET...

1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个...

四、直流输电用这类整流变压器的电压一般在110kV以上，容量在数万千伏安。需特别注意对地绝缘的交、直流叠加问题。 此外还有电镀用或电加工用直流电源，励磁用直流电源，充电用及静电除尘用直流电源等。应用整流变**多的化学行业中，大功率整流装置也是二次电压低，电流...

可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的...

4、各种保护功能相对**，保护定值、实现、闭锁条件和保护投退可**整定和配制。5、保护功能实现不依赖于通讯网络，满足电力系统保护的可靠性。整流变压器微机保护装置具备进线保护、出现保护，分段保护、配变保护、电动机保护、电容器保护、主变后备保护、发电机后备保护、P...

DP型18脉冲自耦变压整流器图2 DP 型 18 脉冲自耦变压整流器电路图DP型18脉冲自耦变压整流器的电路原理如右图2所示，自耦变压器用于产生满足整流器要求的三组三相电压。在三组三相电压中，其中主三相电压（Va，Vb，Vc）与电网输入电压幅值相位相同，直接供...

而对于5次和7次谐波电流，以及更高次16(2n+1)±1，n=0，1，2，…的谐波电流来说，两组6脉波TCR在变压器的一次侧产生的谐波电流幅值相等，但相位刚好相反，二者相互抵消。所以在一次侧的线电流里将*含12n±1(13为整数)次谐波，也使得对谐波滤波器的要...

这个直流方波电压经过 Lf和 Cf组成的输出滤波器后成为一个平直的直流电压，其电压值为VO =D*Vin/K，其中 D 是占空比，D=2Ton/Ts，Ton 是导通时间，Ts 是开关周期。通过调节占空比D来调节输出电压 VO。 这种基本的全桥 PWM 开关变换...

可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制...

这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。晶闸管特点“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就...

整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图3所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有比较大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是...

建筑与家用电器：在建筑照明系统中，晶闸管模块通过智能模块精确控制灯光亮度，可以实现节能环保的效果。同时，在空调、洗衣机、微波炉等家电中，晶闸管模块用于实现准确的温控和能耗管理，提高了设备的使用寿命和可靠性。医疗设备：晶闸管模块用于控制X射线机、CT扫描仪等设备...

目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不...

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在...

（4）过载能力强：产品具有较强的过负载能力和过电压能力，可在额定负载情况下长期安全运行，可在110%过电压情况下满负载长期安全运行（环境温度40℃）；变压器与电机相联的端子上能承受1.5倍额定电流，历时5S。产品设计、制造充分考虑负载特性，从温升、绝缘性能及附...

电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的***、二、三层...

测量静态测量:把万用表放在乘100档,测量黑表笔接1端子、红表笔接2端子,显示电阻应为无穷大; 表笔对调,显示电阻应在400欧左右.用同样的方法,测量黑表笔接3端子、红表笔接1端子, 显示电阻应为无穷大;表笔对调,显示电阻应在400欧左右.若符合上述情况表明此...

KP型晶闸管（phase control thyristor），又叫普通晶闸管，是用于可控整流的设备。定义：应用PNPN四层半导体结构和三极（阴极，阳极，门极）实现可控整流功能。晶闸管T在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电...

外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明...

变压器生产的ZSS、ZS系列整流变压器用作整流装置的电源变压器，其作用是向整流器提供交流电源，整流器再将交流电变换为直流电，从而进行直流供电。主要应用于冶金、化工、机车牵引与传动等行业。产品节能、低损耗、低噪声、抗冲击和抗短路能力强。过载能力强、结构紧凑、体积...

（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。可控硅开关（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅...