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IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动...

E 节能照明：隧道照明，路灯照明，摄影照明，舞台灯光F 化学工业：蒸馏蒸发，预热系统，管道加热，石油化工，温度补偿G 其它行业：盐浴炉，工频感应炉，淬火炉温控，热处理炉温控，金刚石压机加热，大功率充磁/退磁设备，航空电源调压，中央空调电加热器温控，纺织机械，水...

阻性负载：模块标称电流应为负载额定电流的2倍。感性负载：模块标称电流应为负载额定电流的3倍。2、导通角要求模块在较小导通角时（即模块高输入电压、低输出电压）输出较大电流，这样会使模块严重发热甚至烧毁。这是因为在非正弦波状态下用普通仪表测出的电流值，不是有效值，...

若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，...

触发电流（I_gt）和触发电压（V_gt）：用于触发晶闸管导通的电流和电压。关断时间（t_q）：晶闸管从完全导通状态到完全关断状态所需的时间。导通压降（V_f）：晶闸管在导通状态下两端的电压降。浪涌电流能力（I_tsm）：晶闸管能够承受的短时过载电流。动态dv...

4、故障解除：当整流器故障时，发出灯光报警信号并停机，操作人员应在排除故障以后可 合闸，否则将扩大故障范围，造成更大损失，故障排除后，可将 K 主令开关置一下，除去电 笛声，排除故障后，然后按正常运行程序开机。5、起动后，直流输出电压或电流达不到额定值则丢脉冲...

2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅...

保护装置整流变压器微机保护装置是由高集成度、总线不出芯片单片机、高精度电流电压互感器、高绝缘强度出口中间继电器、高可靠开关电源模块等部件组成。是用于测量、控制、保护、通讯为一体化的一种经济型保护。整流变压器微机保护装置的优点1、可以满足库存配制有二十几种保护，...

(2) 认真核对变压器基础横、纵轴线尺寸及预埋管位置，并与图纸所给尺寸核对，无误后方可进行下一步工作。2.2 变压器开箱检查(1) 变压器到货后开箱检查时，应会同业主、监理及厂家的有关人员一同检查。(2) 在卸车前测量和记录冲击记录器的冲击值，这个数值应小于3...

触发电流（I_gt）和触发电压（V_gt）：用于触发晶闸管导通的电流和电压。关断时间（t_q）：晶闸管从完全导通状态到完全关断状态所需的时间。导通压降（V_f）：晶闸管在导通状态下两端的电压降。浪涌电流能力（I_tsm）：晶闸管能够承受的短时过载电流。动态dv...

可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。 可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的...

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在...

同时，晶闸管模块的智能化和模块化趋势也日益明显。通过集成先进的控制算法和通信技术，晶闸管模块能够实现更复杂的电力电子控制和能源管理功能，为未来的智能电网和分布式能源系统提供有力支持。综上所述，晶闸管模块作为现代电力电子技术中的重要器件，以其独特的性能和广阔的应...

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块（semiconductor module）。**早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整...

当控制极G接收到触发信号时，晶闸管会从截止状态转变为导通状态。值得注意的是，一旦晶闸管导通，即使控制极信号消失，只要阳极和阴极间维持着正向电压，它将继续保持导通状态，直到阳极电流降至维持电流以下或阳极出现反向偏置时，才会重新回到截止状态。二、应用领域晶闸管模块...

普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。pnpn四层半导体结构，有三个极：阳极、阴极和门极。 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。普通晶闸管t在工作过程中，它的阳极a和阴极k与...

b、主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。 d、仪器测量时，将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁**合适。当手工焊...

通常，小规模的ipm的特点在于其引线框架技术。穿孔铜板用作功率开关和驱动ic的载体。通过一层薄薄的塑料或绝缘金属板进行散热。 用于中高功率应用的ipm模块的设计特点是将模块分为两个层次。功率半导体在底部，驱动器和保护电路在上部。本领域内名气比较大的ipm是赛...

性能的差别将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。...

2010年，中国科学院微电子研究所成功研制国内***可产业化IGBT芯片，由中国科学院微电子研究所设计研发的15-43A /1200V IGBT系列产品（采用Planar NPT器件结构）在华润微电子工艺平台上流片成功，各项参数均达到设计要求，部分性能优于国外...

IGBT是先进的第三代功率模块，工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路，即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、UPS、开关电源、斩波电源、无轨电车等。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件，例SCR、GTO、GTR...

将其分成两个6脉波TCR来进行分析。以一次测A相基波线电流为参考向量，表示了一个星一星联结变压器的TCR在其一次侧产生的基波、5次和7次线电流的向量图。同样的，我们也可以得到星形一三角形联结变压器的TCR在其一次侧产生的基波、5次和7次线电流的向量图。由于都是...

当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。二是降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁...

实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。 IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的...

二者比较单向可控硅和双向可控硅，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相关连，其引出端称T1极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为...

电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的***、二、三层...

当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：一是防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。二是降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁...

其特点是：超前桥臂实现零电压开通，原理不变；滞后桥臂实现零电流关断，开关管两端不再并联电容，以避免开通时电容释放的能量加大开通损耗。在此对移相全桥 ZVZCS PWM 变换器的基本原理做一简要介绍。 [5]图4 工作波形基本移相全桥 ZVZCS 电路及主要工作...

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET...

[3](2)如果主电极T2仍加正向电压，而把触发信号改为反向信号(图5b)，这时双向可控硅触发导通后，通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做“***象限的负触发”或称为I-触发方式。(3)两个主电极加上反向电压U12(图5c)，输入正向触发信号，...