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若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断...

移相方法移相方法就是二次侧采用星、角联结的两个绕组，可以使整流电炉的脉波数提高一倍。10kv干式整流变压器对于大功率整流设备，需要脉波数也较多，脉波数为18、24、36等应用的日益增多，这就必须在整流变压器一次侧设置移相绕组来进行移相。移相绕组与主绕组联结方式...

确定IGBT 的门极电荷对于设计一个驱动器来说，**重要的参数是门极电荷QG(门极电压差时的IGBT 门极总电荷)，如果在IGBT 数据手册中能够找到这个参数，那么我们就可以运用公式计算出：门极驱动能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on)...

fsw max. : 比较高开关频率IoutAV :单路的平均电流QG : 门极电压差时的 IGBT门极总电荷RG extern : IGBT 外部的门极电阻RG intern : IGBT 芯片内部的门极电阻但是实际上在很多情况下，数据手册中这个门极电荷参数...

表1 IGBT门极驱动条件与器件特性的关系由于IGBT的开关特性和安全工作区随着栅极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能的好坏将直接影响IGBT能否正常工作。为使IGBT能可靠工作。IGBT对其驱动电路提出了以下要求。1)向IGBT提供适当的正向栅压。并且在...

普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件，出现于70年代。pnpn四层半导体结构，有三个极：阳极、阴极和门极。 晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。普通晶闸管t在工作过程中，它的阳极a和阴极k与...

电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的***、二、三层...

晶闸管整流器是一种整流器，拖动装置的直流电源是利用晶闸管整流器的直流电压向提升电动机供电。这种拖动装置的直流电源是利用晶闸管整流器的直流电压向提升电动机供电，所以又称。电动机的电枢和磁场均可由晶闸管整流器供电，因为该整流器的直流电压可通过触发延迟角均匀调节，电...

目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不...

但是，它除了其中一个电极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示；国外的资料也有用“TRIAC”来...

该电子为p+n-p晶体管的少数载流子，从集电极衬底p+层开始流入空穴，进行电导率调制（双极工作），所以可以降低集电极－发射极间饱和电压。在发射极电极侧形成n+pn－寄生晶体管。若n+pn－寄生晶体管工作，又变成p+n－ pn+晶闸管。电流继续流动，直到输出侧停...

四、直流输电用这类整流变压器的电压一般在110kV以上，容量在数万千伏安。需特别注意对地绝缘的交、直流叠加问题。 此外还有电镀用或电加工用直流电源，励磁用直流电源，充电用及静电除尘用直流电源等。应用整流变**多的化学行业中，大功率整流装置也是二次电压低，电流...

光控晶闸管：通过光照度触发导通，具有很强的抗干扰能力和良好的高压绝缘性能。特点：体积小、效率高、寿命长。能以毫安级电流控制大功率的机电设备。反应极快，在微秒级内开通、关断。无触点运行，无火花、无噪音。但静态及动态的过载能力较差，容易受干扰而误导通。三、主要参数...

右图给出自耦式12脉冲变压整流器，变压器用于产生满足整流器要求的两组三相电压，两组三相电压（Va''，Vb''，Vc''）与(Va'，Vb'，Vc')分别超前与滞后于输入三相电压15°，两组三相电压输出分别连接到整流桥1和整流桥2，整流桥输出通过平衡电抗器并联...

（2）可以采用开关电源，也可采用线性电源（即变压器整流式稳压电源）。开关电源外壳应带屏蔽罩。线性电源要求滤波电容必须≥2200μf/25V。（3）控制电源极性要求正确接入模块控制端口，严禁反接。否则将烧坏模块控制电路。4、使用环境要求（1）工作场所环境温度范围...

电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。电压测方法可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作原理。首先，可以把从阴极向上数的***、二、三层...

1、栅极上的噪声电平在有电噪声的环境中，如果栅极上的噪声电压超过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。应用安装时，首先要使栅极外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个...

（3）器身：器身绝缘垫块均采用**度的层压木和层压纸板支撑，使绕组的端部的支撑面积达到95%以上，进一步提高了产品抗短路能力，提高产品的运行可靠性。器身与箱盖的连接采用了呆板带缓冲结构，克服了器身“悬空”和“顶盖”现象。绝缘材料均采用**度、高密度电缆纸包绕，...

它的缺点是对电网无功冲击大，从而产生较大的起动压降;它的高次谐波会影响电网电压波形，干扰其他用电设备;它的运行功率因数低等。但整流变压器采取特殊接线，电枢回路的晶闸管整流器分成两组串接，采取所谓“顺序控制”方法，可以减少无功的需要量，可以消除危害较大的5次和7...

E 节能照明：隧道照明，路灯照明，摄影照明，舞台灯光F 化学工业：蒸馏蒸发，预热系统，管道加热，石油化工，温度补偿G 其它行业：盐浴炉，工频感应炉，淬火炉温控，热处理炉温控，金刚石压机加热，大功率充磁/退磁设备，航空电源调压，中央空调电加热器温控，纺织机械，水...

PNPN四层组成(2)可控硅由关断转为导通必须同时具备两个条件:(1〕受正向阳极电压;(2)受正向门极电压。(3)可控硅导通后，当阳极电流小干维持电流In时.可控硅关断。(4)可控硅的特性主要是:1.阳极伏安特性曲线，2.门极伏安特性区。(5)应在额定参数范围...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，...

在这r1个分段TCR中，只有一个分段TCR的触发角是受控的，其他的分段TCR要么是全导通，要么是全关断，以吸收制定量的无功功率。由于每个分段TCR的电感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就减小了n倍，受控TCR产生的谐波相对于额定基波电流也减小了n倍。采用上述...

散热性能好：模块设计通常考虑了散热问题，能够在高功率下稳定工作。在使用晶闸管模块时，需要注意其工作环境、散热设计以及触发电路的设计，以确保其正常运行和延长使用寿命。晶闸管（Thyristor）是一种半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它是一种具有四层半导体材料...

IGBT功率模块是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）构成的功率模块。由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离，具有出色的器件性能。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。IGBT功率模块是电压型控制，输入阻抗大，驱动...

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。MOSFET由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET...

一个有趣的趋势是将标准模块升级为ipm。可直接或使用带驱动电路（通过弹簧连接）的适配器板来进行升级。赛米控的skypertm驱动器是这方面理想的产品。 2、集成子系统 所有这些ipm的共同点是真实的“智能”，即将设定点值转换成驱动脉冲序列的控制器不包含在模...

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在***的电力电子领域中已经得到广泛的应用，在实际使用中除IGBT自身外，IGBT 驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 IGBT ...

光控晶闸管：通过光照度触发导通，具有很强的抗干扰能力和良好的高压绝缘性能。特点：体积小、效率高、寿命长。能以毫安级电流控制大功率的机电设备。反应极快，在微秒级内开通、关断。无触点运行，无火花、无噪音。但静态及动态的过载能力较差，容易受干扰而误导通。三、主要参数...