伊人网91_午夜视频精品_韩日av在线_久久99精品久久久_人人看人人草_成人av片在线观看

采用焊接或粘接等方式将主电极6、连接桥板5、绝缘体7以及底板l可靠的固定连接，外壳9则固定在底板1上，外壳9的顶部具有定位凹槽91。见图1所示，本实用新型的主电极6为两个以上折边的条板，同样经弯曲后的主电极6也具有吸收和释放机械应力和热应力的特点，主电极6的内侧与连接桥板5固定连接，主电极6的另一侧穿出外壳9并弯折后覆在外壳9顶部，而覆在外壳9顶部的主电极6上设有过孔61，该过孔61与壳体9上的定位凹槽91对应，定位凹槽91的槽边至少设有两个平行的平面，可对螺母进行定位，由于主电极6不受外力，可保证二极管芯片3不受外力影响，在定位凹槽91的下部设有过孔，保证螺栓不会顶在壳体9上，而下过...

同一代技术中通态损耗与开关损耗两者相互矛盾,互为消长。IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主，中低压IGBT模块则出现了很多新技术，如烧结取代焊接，压力接触取代引线键合的压接式封装工艺。随着IGBT芯片技术的不断发展，芯片的**高工作结温与功率密度不断提高，IGBT模块技术也要与之相适应。未来IGBT模块技术将围绕芯片背面焊接固定与正面电极互连两方面改进。模块技术发展趋势：无焊接、无引线键合及无衬板/基板封装技术；内部集成温度传感器、电流传感器及驱动电路等功能元件，不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。IGBT的主要应...

所述工装槽321设置在向上翘起的所述端部上。这样，所述压紧部上设置有所述工装槽的部分就不会贴合在igbt单管上，方便从所述工装槽内退出工装。如图1所示，可选的，所述igbt单管2的数量为一个以上，各所述igbt单管2成排设置在所述安装板1上。本实施例中，应当理解的是，各所述igbt单管之间相互并联，且各所述igbt单管之间的并联方法属于现有技术，例如：各所述igbt单管通过母线铜排相并联，本实施例对各所述igbt单管之间的电连接关系不再赘述。各所述igbt单管成排布置，一方面方便对各所述igbt单管进行辨认和电连接，另一方面还便于各所述压紧件的布置。如图1和图2所示，可选的，所述压紧件...

可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。**早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。 可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类；从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相...

7)固定在底板(1)上，顶部具有定位凹槽的外壳(9)固定在底板(1)上；所述的主电极(6)为两个以上折边的条板，主电极(6)的内侧与连接桥板(5)固定连接，主电极(6)的另一侧穿出外壳(9)并覆在外壳(9)顶部，且覆在外壳(9)顶部的主电极(6)上设有过孔(61)并与壳体(9)上的定位凹槽(91)对应，下过渡层(4)、二极管芯片(3)、上过渡层(2)、连接桥板(5)、绝缘体(7)的外周以及主电极(6)的一侧灌注软弹性胶(8)密封。2、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块，其特征在于所述的连接桥板(5)为两端平板中部凸起的梯形。3、根据权利要求1所述的非绝缘双塔型二极管模块，其特征...

所以包装时将g极和e极之间要有导电泡沫塑料，将它短接。装配时切不可用手指直接接触，直到g极管脚进行长久性连接。b、主电路用螺丝拧紧，控制极g要用插件，尽可能不用焊接方式。c、装卸时应采用接地工作台，接地地面，接地腕带等防静电措施。d、仪器测量时，将1000电阻与g极串联。e、要在无电源时进行安装。f,焊接g极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁合适。当手工焊接时，温度2601c15'c.时间（10士1）秒，松香焊剂。波峰焊接时，pcb板要预热80'c-]05'c,在245℃时浸入焊接3-4IGBT功率模块发展趋势编辑igbt发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的，特...

也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块，即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块，6in1模块三相桥（3-Phasebridge模块的内部等效电流如图5所示。图5三相桥模块的内部等效电路三相桥模块也称为6in1模块，用于直接构成三相桥电路，也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器，不同的应用对IGBT的要求有所不同，故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块，如3-Phaseinvertermodule（三相逆变器模块）等。，CBI模...

导通延迟时间），td（off）（截止延迟时间），tr（上升时间）和开关损耗，在高频应用（超过5kHz）时，这种损耗应尽量避免。另外。驱动器本身的损耗也必须考虑。如果驱动器本身损耗过大，会引起驱动器过热，致使其损坏。**后，当M57962L被用在驱动大容量的IGBT时，它的慢关断将会增大损耗。引起这种现象的原因是通过IGBT的Gres（反向传输电容）流到M57962L栅极的电流不能被驱动器吸收。它的阻抗不是足够低，这种慢关断时间将变得更慢和要求更大的缓冲电容器应用M57962L设计的驱动电路如下图。电路说明：电源去耦电容C2～C7采用铝电解电容器，容量为100uF／50V，R1阻值取1k...

只需抬起所述压紧部远离所述连接部的一端，然后将igbt单管放置在所述压紧部下侧的安装板上，***松开所述压紧部即可将所述igbt单管压紧在所述安装板上。本实施例提供的所述压紧件的结构简单可靠，使用方便。如图3所示，可选的，所述连接部31包括连接板311、以及设置在所述连接板311一侧的凸起312；如图4所示，所述安装板1的上侧设置有挡板11和卡槽12，所述挡板11竖向设置且所述挡板11上开设有连接孔111或凹槽，所述卡槽12位于所述挡板11靠近所述igbt单管2的一侧；所述连接板311的下端插接在所述卡槽12内，所述连接板311侧部的凸起312位于在所述连接孔111或凹槽内。本实施例，...

大中小igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择2011-07-23王利刚QWE展开全文igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择上网时间:2011-05-04igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择igbt驱动电路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很...

IGBT由栅极（G）、发射（E）和集电极（C）三个极控制。如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电，使IGBT关断。由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块。河北品质模块市价模块 只需抬起所述压紧部远离所述连接部的一...

向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT单管产品图IGBT单管结构图IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型...

图1单管，模块的内部等效电路多个管芯并联时，栅极已经加入栅极电阻，实际的等效电路如图2所示。不同制造商的模块，栅极电阻的阻值也不相同；不过，同一个模块内部的栅极电阻，其阻值是相同的。图2单管模块内部的实际等效电路图IGBT单管模块通常称为1in1模块，前面的“1”表示内部包含一个IGBT管芯，后面的“1”表示同一个模块塑壳之中。2.半桥模块，2in1模块半桥（Halfbridge）模块也称为2in1模块，可直接构成半桥电路，也可以用2个半桥模块构成全桥，3个半桥模块也构成三相桥。因此，半桥模块有时候也称为桥臂（Phase-Leg）模块。图3是半桥模块的内部等效。不同的制造商的接线端子名...

只需抬起所述压紧部远离所述连接部的一端，然后将igbt单管放置在所述压紧部下侧的安装板上，***松开所述压紧部即可将所述igbt单管压紧在所述安装板上。本实施例提供的所述压紧件的结构简单可靠，使用方便。如图3所示，可选的，所述连接部31包括连接板311、以及设置在所述连接板311一侧的凸起312；如图4所示，所述安装板1的上侧设置有挡板11和卡槽12，所述挡板11竖向设置且所述挡板11上开设有连接孔111或凹槽，所述卡槽12位于所述挡板11靠近所述igbt单管2的一侧；所述连接板311的下端插接在所述卡槽12内，所述连接板311侧部的凸起312位于在所述连接孔111或凹槽内。本实施例，...

不*上桥臂的开关管要采用各自**的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用各自**的隔离电源，以避免回路噪声，各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3）在连接IGBT电极端子时，主端子电极间不能有张力和压力作用，连接线（条）必须满足应用，以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些，尽量垂直，不要平行放置。4）光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短，**好不要超过3cm。5）驱动信号隔离要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管，用接插件引...

igbt简介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管...

IGBT单管和IGBT功率模块PIM、IPM的区别是什么？作者：海飞乐技术时间：2018-04-1218:47IGBT功率模块采用封装技术集成驱动、保护电路和高能芯片一起的模块，已经从复合功率模块PIM发展到了智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM等。IGBT单管和IGBT功率模块的定义不同：IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装。IGBT模块：块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起，即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（I...

清晰描述出现的计算机软硬件故障。ProtuesProtues+关注Proteus软件是英国LabCenterElectronics公司出版的EDA工具软件（该软件中国总代理为广州风标电子技术有限公司）。它不*具有其它EDA工具软件的仿真功能，还能仿真单片机及**器件。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+关注在众多的51系列单片机中，要算国内STC公司的1T增强系列更具有竞争力，因他不但和8051指令、管脚完全兼容，而且其片内的具有大容量程序存储器且是FLASH工艺的，如STC12C5A60S2单片机内部就自带高达60KFLASHROM，这种工艺的存储器用户可以用电的方式瞬...

所以脉冲宽度下应小于300μs，通常取1ms，相当广50Hz正弦波的18°电角度。二、触发脉冲的型式要有助于可控硅触模块发电路导通时间的一致性对于可控硅串并联电路，要求并联或者串联的元件要同一时刻导通，使两个管子中流过的电流及或承受的电压及相同。否则，由于元件特性的分散性，在并联电路中使导通较早的元件超出允许范围，在串联电路中使导通较晚的元件超出允许范围而被损坏，所以，针对上述问题，通常采取强触发措施，使并联或者串联的可控硅尽量在同一时间内导通。三、触发电路的触发脉冲要有足够的移相范围并且要与主回路电源同步为了保证可控硅变流装置能在给定的控制范围内工作，必须使触发脉冲能在相应的范围内进...

大中小igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择2011-07-23王利刚QWE展开全文igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择上网时间:2011-05-04igbt驱动电路，igbt驱动电路图，igbt驱动电路的选择igbt驱动电路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很...

可通过连接桥板的变形来释放所受到的应力，加之主电极也为折弯的条板，主电极的一侧固定连接在连接桥板上，使主电极也能释放机械应力和热应力，因此可通过连接桥板以及主电极降低二极管芯片的机械应力和热应力，有效地降低了二极管在长期工作中因机械震动以及发热所产生的机械应力和热应力。2、本实用新型由于在壳体的顶部设有用于紧固件定位用的定位凹槽，而覆在壳体顶部的主电极上设有过孔并与壳体上的定位凹槽对应，由于螺钉安装时的力矩方向为水平方向，因此在模块装配及电极装配的过程中，主电极不再受外部机械应力的影响，故二极管芯片没有机械应力的作用，在工作运行时也不会受到机械应力的影响，提高了二极管工作可靠性。3、本...

导通延迟时间），td（off）（截止延迟时间），tr（上升时间）和开关损耗，在高频应用（超过5kHz）时，这种损耗应尽量避免。另外。驱动器本身的损耗也必须考虑。如果驱动器本身损耗过大，会引起驱动器过热，致使其损坏。**后，当M57962L被用在驱动大容量的IGBT时，它的慢关断将会增大损耗。引起这种现象的原因是通过IGBT的Gres（反向传输电容）流到M57962L栅极的电流不能被驱动器吸收。它的阻抗不是足够低，这种慢关断时间将变得更慢和要求更大的缓冲电容器应用M57962L设计的驱动电路如下图。电路说明：电源去耦电容C2～C7采用铝电解电容器，容量为100uF／50V，R1阻值取1k...

只需抬起所述压紧部远离所述连接部的一端，然后将igbt单管放置在所述压紧部下侧的安装板上，***松开所述压紧部即可将所述igbt单管压紧在所述安装板上。本实施例提供的所述压紧件的结构简单可靠，使用方便。如图3所示，可选的，所述连接部31包括连接板311、以及设置在所述连接板311一侧的凸起312；如图4所示，所述安装板1的上侧设置有挡板11和卡槽12，所述挡板11竖向设置且所述挡板11上开设有连接孔111或凹槽，所述卡槽12位于所述挡板11靠近所述igbt单管2的一侧；所述连接板311的下端插接在所述卡槽12内，所述连接板311侧部的凸起312位于在所述连接孔111或凹槽内。本实施例，...

清晰描述出现的计算机软硬件故障。ProtuesProtues+关注Proteus软件是英国LabCenterElectronics公司出版的EDA工具软件（该软件中国总代理为广州风标电子技术有限公司）。它不*具有其它EDA工具软件的仿真功能，还能仿真单片机及**器件。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+关注在众多的51系列单片机中，要算国内STC公司的1T增强系列更具有竞争力，因他不但和8051指令、管脚完全兼容，而且其片内的具有大容量程序存储器且是FLASH工艺的，如STC12C5A60S2单片机内部就自带高达60KFLASHROM，这种工艺的存储器用户可以用电的方式瞬...

IGBT单管和IGBT功率模块PIM、IPM的区别是什么？作者：海飞乐技术时间：2018-04-1218:47IGBT功率模块采用封装技术集成驱动、保护电路和高能芯片一起的模块，已经从复合功率模块PIM发展到了智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM等。IGBT单管和IGBT功率模块的定义不同：IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247、TO3P等封装。IGBT模块：块化封装就是将多个IGBT集成封装在一起，即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。PIM模块：集成整流桥+制动单元（PFC）+三相逆变（I...

图1单管，模块的内部等效电路多个管芯并联时，栅极已经加入栅极电阻，实际的等效电路如图2所示。不同制造商的模块，栅极电阻的阻值也不相同；不过，同一个模块内部的栅极电阻，其阻值是相同的。图2单管模块内部的实际等效电路图IGBT单管模块通常称为1in1模块，前面的“1”表示内部包含一个IGBT管芯，后面的“1”表示同一个模块塑壳之中。2.半桥模块，2in1模块半桥（Halfbridge）模块也称为2in1模块，可直接构成半桥电路，也可以用2个半桥模块构成全桥，3个半桥模块也构成三相桥。因此，半桥模块有时候也称为桥臂（Phase-Leg）模块。图3是半桥模块的内部等效。不同的制造商的接线端子名...

不*上桥臂的开关管要采用各自**的隔离电源，下桥臂的开关管也要采用各自**的隔离电源，以避免回路噪声，各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3）在连接IGBT电极端子时，主端子电极间不能有张力和压力作用，连接线（条）必须满足应用，以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些，尽量垂直，不要平行放置。4）光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短，**好不要超过3cm。5）驱动信号隔离要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管，用接插件引...

也可以用模块中的2个半桥电路并联构成电流规格大2倍的半桥模块，即将分别将G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相桥模块，6in1模块三相桥（3-Phasebridge模块的内部等效电流如图5所示。图5三相桥模块的内部等效电路三相桥模块也称为6in1模块，用于直接构成三相桥电路，也可以将模块中的3个半桥电路并联构成电流规格大3倍的半桥模块。三相桥常用的领域是变频器和三相UPS、三相逆变器，不同的应用对IGBT的要求有所不同，故制造商习惯上会推出以实际应用为产品名称的三相桥模块，如3-Phaseinvertermodule（三相逆变器模块）等。，CBI模...

包括安装板、以及布置在所述安装板上侧的igbt单管，所述安装板上还连接有具有弹性的压紧件，所述压紧件将所述igbt单管抵压在所述安装板上。这样，在将所述igbt单管安装在所述安装板上时，只需向上抬起所述具有弹性的压紧件，然后将所述igbt单管放置到安装位上后，再松开所述压紧件即可实现所述igbt单管的固定。相比于目前通过螺钉固定所述igbt单管的方法，**节约了igbt单管在安装板上的安装时间，并且减少了总装的零件数量，提高了igbt模块的生产效率，还降低了因螺钉松动而引起的igbt模块损坏风险。附图说明为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描...

***个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩，四点安装和两点安装类似。紧固螺丝时，依次对角紧固1/3额定力矩，然后反复多次使其达到额定力矩。5）散热器表面要平整清洁，要求平面度≤150μm，表面光洁度≤6μm，在界面要涂传热导电膏，涂层要均匀，厚度约150μm。6）使用带纹路的散热器时，IGBT模块长的方向顺着散热器的纹路，以减少散热器的变形。两只模块在一个散热器上安装时，短的方向并排摆放，中间留出足够的距离，主要是使风机散热时减少热量叠加，容易散热，**大限度发挥散热器的效率。GA系列IGBT单开关型模块的内部接线图IGBT驱动电路下图为M57962L驱动器...