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使模块具有有效值为2．5kV以上的绝缘耐压。3、电力半导体芯片：超快恢复二极管(FRED)和晶闸管(SCR)芯片的PN结是玻璃钝化保护，并在模块制作过程中再涂有RTV硅橡胶，并灌封有弹性硅凝胶和环氧树脂，这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引...

所述第二插片为两个。推荐的，所述线圈架上设有供所述第二插接片插入的插接槽；通过设置插接槽便于对第二插片进行安装，第二插片插入到插接槽当中，插接槽的内壁对第二插片进行限位。推荐的，所述第二插片侧壁上设有电连凸部，所述整流桥堆一侧设有与所述电连凸部相连的凸出部。推荐的，所述整流桥堆另一侧设有与所述一插片相连的凸部。推荐的，所述线圈架上设有凹陷部，所述一插片设于所述凹陷部内；通过设置凹陷部可便于在安装一插片的时候，一插片直接嵌入到凹陷部当中，其安装速度快，装配稳定。推荐的，所述线圈架上部设有一限位凸部，下部设有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均设于所述一限位凸部上；通过设置一限位凸部和第二限位凸部...

生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结—环境的热阻（Rja）和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻（Rjc）。2整流桥模块的结构特点1、铝基导热底板：其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道，并作为整个模块的结构基础。因此，它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接，又因它们之间热线性膨胀系数铝为16．7×10-6／℃，DBC约不5．6×10-6／℃)相差较大，为此，除需采用掺磷、镁的铜银合金外，并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯，这种存在s一定弧度的焊成品，能在模块装置到散热器上时，使它们之间有充分的接触，从而降低模块的接触热阻，...

本实用新型属于电磁阀技术领域，尤其是涉及一种电磁阀的带整流桥绕组塑封机构。背景技术：大多数家用电器上使用的需要实现全波整流功能的进水电磁阀，普遍将整流桥堆设置在电脑板等外部设备上，占用了电脑板上有限的空间，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整流桥堆失效，整块电脑板都将报废。虽然目前市场上出现了内嵌整流桥堆的进水电磁阀，但有些由于绕组塑封的结构不合理，金属件之间的爬电距离设置过小，导致产品的电气性能较差，安全性较差，在一些严酷条件下使用很容易损坏塑封，引起产品失效，严重的会烧毁家用电器；有些由于工艺过于复杂，桥堆跟线圈在同一侧，导致桥堆在线圈发热时损伤。技术实现要素：本实用新型为了克服现有...

金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上)，能实现电连接即可，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现，不限于本实施例，任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可，在此不一一赘述。如图1所示，在本实施例中，所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地，所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d，源极连接所述逻辑电路的采样端口，栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)；所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口连接所述功率开关管的漏极，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的...

在上述的二极管、引脚铜板、连接铜板以及连接导线的周围充满了作为绝缘、导热的骨架填充物质--环氧树脂。然而，环氧树脂的导热系数是比较低的(一般为℃W/m，高为℃W/m)，因此整流桥的结--壳热阻一般都比较大(通常为℃/W)。通常情况下，在元器件的相关参数表里，生产厂家都会提供该器件在自然冷却情况下的结-环境的热阻(Rja)和当元器件自带一散热器，通过散热器进行器件冷却的结--壳热阻(Rjc)。折叠自然冷却一般而言，对于损耗比较小(

整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥作为一种功率元器件，非常***。应用于各种电源设备。其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出...

这种多层保护使电力半导体器件芯片的性能稳定可靠。半导体芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有经表面处理的钼片或直接用铝丝键合作为主电极的引出线，而部分连线是通过DBC板的刻蚀图形来实现的。根据三相整流桥电路共阳和共阴的连接特点，FRED芯片采用三片是正烧(即芯片正面是阴极、反面是阳极)和三片是反烧(即芯片正面是阳极、反面是阴极)，并利用DBC基板的刻蚀图形，使焊接简化。同时，所有主电极的引出端子都焊在DBC基板上，这样使连线减少，模块可靠性提高。4、外壳：壳体采用抗压、抗拉和绝缘强度高以及热变温度高的，并加有40％玻璃纤维的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料组成，它能很好地解决与铜底板、主电极之...

整流桥模块的损坏原因及解决办法：-整流桥模块损坏，通常是由于电网电压或内部短路引起。在排除内部短路情况下，我们可以更换整流桥模块。而导致整流桥损坏的原因有以下5个原因1、散热片不够大，过载冲击电流过大，热量散发不出来。2、负载短路，绝缘不好，负荷电流过大引起；3、频繁的启停电源，若是感性负载属于储能元件！那么会产生反电动势。将整流元件反向击穿。在桥整流时只要一个坏了。则对称桥臂必烧坏！4、个别元件使用时间较长，质量下降！5、输入电压过高。整流桥模块坏了的解决办法（1）找到引起整流桥模块损坏的根本原因，并消除，防止换上新整流桥又发生损坏。（2）更换新整流桥模块，对焊接的整流桥模块需确保焊接可靠。...

所述第二插片为两个。推荐的，所述线圈架上设有供所述第二插接片插入的插接槽；通过设置插接槽便于对第二插片进行安装，第二插片插入到插接槽当中，插接槽的内壁对第二插片进行限位。推荐的，所述第二插片侧壁上设有电连凸部，所述整流桥堆一侧设有与所述电连凸部相连的凸出部。推荐的，所述整流桥堆另一侧设有与所述一插片相连的凸部。推荐的，所述线圈架上设有凹陷部，所述一插片设于所述凹陷部内；通过设置凹陷部可便于在安装一插片的时候，一插片直接嵌入到凹陷部当中，其安装速度快，装配稳定。推荐的，所述线圈架上部设有一限位凸部，下部设有第二限位凸部；所述一插片和第二插片均设于所述一限位凸部上；通过设置一限位凸部和第二限位凸部...

高压端口hv通过金属引线连接所述高压供电基岛13，进而实现与所述高压供电管脚hv的连接，接地端口gnd通过金属引线连接所述信号地基岛14，进而实现与所述信号地管脚gnd的连接。需要说明的是，所述逻辑电路122可根据设计需要设置在不同的基岛上，与所述控制芯片12的设置方式类似，在此不一一赘述作为本实施例的一种实现方式，所述漏极管脚drain的宽度大于，进一步设置为～1mm，以加强散热，达到封装热阻的作用。本实施例的合封整流桥的封装结构采用三基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路及高压续流二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图4所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实...

所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs，高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构，将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内，由此降低封装成本。如图6所示，本实施例还提供一种电源模组，所述电源模组包括：本实施例的合封整流...

1)、整流桥壳体表面散热热阻a)整流桥正面壳体的散热热阻:同不带散热器的强迫风冷一样:b)整流桥背面壳体的散热热阻:假设忽约整流桥与壳体的接触热阻，则:;选择散热器与环境间热阻的典型值为:于是:则整流桥通过壳体表面散热的总热阻为:2)、流桥通过引脚散热的热阻:此时的热阻同整流桥不带散热器进行强迫风冷时的情形一样，于是有:于是我们可以得到，在整流桥带散热器进行强迫风冷时的散热总热阻为上述两个传热途径的并联热阻:仔细分析上述的计算过程和各个传热途径的热阻数值，我们可以得出在整流桥带散热器进行强迫风冷时的如下结论:①在上述的三个传热途径中(整流桥正面传热、整流桥背面通过散热器的传热和整流桥通过引脚的...

这主要是由于覆盖在二极管表面的是导热性能较差的FR4(其导热系数小于.℃)，因此它对整流桥壳体正表面上的温度均匀化效果很差。同时，这也验证了为什么我们在采用整流桥壳体正表面温度作为计算的壳温时，对测温热电偶位置的放置不同，得到的结果其离散性很差这一原因。图8是整流桥内部热源中间截面的温度分布。由该图也可以进一步说明，在整流桥内部由于器封装材料是导热性能较差的FR4，所以其内部的温度分布极不均匀。我们以后在测量或分析整流桥或相关的其它功率元器件温度分布时，应着重注意该现象，力图避免该影响对测量或测试结果产生的影响。折叠结论通过前面对整流桥三种不同形式散热的分析并结合对一整流桥详细的仿真模型的分析...

所述功率开关管可通过所述信号地基岛14及所述信号地管脚gnd实现散热。需要说明的是，所述控制芯片12可根据设计需要设置在不同的基岛上。当设置于所述信号地基岛14上时所述控制芯片12的衬底与所述信号地基岛14电连接，散热效果好。当设置于其他基岛上时所述控制芯片12的衬底与该基岛绝缘设置，包括但不限于绝缘胶，以防止短路，散热效果略差。具体设置方式可根据需要进行设定，在此不一一赘述。本实施例的合封整流桥的封装结构采用两基岛架构，将整流桥，功率开关管及逻辑电路集成在一个引线框架内，其中，一个引线框架是指形成于同一塑封体中的管脚、基岛、金属引线及其他金属连接结构；由此，本实施例可降低封装成本。如图2所示...

所述负载连接于所述第三电容的两端；所述第二采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚，另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型还提供一种电源模组，所述电源模组至少包括：上述合封整流桥的封装结构，第四电容，变压器，二极管，第五电容，负载及第三采样电阻；所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线，零线管脚连接零线，信号地管脚接地；所述第四电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚，另一端接地；所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚，另一端连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚；所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管及所述第五电容连接所述第二线圈...