伊人网91_午夜视频精品_韩日av在线_久久99精品久久久_人人看人人草_成人av片在线观看

大中小烧IGBT或保险丝的维修程序2010-03-28流水淙淙展开全文一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序电流保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。1．目视电流保险丝是否烧断2．检测IGBT是否...一、电路板烧IGBT或保险丝的维修程序保险丝或IGBT烧坏，不能马上换上该零件，必须确认下列其它零件是在正常状态时才能进行更换，否则，IGBT和保险丝又会烧坏。这样付出的代价就大了。1．检查保险丝是否烧断2．检测IGBT是否击穿：用万用表二极管档测量IGBT的“E”；“C”；“G”三极间是否击穿短路。A：...

专业进行智能厨具产品的开发和研究，并设立了以上海市区为中心的赛米控营销售后服务点。2009年3月，赛米控公司联合石家庄启宏东立科技有限公司共同投资成立石家庄赛米控电子科技有限公司。石家庄赛米控公司主要负责北方商用电磁炉成品的组装生产与销售。2004年，佛山市顺德铭诚科技公司成立。一帮追求真理，怀着远大抱负的年轻人开创了中国厨具发展史上的先河,***家把大功率电磁炉技术做成机芯的形式对全国厨具公司进行销售。2006年，佛山市顺德铭芳玉电子有限公司成立，并推出西门康牌商用电磁炉中西厨具成品。世界上***家推出采用中式炒炉15CM抛锅不间断加热有火力输出这一新技术，并成为中国大功率电磁感应加...

pwm_l信号为低电平时，c2通过r2充电，r2,c2构成死区延时td。当pwm_h信号为高电平时，c3通过d3快速放电，pwm_l信号为低电平时，c3通过r3充电，r3,c3构成死区延时td。其中v1输入采用cmos施密特与非门，可以提高输入信号门槛电压，提高信号抗干扰能力。上管驱动电路由r11,q3,q4,r8构成推挽放大电路，对光耦输出信号u2_out信号进行放大,上管驱动信号drv_h直接连接igbt模块上管门极hg，满足igbt?？槎杂谇逯档缌鞯男枨?。下管驱动电路由r17,q5,q6,r18构成推挽放大电路，对光耦输出信号u4_out信号进行放大，下管驱动信号drv_l直...

**后介绍了电机功率与电流对照表和380v电...发表于2018-02-0117:23?475次阅读分析隔离型双向直流变换器中存在的电源侧回流功率和...首先，阐述双移相控制的工作原理和变换器回流功率产生的原理，建立传输功率和电源侧、负载侧回流功率的数学...发表于2018-01-3115:28?1084次阅读电压模式、迟滞或基于迟滞三种控制拓扑怎样选择？几乎所有的电源均是专为提供一个稳定的输出电压或电流而设计的。提供这种输出调节功能需要一个闭环系统和即...发表于2018-01-3011:28?177次阅读零交越失真放大器的失调电压与输入共模电压的关系详...数模转换器***用于各种...

交直流电压还可以测量直流电压。甚至有的万用表还可以测量晶体管...发表于2018-01-1819:18?3013次阅读验证了LCL型滤波器参数设计及光伏并入配电网的逆...从滤波器的原理入手，对单L型和LCL型滤波器原理进行对比分析，在设计方法上，对比传统的分步设计法，本...发表于2018-01-1716:00?1327次阅读怎么用示波器测功率本文介绍了怎么用示波器测功率，小编为大家总结了使用示波器执行功率测量的七大秘诀。那么，在测量功率时我...发表于2018-01-1510:55?699次阅读示波器如何测量直流电压_示波器测量直流电压方法示波器测量直流电压方法有两种，一种是直接测...

交直流电压还可以测量直流电压。甚至有的万用表还可以测量晶体管...发表于2018-01-1819:18?3013次阅读验证了LCL型滤波器参数设计及光伏并入配电网的逆...从滤波器的原理入手，对单L型和LCL型滤波器原理进行对比分析，在设计方法上，对比传统的分步设计法，本...发表于2018-01-1716:00?1327次阅读怎么用示波器测功率本文介绍了怎么用示波器测功率，小编为大家总结了使用示波器执行功率测量的七大秘诀。那么，在测量功率时我...发表于2018-01-1510:55?699次阅读示波器如何测量直流电压_示波器测量直流电压方法示波器测量直流电压方法有两种，一种是直接测...

RC吸收电路因电容C的充电电流在电阻R上产生压降，还会造成过冲电压，.RCD电路因用二极管旁路了电阻上的充电电流，从而克服了过冲电压。放电阻止型缓冲电路中吸收电容C的放电电压为电源电压，每次关断前C*将上次关断电压的过冲部分能量回馈到电源，减小了吸收电路的功耗。因电容电压在IGBT关断时从电源电压开始上升，它的过电压吸收能力不如RCD型充放电型。从吸收过电压的能力来说，放电阻止型效果稍差，但能量消耗较小。对缓冲吸收电路的要求是：⑴尽量减小主电路的布线电感L；⑵吸收电容应采用低感或无感吸收电容，它的引线应尽量短，**好直接接在IGBT的端子上；⑶吸收二极管应采用快开通和快软恢复二极管，以...

HybridPACK?DSC是英飞凌全新的创新型解决方案，适用于混合动力及电动汽车的主逆变器。得益于模制?？榈乃胬淙瓷杓?，该产品可提供更高的功率密度。在芯片温度及电流传感器的帮助下，IGBT的驱动效果将更加接近其极限，从而进一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模块具有高度可拓展性，为客户所使用的平台和方法提供支持。HybridPACK?驱动是一款非常紧凑的电源模块，专门针对混合动力汽车及电动汽车的主逆变器应用（xEV）进行了优化，功率范围比较高达150kW。这款电源?？榇钤亓诵乱淮鶨DT2IGBT芯片，后者采用汽车级微型沟槽式场截止单元设计。这款芯片组拥有基准电流密度并具有...

2013年2月，赛米控公司正式推出全国**式电磁油烟净化一体机。2012年5月，赛米控公司正式加入广东省酒店用品行业协会。2012年4月，赛米控公司正式加入顺德民营企业投资商会理事会。2012年3月，赛米控公司投资控股佛山市顺德区智械智能设备有限公司和佛山市顺德区智热电子科技有限公司。2012年3月，赛米控公司成立**永丰赛米控电子科技有限公司支部。2011年9月，赛米控公司在全国同行业中**推出美食和美器相结合的节能低碳厨房体验厅开业。2011年2月，赛米控公司联合阿里巴巴建立专业的外贸团队，同年9月份出口西班牙大型电磁摇锅。2010年12月，赛米控合资公司----石家庄晟欧电子科技...

更好的电气性能新的机械设计也改善了电气性能。事实上，***降低的热阻允许更高的输出电流。得益于角形栅极可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面积，可以流过更多的电流。由于这些变化，在与当前?？榫哂型行酒婊那榭?**过芯片的输出电流大约多了10％以上。衡量可控硅?？榭煽啃缘牧硪桓鲋匾问抢擞康缌?。该值显示了二极管/可控硅的稳健性，指的是故障条件下二极管/可控硅能够经受的住而无损伤的单一正弦半波通态电流脉冲，该脉冲持续10或（50或60Hz），这种情况在二极管/可控硅的使用寿命期间应该发生的很少［4］。认证所有赛米控的?？槎家柿可笈馐猿绦颉２馐缘哪康氖窃诟髦植煌牟馐蕴?..

但过小会导致di/dt过大，产生较大的集电极电压尖峰。因此对串联电阻要根据具体设计要求***综合考虑。栅极驱动电阻对驱动脉冲的波形也有影响。电阻值过小时会造成脉冲振荡，过大时脉冲的前后沿会发生延迟或变缓。IGBT栅极输入电容Cge随着其额定容量的增加而增大。为了保持相同的脉冲前后沿速率，对于电流容量大的IGBT器件，应提供较大的前后沿充电电流。为此，栅极串联的电阻的阻值应随着IGBT电流容量的增大而减小。：⑴光耦驱动电路，光耦驱动电路是现代逆变器和变频器设计时被***采用的一种电路，由于线路简单，可靠性高，开关性能好，被许多逆变器和变频器厂家所采用。由于驱动光耦的型号很多，所以选用的余...

但栅极连线的寄生电感和栅极-集电极之间的电容耦合，也会产生使氧化膜损坏的振荡电压。为此，通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻可以抑制振动电压。由于IGBT的栅极-发射极之间和栅极-集电极之间存在着分布电容，以及发射极驱动电路中存在着分布电感，这些分布参数的影响，使IGBT的实际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并且产生了不利于IGBT开通和关断的因素。如图1所示。在t0时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，栅极电压上升较快。在t1时刻达到IGBT的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此时有两个因素影响Uge波形偏离原...

1.2正向特性1）外加正向电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5伏，锗的死区电压约为0.2伏，该电压值又称门坎电压或阈值电压。2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电场几乎被抵消，二极管呈现的电阻很小，正向电流开始增加，进入正向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段。随外加电压的增加正向电流迅速增加，如BC段特性曲线陡直，伏安关系近似线性，处于充分导通状态。3）二极管导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降），且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V，锗管的管压降约为0.3V。我们的产品组合包括不同的先进IGBT功率模...

三、根据开关频率选择不同的IGBT系列IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。在低频如fk<10KHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飞凌后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近，“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左右，因而“KT3”将更有优势。“KT3”由...

但栅极连线的寄生电感和栅极-集电极之间的电容耦合，也会产生使氧化膜损坏的振荡电压。为此，通常采用绞线来传送驱动信号，以减小寄生电感。在栅极连线中串联小电阻可以抑制振动电压。由于IGBT的栅极-发射极之间和栅极-集电极之间存在着分布电容，以及发射极驱动电路中存在着分布电感，这些分布参数的影响，使IGBT的实际驱动波形与理想驱动波形不完全相同，并且产生了不利于IGBT开通和关断的因素。如图1所示。在t0时刻，栅极驱动电压开始上升，此时影响栅极电压上升斜率的主要因素只有Rg和Cge，栅极电压上升较快。在t1时刻达到IGBT的栅极门槛值，集电极电流开始上升。从此时有两个因素影响Uge波形偏离原...

在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。2IGBT?？榈难≡馡GBT?？榈牡缪构娓裼胨褂米爸玫氖淙氲缭醇词缘绲缭吹缪菇裘芟喙?。其相互关系见下表。使用中当IGBT?？榧缂缌髟龃笫保亩疃ㄋ鸷囊啾浯?。同时，开关损耗增大，使原件发热加剧，因此，选用IGBT?？槭倍疃ǖ缌饔Υ笥诟涸氐缌鳌Ｌ乇鹗怯米鞲咂悼厥?，由于开关损耗增大，发热加剧，选用时应该降等使用。3使用中的注意事项由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGB...

原标题：干货|大功率IGBT?？榧扒际醯缌Φ缱蛹际踉诘苯窦毙杞谀芙岛牡墓ひ盗煊蚶锲鸬搅瞬豢商娲淖饔?而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的优先功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动?；さ缏菲鸬饺醯缈刂魄康绲闹斩私缑?接口)作用。因其重要性，所以可以将该电路看成是一个相对**的“子系统”来研究、开发及设计。大功率igbt驱动?；さ缏芬恢卑樗鎖gbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt...

1.3反向特性1）二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。2）当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。高性价比 ?全程采用X射线100%监测生产，保 障产品的高性能和使用寿命 ? 使用铜基板，便于快捷安装。...

但是各路之间在电路上必须相互隔离，以防干扰或误触发四路驱动信号根据触发相位分为两组，相位相反。图3为一路栅极驱动电路，整流桥B1、B2与电解电容C1、C2组成整流滤波电路，为驱动电路提供+25V和-15V直流驱动电压。光耦6N137的作用是实现控制电路与主电路之间的隔离，传递PWM信号。电阻R1与稳压管VS1组成PWM取样信号，电阻R2限制光耦输入电流。电阻R3、R4与稳压管VS3、VS4分别组成，分别为光耦和MOSFET管Q3提供驱动电平。Q3在光耦控制下，工作在开关状态。MOSFET管Q1、Q2组成推挽放大电路，将放大后的输出信号输入到IGBT门极，提供门极的驱动信号。当输入控制信...

加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。1IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速...

HybridPACK?DSC是英飞凌全新的创新型解决方案，适用于混合动力及电动汽车的主逆变器。得益于模制?？榈乃胬淙瓷杓疲貌房商峁└叩墓β拭芏取Ｔ谛酒露燃暗缌鞔衅鞯陌镏?，IGBT的驱动效果将更加接近其极限，从而进一步提高功率密度。HybridPACK?DSC模块具有高度可拓展性，为客户所使用的平台和方法提供支持。HybridPACK?驱动是一款非常紧凑的电源?？椋耪攵曰旌隙ζ导暗缍档闹髂姹淦饔τ茫▁EV）进行了优化，功率范围比较高达150kW。这款电源?？榇钤亓诵乱淮鶨DT2IGBT芯片，后者采用汽车级微型沟槽式场截止单元设计。这款芯片组拥有基准电流密度并具有...

供电质量好，传输损耗小，效率高，节约能源，可靠性高，容易组成N＋1冗余供电系统，扩展功率也相对比较容易。所以采用分布式供电系统可以满足高可靠性设备的要求。、单端反激式、双管正激式、双单端正激式、双正激式、推挽式、半桥、全桥等八种拓扑。单端正激式、单端反激式、双单端正激式、推挽式的开关管的承压在两倍输入电压以上，如果按60％降额使用，则使开关管不易选型。在推挽和全桥拓扑中可能出现单向偏磁饱和，2020-08-30led灯带与墙之间的距离,在线等,速度是做沿边吊顶吗？吊顶宽300_400毫米。灯带是藏在里面的！离墙大概有100毫米！2020-08-30接电灯的开关怎么接,大师速度来解答,两...

IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大，而且工作电压较高时，MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加，因此在大功率电子设备中的应用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的导通特性，而且也具有功率MOSFET的许多特性，如容易驱动，安全工作区宽，峰值电流大，坚固耐用等，一般来讲，IGBT的开关速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET，而且导通特性也不受工作电压的影响。由于...

即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的?；ご胧┯腥?..

根据数据表中标示的IGBT的寄生电容，可以分析dV/dt引起的寄生导通现象。可能的寄生导通现象，是由集电极-栅极和栅极-发射极之间的固有容性分压器引起的（请参见图9）?？悸堑郊缂?发射极上的较高瞬态电压，这个固有的容性分压器比受限于寄生电感的外接栅极驱动电路快得多。因此，即使栅极驱动器关断了IGBT，即，在零栅极-发射极电压状态下，瞬态集电极-发射极电压也会引起与驱动电压不相等的栅极-发射极电压。忽略栅极驱动电路的影响，可以利用以下等式，计算出栅极-发射极电压：因此，商数Cres/Cies应当尽可能低，以避免dV/dt引起寄生导通现象（商数约为35，请参见图12）。此外，输入电容应当...

即检测输入端或直流端的总电流，当此电流超过设定值后比较器翻转，***所有IGBT输入驱动脉冲，使输出电流降为零。这种过载过流保护，一旦动作后,要通过复位才能恢复正常工作。IGBT能够承受很短时间的短路电流，能够承受短路电流的时间与该IGBT的饱和导通压降有关，随着饱和导通压降的增加而延长。如饱和压降小于2V的IGBT允许的短路时间小于5μS，而饱和压降为3V的IGBT的允许短路时间可达15μS，4～5V时可达到30μS以上。存在以上的关系是由于随着饱和导通压降的降低，IGBT的阻抗也降低，短路电流同时增大，短路时的功耗随着电流的平方增大，造成承受短路时间迅速减小。通常采取的?；ご胧┯腥?..

原标题：干货|大功率IGBT?？榧扒际醯缌Φ缱蛹际踉诘苯窦毙杞谀芙岛牡墓ひ盗煊蚶锲鸬搅瞬豢商娲淖饔?而igbt在诸如变频器、大功率开关电源等电力电子技术的能量变换与管理应用中，越来越成为各种主回路的优先功率开关器件，因此如何安全可靠地驱动igbt工作，也成为越来越多的设计工程师面临需要解决的课题。在使用igbt构成的各种主回路之中，大功率igbt驱动?；さ缏菲鸬饺醯缈刂魄康绲闹斩私缑?接口)作用。因其重要性，所以可以将该电路看成是一个相对**的“子系统”来研究、开发及设计。大功率igbt驱动?；さ缏芬恢卑樗鎖gbt技术的发展而发展，现在市场上流行着很多种类非常成熟的大功率igbt...

本实用新型属于半导体器件技术领域，具体地说，本实用新型涉及一种igbt?？椤１尘凹际酰阂旁趇gbt(insulatedgatebipolartransistor)模块中的作用是做电路的引出，引脚焊接的品质直接关系到模块的电路输出及整体生产良率。对于现有的?？椋庞胪阒涞暮附用婊闲。谧饕倒讨腥菀壮鱿峙牢涣技靶楹傅绕分饰侍?，影响产品整体作业良率。技术实现要素：本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提供一种igbt?？椋康氖翘岣咭诺暮附悠分省Ｎ耸迪稚鲜瞿康模臼涤眯滦筒扇〉募际醴桨肝篿gbt?？?，包括铝基板和引脚，所述引脚包括与所述铝基板...

1.3反向特性1）二极管承受反向电压时，加强了PN结的内电场，二极管呈现很大电阻，此时*有很小的反向电流。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。实际应用中，反向电流越小说明二极管的反向电阻越大，反向截止性能越好。一般硅二极管的反向饱和电流在几十微安以下，锗二极管则达几百微安，大功率二极管稍大些。2）当反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧加大，进入反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管被击穿后电流过大将使管子损坏，因此除稳压管外，二极管的反向电压不能超过击穿电压。如曲线OD段称为反向截止区，此时电流称为反向饱和电流。黑龙江?？槟？? 原标题：干货|大功率IGBT...

但是各路之间在电路上必须相互隔离，以防干扰或误触发四路驱动信号根据触发相位分为两组，相位相反。图3为一路栅极驱动电路，整流桥B1、B2与电解电容C1、C2组成整流滤波电路，为驱动电路提供+25V和-15V直流驱动电压。光耦6N137的作用是实现控制电路与主电路之间的隔离，传递PWM信号。电阻R1与稳压管VS1组成PWM取样信号，电阻R2限制光耦输入电流。电阻R3、R4与稳压管VS3、VS4分别组成，分别为光耦和MOSFET管Q3提供驱动电平。Q3在光耦控制下，工作在开关状态。MOSFET管Q1、Q2组成推挽放大电路，将放大后的输出信号输入到IGBT门极，提供门极的驱动信号。当输入控制信...