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射频功率放大器检测模块的电阻值与配置状态的电阻值相同，则表示射频功率放大器配置完成。相应的，本发明实施例还提供一种移动终端，如图4所示，该移动终端可以包括射频(rf，radiofrequency)电路401、包括有一个或一个以上计算机可读存储介质的存储器402、输入单元403、显示单元404、传感器405、音频电路406、无线保真(wifi，wirelessfidelity)模块407、包括有一个或者一个以上处理的处理器408、以及电源409等部件。本领域技术人员可以理解，图4中示出的移动终端结构并不构成对移动终端的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件...

PartNumberFrequencyGainOIP3P1dBSKY85004-1129SE2623L-RTBD—TBDSE2622LSKY65900-11TBD34SKY65174-2135——SKY65162-70LFSKY6513126—28SE2623L33—32SE2609L28—28SE2605L33—32SE2604L32—30SE2598L28—SE2597L28—SE2576L33—32SE2574L28—25SE2574BL-R27—25SE2568U27—252725SE2568L27—252725SE2565T31—30SE2528L33—34SE2527L33...

第四mos管的漏级与第五mos管的源级连接，第四mos管的源级接地，第五mos管的栅级连接第九电容的端，第九电容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一样，第二mos管t2与第四mos管t4的器件尺寸之比为2:5。在一个可能的示例中，输出匹配电路106包括：第四电感l4、第五电感l5、第十电容c10和第十一电容c11，其中：第四电感的端和第五电感的端连接第五mos管的漏级，第四电感的第二端连接第二电压信号，第十电容的端连接第二电压信号，第十电容的第二端接地，第五电感的第二端连接第十一电容的端，第十一电容的第二端接地，第十一电容两端的电压为输出电压。在一个可能的...

能够快速设置各个射频功率放大器。本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值；计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值；比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值；所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等，开启所述射频功率放大器；所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等，所述射频功率放大器配置完成。可选的，在本申请的一些实施例中，所述预设射频功率放大器的配置状态电阻值，包括：所述配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值；所述射频功率放大器设置匹配电阻；所述关闭状态的电阻值为...

在这些年的WiFi产品开发中，接触了多种型号的射频功率放大器（以下简称PA），本文对WiFi产品中常用的射频功率放大器做个汇总，供读者参考。本文中部分器件型号是FrontendModule，即包含内PA，LNA，Switch，按不同厂牌对PA进行介绍，按照厂牌字母顺序进行排列。ANADIGICSANADIGICS成立于1985年，率先开创制造高容量、低成本、高性能的砷化镓集成电路(GaAsICs)。ANADIGICS是世界的通信产品供应商。ANADIGICS为不断发展的无线宽带与无线通信市场，设计、制造射频集成电路（RFIC）解决方案。公司创新的高频率RFIC，能使通信设备制造商提高整...

第三子滤波电路的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三子滤波电路的第二端可以接地。在本发明实施例中，第三子滤波电路可以包括第三电容c3；第三电容c3的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三电容c3的第二端可以接地。在具体实施中，第三子滤波电路还可以包括第三电感l3，第三电感l3可以串联在第三电容c3的第二端与地之间。参照图3，给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。与图2相比较而言，图3中提供的射频功率放大器增加了第三电感l3。通过增加第三电感l3，可以进一步提高射频功率放大器的谐波滤波性能。在具体实施中，输出端匹配滤波电路还可以包括第四子滤波电路。在本发明实施...

用于放大所述级间匹配电路输出的信号；所述输出匹配电路，用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例中，通过射频功率放大器电路中的可控衰减电路、反馈电路、驱动放大电路、功率放大电路等电路对输入信号进行处理，实现射频功率放大器电路的负增益模式与非负增益模式之间的切换，电路结构简单，能有效的降低硬件成本。附图说明图1a为本发明实施例提供的相关技术中射频功率放大器电路的组成结构示意图；图1b为本发明实施例提供的相关技术中射频功率放大器电路的电路结构示意图；图2a为本发明实施例提供的射频功率放大器电路的组成结构示意图；图2b为本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意...

包括：功率放大单元、功率合成变压器以及匹配滤波电路，其中：所述功率放大单元，输入端输入差分信号，第二输入端输入第二差分信号，输出端输出经过放大的差分信号，第二输出端输出经过放大的第二差分信号；所述功率合成变压器，包括初级线圈以及次级线圈；所述初级线圈的输入端输入所述经过放大的差分信号，第二输入端输入所述经过放大的第二差分信号；所述次级线圈包括主次级线圈以及辅次级线圈，所述主次级线圈的端接地，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接；所述辅次级线圈，端与所述主次级线圈的第二端耦接，第二端与输出端匹配滤波电路耦接；所述匹配滤波电路，包括输入端匹配滤波电路以及所述输出端匹配滤波电路；所述输入端...

驱动放大电路和功率放大电路的电路结构一样，但二者对应的各个器件的尺寸差异很大。相比较而言，功率放大电路更加注重输出放大信号的效率，驱动放大电路更加注重放大信号的增益控制。射频功率放大器电路的高、中、低功率模式下，电路结构和dc偏置都需要进行切换，即，通过改变反馈电路中的开关、电压偏置电路中的栅极电压、电流偏置电路中的漏极电流、供电电压vcc，以及使能可控衰减电路，协作实现以上功率模式，以及实现非负增益模式和负增益模式。图2b是本发明实施例提供的射频功率放大器电路的电路结构示意图，如图2b所示，应用于终端，包括：依次连接的可控衰减电路107、输入匹配电路101、驱动放大电路102、级间匹...

较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗，需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗，进而产生额外的阻抗变换)，这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位，也会降低能量传输效率。在本发明实施例中，增加辅次级线圈，可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的...

能够快速设置各个射频功率放大器。本申请实施例提供的一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值；计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值；比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值；所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值不相等，开启所述射频功率放大器；所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值相等，所述射频功率放大器配置完成。可选的，在本申请的一些实施例中，所述预设射频功率放大器的配置状态电阻值，包括：所述配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值；所述射频功率放大器设置匹配电阻；所述关闭状态的电阻值为...

显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值，计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值，比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所...

因为这些特性，GaAs器件被应用在无线通信、卫星通讯、微波通信、雷达系统等领域，能够在更高的频率下工作，高达Ku波段。与LDMOS相比，击穿电压较低。通常由12V电源供电，由于电源电压较低，使得器件阻抗较低，因此使得宽带功率放大器的设计变得比较困难。GaAsMESFET是电磁兼容微波功率放大器设计的常用选择，在80MHz到6GHz的频率范围内的放大器中被采用。GaAs赝晶高电子迁移率晶体管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET），具有更高的电子面密度（约高2倍）；同时，这里的电子迁移率...

将导致更复杂的天线调谐器和多路复用器。RF系统级封装（SiP）市场可分为一级和二级SiP封装：各种RF器件的一级封装，如芯片/晶圆级滤波器、开关和放大器（包括RDL、RSV和/或凸点步骤）；在表面贴装（SMT）阶段进行的二级SiP封装，其中各种器件与无源器件一起组装在SiP基板上。2018年，射频前端模组SiP市场（包括一级和二级封装）总规模为33亿美元，预计2018~2023年期间的复合年均增长率（CAGR）将达到，市场规模到2023年将增长至53亿美元。预测2023年，PAMiDSiP组装预计将占RFSiP市场总营收的39%。2018年，晶圆级封装大约占RFSiP组装市场总量的9%。移动领...

第三子滤波电路的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三子滤波电路的第二端可以接地。在本发明实施例中，第三子滤波电路可以包括第三电容c3；第三电容c3的端可以与辅次级线圈122的第二端耦接，第三电容c3的第二端可以接地。在具体实施中，第三子滤波电路还可以包括第三电感l3，第三电感l3可以串联在第三电容c3的第二端与地之间。参照图3，给出了本发明实施例中的又一种射频功率放大器的电路结构图。与图2相比较而言，图3中提供的射频功率放大器增加了第三电感l3。通过增加第三电感l3，可以进一步提高射频功率放大器的谐波滤波性能。在具体实施中，输出端匹配滤波电路还可以包括第四子滤波电路。在本发明实施...

Microsemi的产品包括元器件和集成电路解决方案等，可通过改善性能和可靠性、优化电池、减小尺寸和保护电路而增强客户的设计能力。Microsemi公司所服务的主要市场包括植入式医疗机构、防御/航空和卫星、笔记本电脑、监视器和液晶电视、汽车和移动通信等应用领域。Microsemi在发展过程中收购了多家公司，包括熟知的Actel，Zarlink，Vitesee。Microsemi的WiFiPA产品线型号较多，也多次出现在Atheros早期的参考设计中，近期的参考设计就很少出现了。MicrosemiWiFiFrontendModulePartNumberFreq(GHz)Vin(V)Iq(...

4G/5G基础设施用RF半导体的市场规模将达到16亿美元，其中，MIMOPA年复合增长率将达到135%，射频前端模块的年复合增长率将达到119%。预计未来5～10年，GaN将成为3W及以上RF功率应用的主流技术。根据Yole预测，2017年，全球GaN射频市场规模约为，在3W以上（不含手机PA）的RF射频市场的渗透率超过20%。GaN在基站、雷达和航空应用中，正逐步取代LDMOS。随着数据通讯、更高运行频率和带宽的要求日益增长，GaN在基站和无线回程中的应用持续攀升。在未来的网络设计中，针对载波聚合和大规模输入输出（MIMO）等新技术，GaN将凭借其高效率和高宽带性能，相比现有的LDMOS处于...

宽带pa通常采用cllc、lccl、两级或多级lc匹配。cllc结构，采用串联电容到地电感级联串联电感到地电容；lccl采用串联电感到地电容级联串联电容到地电感。这两种结构优点是结构较简单，插损较小；缺点是宽带性能一致性不好，在不同的频率性能不一致，而且谐波性能差。两级或多级lc结构，采用两级或多级串联电感到地电容级联在一起。这种结构优点是谐波性能好，可以实现宽带一致的阻抗变换；缺点是宽带性能一致性和插损之间存在折中，高频点插损较大。采用普通结构变压器实现功率合成和阻抗变换的pa，只采用变压器及其输入输出匹配电容。这种结构优点是结构相对简单，缺点是难以实现宽带功率放大器，宽带性能一致性...

由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。其中，频段与射频功率放大器的对应情况包括两种：一个频段对应一个射频功率放大器或多个频段对应一个射频功率放大器。移动终端在进行频段切换前，移动终端的射频功率放大器的状态包括开启状态或关闭状态，移动终端在进行频段切换时，需要开启一个或多个射频功率放大器。射频功率放大器的配置状态即移动终端在进行频段切换时，此时移动终端的射频功率放大器的状态。其中，由于射频功率放大器的开启状态与关闭状态所对应的电阻值不同，预设射频功率放大器的配置状态即预设射频功率放大器的配置状态电阻值。因此，射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭...

第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接。可选的，所述第四子滤波电路为lc匹配滤波电路。可选的，所述lc匹配滤波电路包括：第四电容以及第四电感，其中：所述第四电感，端与所述主次级线圈的第二端耦接，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接；所述第四电容，端与所述第四电感的第二端耦接，第二端接地。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电感以及第六电感，其中：所述第五电感，串联在所述第四电容的第二端与地之间；所述第六电感，串联在所述第四电容的端与所述射频功率放大器的输出端之间。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电容、第七电感以及第八电感，其中：所述第五电容，端与所述第六电感的第二端耦接，第二端与...

射频功率放大器电路，用于根据微控制器的控制，对射频收发器的输出信号进行放大或衰减；天线，用于发射射频功率放大器电路的输出信号。由于终端(如水电表)分布范围广，每个终端距离基站的距离各不相同，距离基站远的终端，其信道衰减量大，因此需要射频功率放大器电路的输出功率大；而距离基站近的终端，其信道衰减量小，因此需要射频功率放大器电路的输出功率小。微控制器通过控制射频功率放大器电路的输入功率和增益，从而控制其输出功率，使其输出功率满足要求。例如，基站使用预先确定的通信资源发送同步信号(synchronizationchannel，sch)和广播信号(broadcastchannel，bch)。然...

第六电容的第二端连接第二开关的端，第二开关的第二端连接第五电阻的端，第五电阻的第二端连接第五电容的端，第五电容的第二端和第三电容的第二端连接第二电感的第二端；其中，第二开关，用于响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态，以降低反馈深度，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应第八控制信号使自身处于导通状态，以增加反馈深度，实现射频功率放大器电路处于负增益模式。需要说明的是，假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a，反馈电路的反馈系数为f，则加入反馈电路后射频功率放大器电路100的放大系数af＝a/(1+af)，随着反馈电路中等效电阻阻值的降低，反馈系数f...

输出则是方波信号，产生的谐波较大，属于非线性功率放大器，适合放大恒定包络的信号，输入信号通常是脉冲串类的信号。C类放大器的优点与A类放大器相比，功率效率提高。与A类放大器相比，可以低价获得射频功率。风冷即可，他们使用的冷却器比A类更轻。C类放大器的缺点脉冲射频信号放大。窄带放大器。通过以上介绍可以看出，作为射频微波功率放大器采用的半导体材料，有许多种类，每种都有其各自的特点和适用的功率和频率范围，随着半导体技术的不断发展，使得更高频率和更高功率的功放的实现成为可能并且越来越容易实现。作为EMC领域的常用的射频微波功率放大器的几个类别，每种也都有其各自的优缺点和适用的场合。在实际的EMC...

较小的线圈自感和较大的寄生电容会额外影响变压器的输入输出阻抗，需要增加或调节输入输出的匹配电容来调节阻抗，进而产生额外的阻抗变换)，这会影响变压器有效的阻抗变化比和转换后的阻抗相位，也会降低能量传输效率。在本发明实施例中，增加辅次级线圈，可以在不影响初级线圈和主次级线圈的前提下增加输入到输出的能量耦合路径，减小耦合系数k值较小对阻抗变换的影响。根据初级线圈和主次级线圈的k值等参数，选择合适的辅次级线圈的大小和k值可以有效提高功率合成变压器的阻抗变换工作频率范围，降低功率合成变压器损耗。此外，将功率合成变压器的主次级线圈和辅次级线圈以及匹配滤波电路协同设计，能够进一步提高射频功率放大器的...

RFMDWiFiPA产品线型号非常多，几乎可以满足所有WiFi产品的射频需求。P/NMinFreqMaxFreqGainPOUTEVM(%)Vcc(V)TxIcc(mA)RFRFRFRF018120RFRFRFRF018120RFRF02810355RFRFRFRF03018395RFRF0345800RF02851000RF03051450RF018120RFPA0265545RFPA0255670RFPA0335470RFPA5201E875RFPASTA-5063Z352STA-6033(Z)83165SZA-2044(Z)300SZA-3044(Z)45340SZA-5044(...

nmos管mn07的漏极和nmos管mn08的漏极分别连接第三变压器t03的原边。在第二主体电路率放大器中源放大器的栅极与激励放大器的输出端连接，功率放大器栅放大器的漏极连接第四变压器的原边。如图3所示，nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极为功率放大器的输入端，nmos管mn13的栅极、nmos管mn14的栅极与激励放大器的输出端连接。nmos管mn15的漏极和nmos管mn16的漏极分别连接第四变压器t04的原边。nmos管mn05的源极、nmos管mn06的源极接地，nmos管mn13的源极、nmos管mn14的源极接地。nmos管mn07的栅极和nmos管mn08的...

其次是低端智能手机（35%）和奢华智能手机（13%）。25G基站，PA数倍增长，GaN大有可为5G基站，射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案，按照三个扇区，对应的PA需求量为12个，5G基站，预计64T64R将成为主流方案，对应的PA需求量高达192个，PA数量将大幅增长。5G基站射频PA有望量价齐升。目前基站用功率放大器主要为基于硅的横向扩散金属氧化物半导体LDMOS技术，不过LDMOS技术适用于低频段，在高频应用领域存在局限性。对于5G基站PA的一些要求可能包括3~6GHz和24GHz~40GHz的运行频率，RF功率在，预计5G基站GaN射频PA将逐...

射频功率放大器的关闭状态的电阻值即射频功率放大器自身的电阻值；检测到射频功率放大器开启时，其匹配电阻生效，射频功率放大器的开启状态的电阻值即匹配电阻的电阻值。匹配电阻跟射频功率放大器可以连接，将射频功率放大器的控制端接入匹配电阻的控制端；匹配电阻跟射频功率放大器也可以不连接，直接将匹配电阻设置在射频功率放大器的内部。其中，射频功率放大器的状态对应的电阻值存储在移动终端的存储器，计算出射频功率放大器的电阻值后，可根据存储器存储的对应关系得知射频功率放大器的状态。102、计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如，预先将射频功率放大器的输出端同步连接到射频功率放大器检测模块，在移动终端进...

因为设计的可控衰减电路中电感的品质因数q较低，因此频选特性不明显，频率响应带宽较宽，带来的射频信号的插入损耗相对较小。负增益模式下的回波损耗和频率响应带宽也能满足要求。假设fh为上限频率，fl为下限频率，fo为中心频率；且有：fh＝900mhz，fl＝600mhz，fo＝800mhz，回波损耗大于15db，频率响应的带宽可达到300mhz以上，相对带宽可达到(fh-fl)/fo＝(900-600)/800＝％。下面再提供一种采用可控衰减电路和输入匹配电路的结构，如图5b所示，在该结构中的可控衰减电路的电阻r1可以变为开关sw2，增强了对射频输入端口rfin的esd保护能力。本申请实施例...

nmos管mn14和nmos管mn16构成一个共源共栅放大器。在每个主体电路率放大器源放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的输出端，功率放大器栅放大器的栅极连接自适应动态偏置电路的第二输出端。如图3所示，nmos管mn05的栅极通过电阻r03连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa，nmos管mn06的栅极通过电阻r04连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa；nmos管mn13的栅极通过电阻r08连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa，nmos管mn14的栅极通过电阻r09连接自适应动态偏置电路的输出端vbcs_pa。如图3所示，nmos管mn07的栅极通过电阻r05连接...