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5G时代，智能手机将采用2发射4接收方案，未来有望演进为8接收方案。功率放大器（PA）是一部手机关键的器件之一，它直接决定了手机无线通信的距离、信号质量，甚至待机时间，是整个射频系统中除基带外重要的部分。5G将带动智能移动终端、基站端及IOT设备射频PA稳健增长。功率放大器市场增长相对稳健，复合年增长率为7%，将从2017年的50亿美元增长到2023年的70亿美元。LTE功率放大器市场的增长，尤其是高频和超高频，将弥补2G/3G市场的萎缩。15G智能移动终端，射频PA的大机遇5G推动手机射频PA量价齐升无论是在基站端还是设备终端，5G给供应商带来的挑战都首先体现在射频方面，因为这是设备“上”网...

用于使所述可控衰减电路和所述驱动放大电路之间阻抗匹配；所述驱动放大电路，用于放大所述输入匹配电路输出的信号；所述反馈电路，用于调节所述射频功率放大器电路的增益；所述级间匹配电路，用于使所述驱动放大电路和所述功率放大电路之间阻抗匹配；所述功率放大电路，用于放大所述级间匹配电路输出的信号；所述输出匹配电路，用于使所述射频功率放大器电路和后级电路之间阻抗匹配。本申请实施例提供一种增益控制方法，应用于上述的射频功率放大器电路，所述方法包括：终端中的微控制器通过通信模组接收到控制信息后，确定所述射频功率放大器电路的工作模式，并通过发送模式控制信号控制所述射频功率放大器电路进入所述工作模式；所述可...

射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭状态的电阻值。根据移动终端所切换的频段，预设该频段对应的射频功率放大器的配置状态，由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。(2)计算单元302计算单元302，用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值。例如，移动终端进行频段切换时，射频功率放大器检测模块的电阻值即此时射频功率放大器的电阻值，通过计算射频功率放大器检测模块的电阻值，从而获取此时射频功率放大器的状态。其中，计算单元还包括计算电阻和处理器，计算电阻一端与射频功率放大器检测模块连接，计算电阻另一端与电源电压连接；处理器的引脚与计算电阻和射频功率放大器...

将从2019年开始为GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。而且，GaN的宽带性能也是实现多频带载波聚合等重要新技术的关键因素之一。GaNHEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。由于LDMOS无法再支持更高的频率，GaAs也不再是高功率应用的优方案，预计未来大部分6GHz以下宏网络单元应用都将采用GaN器件。5G网络采用的频段更高，穿透力与覆盖范围将比4G更差，因此小基站（smallcell）将在5G网络建设中扮演很重要的角色。不...

显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口，这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板，可选的，可以采用液晶显示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的，触敏表面可覆盖显示面板，当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器408以确定触摸事件的类型，随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中，触敏表面与显示面板是作为两个的部件...

显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值，计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值，比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所...

控制信号vgg通过电阻与开关连接，同时通过备用电阻与备用开关连接。备用电阻的参数与电阻的参数相同，二者都是作为上拉电阻给开关供电。备用开关的参数与开关的参数相同，开关和备用开关的寄生电阻皆为单开关的寄生电阻值ron的一半，因此双开关的整体寄生电阻值与单开关的寄生电阻值相同。开关和备用开关的控制逻辑相同：非负增益模式下，开关和备用开关同时关断；负增益模式下，开关和备用开关同时打开，不需要考虑电阻r1和备用电阻rn。其中，开关和备用开关均为n型mos管，其具体的类型可以是绝缘体上硅mos管，也可以是平面结构mos管。可见，在本申请实施例中，因为使用了叠管设计，将开关和备用开关叠加，使得mo...

第三变压器t02、第四变压器t04和电容c16构成一个匹配网络。第三变压器t02的原边连接有电容c07，第四变压器t04的原边连接有电容c14。第三变压器t02的副边连接射频输出端rfout，第四变压器t04的副边接地。每个主体电路中的激励放大器包括2个共源共栅放大器。如图3所示，主体电路的激励放大器中，nmos管mn01和nmos管mn03构成一个共源共栅放大器，nmos管mn02和nmos管mn04构成一个共源共栅放大器；第二主体电路的激励放大器中，nmos管mn09和nmos管mn11构成一个共源共栅放大器，nmos管mn10和nmos管mn12构成一个共源共栅放大器。在主体电路...

显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供一种移动终端射频功率放大器检测方法及装置。本申请实施例的移动终端可以为手机、平板电脑、笔记本电脑等设备。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例推荐顺序的限定。一种移动终端射频功率放大器检测方法，包括：预设射频功率放大器的配置状态电阻值，计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值，比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值，所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所...

氮化镓集更高功率、更高效率和更宽带宽的特性于一身，能够实现比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，击穿电压达300伏，可工作在更高的工作电压，简化了设计宽带高功率放大器的难度。目前氮化镓（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已经开始普遍应用在EMC领域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射频微波功率放大器的分类放大器有不同种的分类方法，习惯上基于放大器件在一个完整的信号摆动周期中工作的时间量，也就是导电角的不同进行分类，通过对放大器件配置不同的偏置条件，就可以使放大器工作在不同的状态。在EMC领域，固态放大器中常用到的偏置方法是A类，AB类和C类。A类放大器A...

1)中降低增益的设计方案一般包括输入匹配电路101、驱动放大级电路102、反馈电路103、级间匹配电路104、功率放大级电路105和输出匹配电路106。其中，输入匹配电路101由l2、c1和r3串联组成；驱动放大级电路102由mosfett2和t3叠加构成共源共栅结构，t3的栅极通过c2射频接地；反馈电路103由r4和c4串联，跨接在t2栅极和t3漏极之间组成；级间匹配电路104由l3、c7和c8组成；功率放大级电路105由mosfett4和t5叠加构成共源共栅结构，t5的栅极通过c6射频接地。输出匹配电路106由l4、l5、c10和c11组成。注意t2和t4组成电流偏置电路(电流镜形...

此时信号将产生非线性，其功率需要小于-10dbm才能实现线性输出，此时射频功率放大器电路的线性增益为-10db，因此，其线性输出功率范围为：-45dbm～-10dbm。上述高、中、低功率模式中有功率等级的交叠，这是窄带物联网技术平台的要求，这样可保证应用端配置的灵活性。比如同样功率等级下，选择耗电小的功率模式等。这样发射信号功率即输出功率覆盖了-45dbm到，总共，可满足广域的信号覆盖要求。参见图1a和图1b，在射频功率放大器电路已经加强负反馈基础上(引入负反馈电路)，调节各级晶体管的偏置电路(例如调节t2和t4漏极的偏置电流，或者调节t3和t5漏极的偏置电压)，再在输入匹配电路之前引...

处理器308即处理器，用于控制所述射频功率放大器的开启和关闭。输入单元403可用于接收输入的数字或字符信息，以及产生与用户设置以及功能控制有关的键盘、鼠标、操作杆、光学或者轨迹球信号输入。具体地，在一个具体的实施例中，输入单元403可包括触敏表面以及其他输入设备。触敏表面，也称为触摸显示屏或者触控板，可收集用户在其上或附近的触摸操作(比如用户使用手指、触笔等任何适合的物体或附件在触敏表面上或在触敏表面附近的操作)，并根据预先设定的程式驱动相应的连接装置。可选的，触敏表面可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其中，触摸检测装置检测用户的触摸方位，并检测触摸操作带来的信号，将信号传送给触...

主次级线圈121的第二端与射频功率放大器的输出端output耦接；辅次级线圈122的端与主次级线圈121的第二端耦接，辅次级线圈122的第二端与匹配滤波电路中的输出端匹配滤波电路耦接。也就是说，在本发明实施例中，次级线圈由主次级线圈121以及辅次级线圈122组成，辅次级线圈122可以与输出端匹配滤波电路组成功率合成的功能。在具体实施中，匹配滤波电路可以包括输入端匹配滤波电路以及输出端匹配滤波电路。输入端匹配滤波电路可以与功率合成变压器的输入端、功率放大单元的输出端耦接，以及与功率合成变压器的第二输入端、功率放大单元的第二输出端耦接。输出端匹配滤波电路可以串联在辅次级线圈122的第二端与...

gr为基站的接收机天线增益，单位为分贝；rs为接收机灵敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情况下，系统能探测到的小的射频信号。rs的计算可以参见公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz为热噪声底限；nf为全部接收机噪声，单位为分贝；b为接收机整体带宽，snrmin则为小信噪比。一般来说，射频功率放大器电路存在高功率模式(非负增益)，率模式(非负增益)和低功率模式(负增益)这三种模式。由于射频收发器的线性功率输出范围为-35dbm～0dbm，因此，若超出这一范围，信号将产生非线性。当射频...

第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接。可选的，所述第四子滤波电路为lc匹配滤波电路。可选的，所述lc匹配滤波电路包括：第四电容以及第四电感，其中：所述第四电感，端与所述主次级线圈的第二端耦接，第二端与所述射频功率放大器的输出端耦接；所述第四电容，端与所述第四电感的第二端耦接，第二端接地。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电感以及第六电感，其中：所述第五电感，串联在所述第四电容的第二端与地之间；所述第六电感，串联在所述第四电容的端与所述射频功率放大器的输出端之间。可选的，所述lc匹配电路还包括：第五电容、第七电感以及第八电感，其中：所述第五电容，端与所述第六电感的第二端耦接，第二端与...

第二端接地。可选的，所述子滤波电路包括：电容；所述电容的端与所述功率合成变压器的输入端以及所述功率放大单元的输出端耦接，第二端接地。可选的，所述子滤波电路还包括：电感；所述电感串联在所述电容的第二端与地之间。可选的，所述第二子滤波电路包括：第二电容；所述第二电容的端与所述功率合成变压器的第二输入端以及所述功率放大单元的第二输出端耦接，第二端接地。可选的，所述第二子滤波电路还包括：第二电感；所述第二电感串联在所述第二电容的第二端与地之间。可选的，所述输入端匹配滤波电路还包括：寄生电容；所述寄生电容耦接在所述功率放大单元的输出端与所述功率放大单元的第二输出端之间。可选的，所述输出端匹配滤波...

使射频功率放大器电路的整体增益满足要求。若需要使射频功率放大器电路为负增益模式，需要微控制器控制开关导通，控制第二开关导通，控制偏置电路使第二mos管的漏级电流、第三mos管的栅级电压以及漏级供电电压vcc均变小，控制第二偏置电路使第四mos管的漏级电流、第五mos管的栅级电压以及漏级供电电压vcc均变小。其中，第二开关导通时，反馈电路的放大系数af较小，对输入信号的放大作用不明显，偏置电路和第二偏置电路中漏极电流和门极电压较小，对输入信号的放大作用也不明显，可以认为未对输入信号进行放大，即增益为0db，此时，若再控制开关导通，则可控衰减电路工作，对输入信号进行衰减，通过这样的控制，可...

AB类放大器可以确保其谐波/失真性能足够满足EMC领域的需求，也就是它的线性度能满足商业电磁兼容测试标准IEC61000-4-3和IEC61000-4-6的需求。AB类放大器为了线性度与B类放大器相比了一点效率，但相比A类放大器则具有高效率（理论上可达60%到65%）。AB类放大器的优点：与A类放大器相比，功率效率提高。AB类放大器的设计可以使用比A类更少的器件，对于相同的功率等级和频率范围，体积更小，价格更便宜。使用风冷，比A类放大器的冷却器要轻。AB类放大器的缺点：产生的谐波需要注意具体产品给出的指标，尤其是二次谐波，AB类放大器可以通过仔细调整偏置的设置和采用推挽拓补结构将谐波明...

所述不同的匹配电阻的电阻值不相等。可选的，在本申请的一些实施例中，所述射频功率放大器的输出端连接所述射频功率放大器检测模块。相应的，本申请实施例还提供了一种移动终端射频功率放大器检测装置，包括：预设单元，用于预设射频功率放大器的配置状态电阻值；计算单元，用于计算所述射频功率放大器检测模块的电阻值；比较单元，用于比较所述射频功率放大器检测模块的电阻值与所述配置状态电阻值。可选的，在本申请的一些实施例中，所述计算单元包括：计算电阻，所述计算电阻一端与所述射频功率放大器检测模块连接，所述计算电阻另一端与电源电压连接；处理器，所述处理器的引脚与所述计算电阻、所述射频功率放大器检测模块连接。此外...

第六电容的第二端连接第二开关的端，第二开关的第二端连接第五电阻的端，第五电阻的第二端连接第五电容的端，第五电容的第二端和第三电容的第二端连接第二电感的第二端；其中，第二开关，用于响应微处理器发出的第七控制信号使自身处于关断状态，以降低反馈深度，实现射频功率放大器电路处于非负增益模式；还用于响应第八控制信号使自身处于导通状态，以增加反馈深度，实现射频功率放大器电路处于负增益模式。需要说明的是，假设射频功率放大器电路在未加入反馈电路时的放大系数为a，反馈电路的反馈系数为f，则加入反馈电路后射频功率放大器电路100的放大系数af＝a/(1+af)，随着反馈电路中等效电阻阻值的降低，反馈系数f...

显示单元404可用于显示由用户输入的信息或提供给用户的信息以及终端的各种图形用户接口，这些图形用户接口可以由图形、文本、图标、视频和其任意组合来构成。显示单元404可包括显示面板，可选的，可以采用液晶显示器(lcd，liquidcrystaldisplay)、有机发光二极管(oled，organiclight-emittingdiode)等形式来配置显示面板。进一步的，触敏表面可覆盖显示面板，当触敏表面检测到在其上或附近的触摸操作后，传送给处理器408以确定触摸事件的类型，随后处理器408根据触摸事件的类型在显示面板上提供相应的视觉输出。虽然在图4中，触敏表面与显示面板是作为两个的部件...

功率合成模块，定向耦合器，功率监测模块，保护电路，电源供电模块，显示和控制单元等，如图8所示。图8：AMETEK固态射频功放的组成结构为了便于装配，调试，升级，维修，AMETEK的功放在业界率先采用了模块化的设计结构，内部模块及各种走线的布局干净整洁，如图9所示。图9：AMETEK固态射频功放的模块化结构AMETEK的功放产品覆盖的频率范围从4KHz到45GHz，如图10所示。图10：AMETEK的功放产品覆盖的频率范围从4KHz到45GHz不但可以满足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及医疗等商用EMC标准，还可以满足诸如MIL461-RS103/CS11...

实现射频功率放大器电路处于负增益模式；其中，偏置电路与驱动放大电路连接，第二偏置电路与功率放大电路连接。其中，如图7所示，偏置电路1020包括：第二mos管t2、第三mos管t3、第六mos管t6、电流源ib、电压源vg、第六电阻r6、第七电阻r7、第八电阻r8、第九电阻r9、第二电容c2、第七电容c7、第十二电容c12、第十三电容c13。第二mos管的漏极电流偏置电路由电流源、第六mos管、第六电阻、第七电阻和第十二电容按照图7所示连接而成。第六电阻、第七电阻和第十二电容组成的t型网络，可以起到隔离输入信号的作用。第二mos管的宽长比w/l是第六mos管的宽长比的c(c远大于1)倍，...

经过数十年的发展，GaN技术在全球各大洲已经普及。市场的厂商主要包括SumitomoElectric、Wolfspeed（Cree科锐旗下）、Qorvo，以及美国、欧洲和亚洲的许多其它厂商。化合物半导体市场和传统的硅基半导体产业不同。相比传统硅工艺，GaN技术的外延工艺要重要的多，会影响其作用区域的品质，对器件的可靠性产生巨大影响。这也是为什么目前市场的厂商都具备很强的外延工艺能力，并且为了维护技术秘密，都倾向于将这些工艺放在自己内部生产。GaN-on-SiC更具有优势。尽管如此，Fabless设计厂商通过和代工合作伙伴的合作，发展速度也很快。凭借与代工厂紧密的合作关系以及销售渠道，NXP和A...

由射频功率放大器的配置状态得知射频功率放大器的配置状态电阻值。其中，频段与射频功率放大器的对应情况包括两种：一个频段对应一个射频功率放大器或多个频段对应一个射频功率放大器。移动终端在进行频段切换前，移动终端的射频功率放大器的状态包括开启状态或关闭状态，移动终端在进行频段切换时，需要开启一个或多个射频功率放大器。射频功率放大器的配置状态即移动终端在进行频段切换时，此时移动终端的射频功率放大器的状态。其中，由于射频功率放大器的开启状态与关闭状态所对应的电阻值不同，预设射频功率放大器的配置状态即预设射频功率放大器的配置状态电阻值。因此，射频功率放大器的配置状态电阻值包括开启状态的电阻值与关闭...