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实际应用中可以用下面的一个电阻+一个压敏电阻的方式。他既有低通滤波器的功能，又有压敏电阻的功能，还有电阻串联限流的功能。是性价比较好的防护方式，对于高阻信号可以采用1K电阻+50PF压敏；对于耳机等音频输出信号可以采用100欧电阻+压敏电阻；对于TP信号串联电阻不能太大否则影响TP的线性，可以采用10欧电阻。虽然电阻小了，低通滤波器效果已经没有了，但限流作用还是很重要的。增加吸收回路可以在敏感信号附件增加地的漏铜，来吸收静电。道理和避雷针原理一样。在信号线上放置前列放电点（火花隙）在山寨手机设计中也经常应用。将 TVS 二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。静电...

在卡的边缘上放置安装孔,安装孔周围用无阻焊剂的顶层和底层焊盘连接到机箱地上。■PCB装配时,不要在顶层或者底层的焊盘上涂覆任何焊料。使用具有内嵌垫圈的螺钉来实现PCB与金属机箱/屏蔽层或接地面上支架的紧密接触。■在每一层的机箱地和电路地之间,要设置相同的“隔离区”;如果可能,保持间隔距离为0.64mm。■在卡的顶层和底层靠近安装孔的位置,每隔100mm沿机箱地线将机箱地和电路地用1.27mm宽的线连接在一起。与这些连接点的相邻处,在机箱地和电路地之间放置用于安装的焊盘或安装孔。这些地线连接可以用刀片划开,以保持开路,或用磁珠/高频电容的跳接。■如果电路板不会放入金属机箱或者屏蔽装置中,在电路板...

静电防护方法，采用铁氧磁珠进行电路保护铁氧磁珠可以很好的衰减ESD电流，并且还能压制辐射。当面临着两方面问题时，一个铁氧磁珠会时一个很不错的选择。火花间隙法这种方法是在一份材料中看到的，具体做法是在铜皮构成的微带线层使用顶端相互对准的三角铜皮构成，三角铜皮一端连接在信号线，另一个三角铜皮连接地。当有静电时会产生顶端放电进而消耗电能。采用LC滤波器的方法进行保护电路LC组成的滤波器可以有效的减小高频静电进入电路。电感的感抗特性能很好的压制高频ESD进入电路，而电容有分流了ESD的高频能量到地。同时，该类型的滤波器还可以圆滑信号边缘而较小RF效应，性能方面在信号完整性方面又有了进一步的提高。人体静...

在ESD设计中我们会采用以下方法中的一种或几种来进行静电保护：（1）电路板外端留保护带的方法保护法。这种方法通常是在电路板周围画出不加组焊层的走线。在条件允许的情况下将该走线连接至外壳，同时要注意该走线不能构成一个封闭的环，以免形成环形天线而引入更大的麻烦。2）采用铁氧磁珠进行电路保护。铁氧磁珠可以很好的衰减ESD电流，并且还能防止辐射。当面临着两方面问题时，一个铁氧磁珠会时一个很不错的选择。3）多层板进行ESD防护。当资金允许的情况下，选择多层板也是一种有效防止ESD的一种手段。在多层板中，由于有了一个完整的地平面靠近走线，这样可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，进而保护关键信号的作用...

ESD静电释放，在日常生活中是一种很常见的现象，但是对电子元器件或集成电路系统来说，却是致命性的元凶。要知道，静电释放的瞬间电压通常是非常高的，导致的损坏是毁灭性和长久性的，甚至直接造成电路烧毁。故，ESD静电防护是IC设计和制造商尤为重视的头号问题。ESD静电二极管如何选型？那么，如何预防ESD静电释放对IC电路或电子元器件的损坏呢？在电路中安装ESD静电保护二极管成为了电子行业内的主流趋势。重点问题来了，采购ESD静电二极管，需要考虑哪些因素呢？ESD静电二极管选型，一直都是行业内顺手拈来的话题。利用 TVS 二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲。专业静电保护元器件生产厂静电释放器件：E...

实际应用中可以用下面的一个电阻+一个压敏电阻的方式。他既有低通滤波器的功能，又有压敏电阻的功能，还有电阻串联限流的功能。是性价比较好的防护方式，对于高阻信号可以采用1K电阻+50PF压敏；对于耳机等音频输出信号可以采用100欧电阻+压敏电阻；对于TP信号串联电阻不能太大否则影响TP的线性，可以采用10欧电阻。虽然电阻小了，低通滤波器效果已经没有了，但限流作用还是很重要的。增加吸收回路可以在敏感信号附件增加地的漏铜，来吸收静电。道理和避雷针原理一样。在信号线上放置前列放电点（火花隙）在山寨手机设计中也经常应用。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害，常常造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。广...

瞬变二极管主要特性参数：①反向断态电压（截止电压）VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压（截止电压）VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压（P4SMA、P6SMB、1.5SMC、P4KE、P6KE、1.5KE系列型号中的数字就是击穿电压的标称值，其它系列的数字是反向断态电压值）。TVS管的击穿电压有±5%的误差范围（不带“A”的为±10%）。③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的较大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流...

多层板进行ESD防护当资金允许的情况下，选择多层板也是一种有效防止ESD的一种手段。在多层板中，由于有了一个完整的地平面靠近走线，这样可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，进而保护关键信号的作用。电路板外面留保护带的方法保护法这种方法通常是在电路板周围画出不加组焊层的走线。在条件允许的情况下将该走线连接至外壳，同时要注意该走线不能构成一个封闭的环，以免形成环形天线而引入更大的麻烦。采用有钳位二极管的CMOS器件或者TTL器件进行电路的保护这种方法是利用了隔离的原理进行电路板的保护，由于这些器件有了钳位二极管的保护，在实际电路设计中减小了设计的复杂度。多采用去耦电容这些去耦电容要有低的ESL...

ESD静电二极管选型事项1）ESD一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD静电保护二极管的结电容应尽量选择小的，以避免影响通信质量；2）ESD有单向（A）和双向（C）之分，根据工作的信号进行选择，单极性的信号可以选择单向的ESD或双向的ESD，双极性的信号要选择双向的ESD；3）具体选择什么型号的ESD静电二极管做静电防护，还需要在专业的电子工程师指导下选择。ESD静电释放，在日常生活中是一种很常见的现象，但是对电子元器件或集成电路系统来说，却是致命性的元凶。唛芯电子公司文化：芯通天下 责任生存。专业静电释放器件生产厂家TVS...

ESD静电释放，在日常生活中是一种很常见的现象，但是对电子元器件或集成电路系统来说，却是致命性的元凶。要知道，静电释放的瞬间电压通常是非常高的，导致的损坏是毁灭性和长久性的，甚至直接造成电路烧毁。故，ESD静电防护是IC设计和制造商尤为重视的头号问题。ESD静电二极管如何选型？那么，如何预防ESD静电释放对IC电路或电子元器件的损坏呢？在电路中安装ESD静电保护二极管成为了电子行业内的主流趋势。重点问题来了，采购ESD静电二极管，需要考虑哪些因素呢？ESD静电二极管选型，一直都是行业内顺手拈来的话题。利用 TVS 二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲。深圳静电二极管代理如何消除静电释放(ES...

瞬变二极管主要特性参数：①反向断态电压（截止电压）VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压（截止电压）VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压（P4SMA、P6SMB、1.5SMC、P4KE、P6KE、1.5KE系列型号中的数字就是击穿电压的标称值，其它系列的数字是反向断态电压值）。TVS管的击穿电压有±5%的误差范围（不带“A”的为±10%）。③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的较大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流...

瞬变二极管主要特性参数：①反向断态电压（截止电压）VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压（截止电压）VRWM表示TVS管不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。②击穿电压VBR：TVS管通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示TVS管导通的标志电压（P4SMA、P6SMB、1.5SMC、P4KE、P6KE、1.5KE系列型号中的数字就是击穿电压的标称值，其它系列的数字是反向断态电压值）。TVS管的击穿电压有±5%的误差范围（不带“A”的为±10%）。③脉冲峰值电流IPP：TVS管允许通过的10/1000μs波的较大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流...

在ESD设计中我们会采用以下方法中的一种或几种来进行静电保护：（1）电路板外端留保护带的方法保护法。这种方法通常是在电路板周围画出不加组焊层的走线。在条件允许的情况下将该走线连接至外壳，同时要注意该走线不能构成一个封闭的环，以免形成环形天线而引入更大的麻烦。2）采用铁氧磁珠进行电路保护。铁氧磁珠可以很好的衰减ESD电流，并且还能防止辐射。当面临着两方面问题时，一个铁氧磁珠会时一个很不错的选择。3）多层板进行ESD防护。当资金允许的情况下，选择多层板也是一种有效防止ESD的一种手段。在多层板中，由于有了一个完整的地平面靠近走线，这样可以使ESD更加快捷的耦合到低阻抗平面上，进而保护关键信号的作用...

选择静电保护元件需要注意的参考系数我们常常会看到介绍ESD静电保护器、ESD静电释放器、ESD静电阻抗器、贴片压敏电阻等产品，保护器件关键的参考系数是：1.快速响应时间2.低箝位电压3.高电流浪涌承受能力在选择ESD静电保护元件时，仍应该细致地做好实际的对比，以及运用IEC61000-4-2测试来做验证。目前行业惯例是根据8us上升时间和20us持续时间的脉冲公布箝位电压的，而真正的ESD脉冲应该是1ns上升时间和60ns的持续时间。一种ESD保护方法是采用半导体二极管。ESD保护二极管被表征为低箝位电压、低阻抗、快速导通时间和更好的可靠性。通常半导体二极管可以提供较好的ESD保护，而且现在的...

静电防护方法采用铁氧磁珠进行电路保护铁氧磁珠可以很好的衰减ESD电流，并且还能压制辐射。当面临着两方面问题时，一个铁氧磁珠会时一个很不错的选择。火花间隙法这种方法是在一份材料中看到的，具体做法是在铜皮构成的微带线层使用顶端相互对准的三角铜皮构成，三角铜皮一端连接在信号线，另一个三角铜皮连接地。当有静电时会产生顶端放电进而消耗电能。采用LC滤波器的方法进行保护电路LC组成的滤波器可以有效的减小高频静电进入电路。电感的感抗特性能很好的压制高频ESD进入电路，而电容有分流了ESD的高频能量到地。同时，该类型的滤波器还可以圆滑信号边缘而较小RF效应，性能方面在信号完整性方面又有了进一步的提高。静电敏感...

单向瞬变二极管和双向瞬变二极管区别为以下几点：1.单向用在直流，双向用在交流；2.单向TVS管的特性与稳压二极管相似，双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联；3.极间电容Cj单向的比双向的大；4.USB数据线上全部用的双向；5.电流曲线不同。单方向的TVS管的电路符号与普通的稳压管相同，其正向特性与普通二极管相同，反向特性为典型的PN结雪崩器件。双向二极管正反向都是典型的PN结雪崩器件。所以，需要区分场合应用，不能简单的直接进行替换。静电在我们的日常生活中可以说是无处不在，我们的身上和周围就带有很高的静电电压，几千伏甚至几万伏。珠海静电防护元件厂家静电释放器件：ESD是静电释放(Ele...

选择静电保护元件需要注意的参考系数我们常常会看到介绍ESD静电保护器、ESD静电释放器、ESD静电阻抗器、贴片压敏电阻等产品，保护器件关键的参考系数是：1.快速响应时间2.低箝位电压3.高电流浪涌承受能力在选择ESD静电保护元件时，仍应该细致地做好实际的对比，以及运用IEC61000-4-2测试来做验证。目前行业惯例是根据8us上升时间和20us持续时间的脉冲公布箝位电压的，而真正的ESD脉冲应该是1ns上升时间和60ns的持续时间。一种ESD保护方法是采用半导体二极管。ESD保护二极管被表征为低箝位电压、低阻抗、快速导通时间和更好的可靠性。通常半导体二极管可以提供较好的ESD保护，而且现在的...

ESD的静电二极管参数详解?VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。?VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。?IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。?IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。?VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。?CJ：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于...

在卡的边缘上放置安装孔,安装孔周围用无阻焊剂的顶层和底层焊盘连接到机箱地上。■PCB装配时,不要在顶层或者底层的焊盘上涂覆任何焊料。使用具有内嵌垫圈的螺钉来实现PCB与金属机箱/屏蔽层或接地面上支架的紧密接触。■在每一层的机箱地和电路地之间,要设置相同的“隔离区”;如果可能,保持间隔距离为0.64mm。■在卡的顶层和底层靠近安装孔的位置,每隔100mm沿机箱地线将机箱地和电路地用1.27mm宽的线连接在一起。与这些连接点的相邻处,在机箱地和电路地之间放置用于安装的焊盘或安装孔。这些地线连接可以用刀片划开,以保持开路,或用磁珠/高频电容的跳接。■如果电路板不会放入金属机箱或者屏蔽装置中,在电路板...

选择静电保护元件需要注意的参考系数我们常常会看到介绍ESD静电保护器、ESD静电释放器、ESD静电阻抗器、贴片压敏电阻等产品，保护器件关键的参考系数是：1.快速响应时间2.低箝位电压3.高电流浪涌承受能力在选择ESD静电保护元件时，仍应该细致地做好实际的对比，以及运用IEC61000-4-2测试来做验证。目前行业惯例是根据8us上升时间和20us持续时间的脉冲公布箝位电压的，而真正的ESD脉冲应该是1ns上升时间和60ns的持续时间。一种ESD保护方法是采用半导体二极管。ESD保护二极管被表征为低箝位电压、低阻抗、快速导通时间和更好的可靠性。通常半导体二极管可以提供较好的ESD保护，而且现在的...

TVS/ESD静电保护元件阵列ESD静电保护元器件RLESD保护器件可避免电子设备中的敏感电路受到ESD的。可提供非常低的电容，与其他同类元件相比具有更优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数（高达1000）之后。该器件可比传统的聚合物SEO器件提供更低的触发电压和更低的箝拉电压，进而改善对敏感电子元件的保护。静电保护元件(ElertroStaticDischargedProtection)简称ESD，是一种过压保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。RLESD保护器件是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可以...

电路级ESD防护方法1、并联放电器件常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等1.1齐纳二极管（ZenerDiodes，也称稳压二极管）：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十pF的电容，这对于高速信号（例如500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬变电压消除器TVS(TransientVoltageSuppressor)：TVS是一种固态二极管，专门用于防止ESD瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进，可以使TVS具有更强的高压承...

场效应管：场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。ESD（静电放电）对电子产品造成的破坏和损伤有突发性损伤和潜在性损伤两种。深圳静电管电路级ESD防护...

对安装在金属机箱或者屏蔽装置里的双面板来说,应该将环形地与电路公共地连接起来。不屏蔽的双面电路则应该将环形地连接到机箱地,环形地上不能涂阻焊剂,以便该环形地可以充当ESD的放***,在环形地(所有层)上的某个位置处至少放置一个0.5mm宽的间隙,这样可以避免形成一个大的环路。信号布线离环形地的距离不能小于0.5mm。在能被ESD直接击中的区域,每一个信号线附近都要布一条地线。I/O电路要尽可能靠近对应的连接器。对易受ESD影响的电路,应该放在靠近电路中心的区域,这样其他电路可以为它们提供一定的屏蔽作用。通常在接收端放置串联的电阻和磁珠,而对那些易被ESD击中的电缆驱动器,也可以考虑在驱动端放置...

电路级ESD防护方法1、并联放电器件常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等1.1齐纳二极管（ZenerDiodes，也称稳压二极管）：利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十pF的电容，这对于高速信号（例如500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬变电压消除器TVS(TransientVoltageSuppressor)：TVS是一种固态二极管，专门用于防止ESD瞬态电压破坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管相比，TVS二极管P/N结面积更大，这一结构上的改进使TVS具有更强的高压承受能力...

静电释放器件：ESD是静电释放(Electro-Staticdischarge)的缩写。我们学过，静电是一种自然现象，通过接触、摩擦、电器间感应等方式产生，静电的特点是长时间积聚、高电压(可以产生几千伏甚至上万伏的静电)、低电量小电流和作用时间短。对于电子产品来说，如果ESD设计没有设计好，通常会造成电子电器产品运行不稳定，甚至损坏。ESD放电测试通常采用两种方法：接触放电和空气放电。接触放电就是直接对待测设备进行放电；空气放电也称为间接放电，是强磁场对邻近电流环路耦合产生。这两种测试的测试电压一般为2KV-8KV，不同地区要求不一样，因此在设计之前，先要弄清楚产品针对的市场。以上ESD放电测...

对安装在金属机箱或者屏蔽装置里的双面板来说,应该将环形地与电路公共地连接起来。不屏蔽的双面电路则应该将环形地连接到机箱地,环形地上不能涂阻焊剂,以便该环形地可以充当ESD的放***,在环形地(所有层)上的某个位置处至少放置一个0.5mm宽的间隙,这样可以避免形成一个大的环路。信号布线离环形地的距离不能小于0.5mm。在能被ESD直接击中的区域,每一个信号线附近都要布一条地线。I/O电路要尽可能靠近对应的连接器。对易受ESD影响的电路,应该放在靠近电路中心的区域,这样其他电路可以为它们提供一定的屏蔽作用。通常在接收端放置串联的电阻和磁珠,而对那些易被ESD击中的电缆驱动器,也可以考虑在驱动端放置...

通常在接收端放置瞬态保护器。用短而粗的线(长度小于5倍宽度,较好小于3倍宽度)连接到机箱地。从连接器出来的信号线和地线要直接接到瞬态保护器,然后才能接电路的其他部分。■在连接器处或者离接收电路25mm的范围内,要放置滤波电容。(1)用短而粗的线连接到机箱地或者接收电路地(长度小于5倍宽度,较好小于3倍宽度)。(2)信号线和地线先连接到电容再连接到接收电路。■要确保信号线尽可能短。■信号线的长度大于300mm时,一定要平行布一条地线。■确保信号线和相应回路之间的环路面积尽可能小。对于长信号线每隔几厘米便要调换信号线和地线的位置来减小环路面积。我国已经成为电子产品的加工基地，在珠三角、长三角集中了...

如何消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏？来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改单单于增减元器件。通过调整PCB布局布线,能够很好地防范ESD。静电放电被认为是电子产品质量较大的潜在...

ESD静电二极管参数详解?VRWM：反向截止电压、通俗地讲，就是ESD允许施加的最大工作电压，在该电压下ESD处于截止状态，此时ESD的漏电流很小，为几微安甚至更低。?VBR：击穿电压，击穿电压是ESD要开始动作（雪崩击穿）的电压，一般在规定的电流下测量，通常在大小为1mA的电流下测量。?IR：反向漏电流，即在ESD器件两端施加VRWM电压下测得ESD的漏电流。?IPP：峰值脉冲电流，一般采用8/20μs的波形测量。?VC：钳位电压，在给定大小的IPP下测得ESD两端的电压。大部分ESD产品VC与VBR及IPP成正比关系。?CJ：结电容，ESD的结电容与ESD的芯片面积、工作电压有关系。对于相...